2022/12/01 更新

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シミズ ヒデヒコ
清水 英彦
SHIMIZU Hidehiko
所属
教育研究院 自然科学系 情報電子工学系列 准教授
自然科学研究科 電気情報工学専攻 准教授
工学部 工学科 准教授
職名
准教授
外部リンク

学位

  • 博士(工学) ( 1999年3月   新潟大学 )

研究キーワード

  • Physics of Ionized Gases

  • Magnetic Thin Films

  • 放電物理

  • 磁性薄膜

研究分野

  • ナノテク・材料 / 応用物理一般

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

経歴(researchmap)

  • Reserch Associate, Faculty of Engneering, Niigata University

    1999年 - 2002年

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  • 新潟大学工学部 助手   Faculty of Engineering

    1999年 - 2002年

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経歴

  • 新潟大学   工学部 工学科   准教授

    2017年4月 - 現在

  • 新潟大学   自然科学研究科 電気情報工学専攻   准教授

    2010年4月 - 現在

  • 新潟大学   自然科学研究科 電気情報工学専攻   准教授

    2010年4月 - 現在

  • 新潟大学   電気電子工学科   准教授

    2004年4月 - 2017年3月

  • 新潟大学   工学部   助手

    1999年4月 - 2002年3月

学歴

  • 新潟大学   自然科学研究科   エネルギー基礎科学

    - 1999年

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    国名: 日本国

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  • 新潟大学   Graduate School, Division of National Science and Technology

    - 1999年

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  • 新潟大学   工学部   電気電子工学科

    - 1995年

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    国名: 日本国

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  • 新潟大学   Faculty of Engineering

    - 1995年

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所属学協会

 

MISC

  • 偏光解析法を用いたAgスパッタ薄膜の初期成長過程の考察

    電気学会誌   122 ( 8 )   755 - 760   2002年

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  • Sputtered Fe and Fe-N films deposited at liguid nitrogen temperature

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials   235, 196-200   2001年

  • Sputtered Fe and Fe-N films deposited at liguid nitrogen temperature

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials   235, 196-200   2001年

  • (111)配向ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>下地膜上に堆積したBaM薄膜の微細構造

    清水 英彦, 星 陽一

    日本応用磁気学会誌   24 ( 4-2 )   523 - 526   2000年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:The Magnetics Society of Japan  

    The microstructure of BaM thin films, sputter-deposited using on alternate layer deposition technique on both a c-axis oriented ZnO underlayer and a (111) oriented ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> underlayer, was investigated using a high-resolution transmission electron microscope (HRTEM). When the films were deposited on the ZnO underlayer, the film had a layered structure of BaM (c-axis orientation) / Ba-Zn-Fe-O / ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> ((111) orientation) / Ba-Zn-Fe-O / Zn-Si-O/SiO<sub>2</sub> / Si. This suggests that the BaM layer was formed after the formation of the layered structure of Ba-Zn-Fe-O / ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> ((111) orientation) / Ba-Zn-Fe-O / Zn-Si-O / SiO<sub>2</sub> / Si. On the other hand, when films were deposited on the (111) oriented ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> underlayer, the BaM layer grew epitaxially on the (111) plane of the ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> underlayer, and the formation of transition layers was not observed. These results suggest that the diffusions of Ba, Fe, and Zn ions between the BaM layer and ZnO or Ba-Zn-Fe-O layer occurred easily but was completely suppressed in the ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> layer, which resulted in formation of a ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> layer that was sandwiched between the Ba-Zn-Fe-O layers when BaM films were deposited on a ZnO underlayer.

    DOI: 10.3379/jmsjmag.24.523

    CiNii Article

    CiNii Books

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    その他リンク: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10464963

  • 原子層積層法によるc軸配向Baフェライト超薄膜の作製

    清水 英彦, 篠崎 秀明, 星 陽一, 加藤 景三, 金子 双男

    日本応用磁気学会誌   23 ( 4-2 )   1209 - 1212   1999年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:The Magnetics Society of Japan  

    We attempted to deposit a hexagonal barium ferrite (BaM) film with a thickness of less than 50 nm by using an alternate periodic atomic layer deposition method. BaM films from 11.5 to 115 nm thick were deposited at 630°C on a ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> (20nm) underlayer of (111) texture. Compared with films deposited by conventional sputtering, the film obtained in this study had excellent c-axis orientation and crystallinity. Even the BaM film with a thickness of 11.5 nm had clear X-ray diffraction peaks from the BaM c-plane. The crystallite size of the film decreased significantly as the thickness of the BaM layer decreased, and the typical crystallite size of the 11.5-nm-thick film was about 25 nm. The coercive force of the film in the perpendicular direction, however, decreased markedly as the thickness of the BaM layer decreased below 23 nm. A magnetic intermediate layer was produced in the film between the BaM layer and ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> underlayer, and thus the film had a double layer structure composed of a BaM layer with perpendicular magnetization and an intermediate layer with an in-plane magnetization.

    DOI: 10.3379/jmsjmag.23.1209

    CiNii Article

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  • Crystal orientation and microstructure of nickel film deposited at liquid nitrogen temperature by sputtering

    H Shimizu, E Suzuki, Y Hoshi

    ELECTROCHIMICA ACTA   44 ( 21-22 )   3933 - 3944   1999年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD  

    Sputter deposition of nickel films at liquid nitrogen temperature was performed to clarify the effects of the surface migration of the deposited atoms. The film deposited at liquid nitrogen temperature and low Ar gas pressure had excellent (111) orientation and good crystallinity. Therefore, deposition at a low-temperature and low Ar gas pressure is a useful technique for obtaining film with excellent crystal orientation of the closest packing plane. Ion bombardment of the film surface during deposition at liquid nitrogen temperature led to a large degradation of the film crystallinity, but it had quite the opposite effect at room temperature, i.e., it promoted the (111) orientation of the film and improved the crystallinity of the film. These results indicate that the ion bombardment produced defects in the crystallites at a low temperature where migration of the deposited atoms was limited. (C) 1999 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/S0013-4686(99)00101-2

    Web of Science

    CiNii Article

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  • 原子層積層法によるc軸配向Baフェライト超薄膜の作製

    清水英彦, 篠崎秀明, 星陽一, 加藤景三, 金子双男

    日本応用磁気学会誌   23 ( 4-2 )   1209 - 1212   1999年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:The Magnetics Society of Japan  

    We attempted to deposit a hexagonal barium ferrite (BaM) film with a thickness of less than 50 nm by using an alternate periodic atomic layer deposition method. BaM films from 11.5 to 115 nm thick were deposited at 630°C on a ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> (20nm) underlayer of (111) texture. Compared with films deposited by conventional sputtering, the film obtained in this study had excellent c-axis orientation and crystallinity. Even the BaM film with a thickness of 11.5 nm had clear X-ray diffraction peaks from the BaM c-plane. The crystallite size of the film decreased significantly as the thickness of the BaM layer decreased, and the typical crystallite size of the 11.5-nm-thick film was about 25 nm. The coercive force of the film in the perpendicular direction, however, decreased markedly as the thickness of the BaM layer decreased below 23 nm. A magnetic intermediate layer was produced in the film between the BaM layer and ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> underlayer, and thus the film had a double layer structure composed of a BaM layer with perpendicular magnetization and an intermediate layer with an in-plane magnetization.

    DOI: 10.3379/jmsjmag.23.1209

    CiNii Article

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  • Control of crystal orientation of Ti thin films by sputtering

    Y Hoshi, E Suzuki, H Shimizu

    ELECTROCHIMICA ACTA   44 ( 21-22 )   3945 - 3952   1999年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD  

    We developed a new sputter deposition technique called sputter beam deposition (SBD) in which both the kinetic energy and the distribution of incident angles of the deposition particles are controlled. In this study, Ti films with hcp structure were deposited by both SBD and conventional de magnetron sputtering. The crystal orientation of the film depended considerably on the kinetic energy of the depositing atoms. Film with c-axis orientation was obtained when most of the depositing atoms had energy below 1 eV, whereas film with hcp (100) orientation was obtained when most of them had energy above 1 eV, The distribution of the incident angles in SBD depended little on the sputtering gas pressure and had a similar distribution to that observed at a low gas pressure. The film deposited by SBD had much smoother surface than the film deposited by conventional magnetron sputtering. (C) 1999 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/S0013-4686(99)00103-6

    Web of Science

    CiNii Article

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  • Alternate layer deposition method for the deposition of c-axis oriented hexagonal barium ferrite thin films

    Y Hoshi, K Shinozaki, H Shimizu, K Kato, F Kaneko

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS   177 ( Pt.1 )   241 - 242   1998年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    Sputter-deposition of c-axis perpendicularly oriented hexagonal barium ferrite (BaM: BaFe12O19, and BaW: BaFe18O27) thin films was attempted by means of an alternate periodic deposition of Fe3O4 layer (S-layer) and BaFe6O11 layer (R-layer). BaM film with c-axis orientation was obtained at temperatures above 540 degrees C, in which control of the thickness of both S-layer and R-layer was very important to obtain a BaM thin film with c-axis orientation. BaW film, however, was not obtained at the periodic layer deposition condition corresponding to the BaW crystal (S-layer = 9.3 Angstrom, R-layer = 6.9 Angstrom). (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/S0304-8853(97)00981-5

    Web of Science

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  • 原子層積層法によるBaフェライト薄膜の作製-下地層による結晶性の制御-

    清水 英彦, 篠崎 秀明, 星 陽一, 加藤 景三, 金子 双男

    日本応用磁気学会誌   22 ( 4-2 )   481 - 484   1998年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:The Magnetics Society of Japan  

    In order to obtain a hexagonal barium ferrite (BaM) film with large saturation magnetization, we attempted to reduce the thickness of a ZnO underlayer and to deposit BaM film on underlayers of various materials such as α-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, amorphous barium ferrite (a-BaM), amorphous BaFe<sub>6</sub>O<sub>10</sub> (a-BaFe<sub>6</sub>O<sub>10</sub>), and ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>. The following results were obtained: (1) A ZnO underlayer less than 10 nm thick significantly degraded the <i>c</i>-axis orientation of the BaM films. (2) A BaM film with <i>c</i>-axis orientation was obtained only on ZnO, a-BaM/ZnO, and ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> underlayers. In particular, a film deposited on a (111)-oriented ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> underlayer had excellent <i>c</i>-axis orientation and magnetic properties. (3) The saturation magnetizations of films deposited on the various underlayers had low values below 260 emu/cc, and could not be increased by reducing the thickness of the ZnO underlayer or by depositing the film on an underlayer that did not contain ZnO.

    DOI: 10.3379/jmsjmag.22.481

    CiNii Article

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    その他リンク: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10463881

  • 原子層積層法によるBaフェライト薄膜の作製 -下地層による結晶性の制御-

    清水 英彦, 篠崎 秀明, 星 陽一, 加藤 景三, 金子 双男

    日本応用磁気学会誌   22 ( 4-2 )   481 - 484   1998年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:The Magnetics Society of Japan  

    In order to obtain a hexagonal barium ferrite (BaM) film with large saturation magnetization, we attempted to reduce the thickness of a ZnO underlayer and to deposit BaM film on underlayers of various materials such as α-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, amorphous barium ferrite (a-BaM), amorphous BaFe<sub>6</sub>O<sub>10</sub> (a-BaFe<sub>6</sub>O<sub>10</sub>), and ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>. The following results were obtained: (1) A ZnO underlayer less than 10 nm thick significantly degraded the <i>c</i>-axis orientation of the BaM films. (2) A BaM film with <i>c</i>-axis orientation was obtained only on ZnO, a-BaM/ZnO, and ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> underlayers. In particular, a film deposited on a (111)-oriented ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> underlayer had excellent <i>c</i>-axis orientation and magnetic properties. (3) The saturation magnetizations of films deposited on the various underlayers had low values below 260 emu/cc, and could not be increased by reducing the thickness of the ZnO underlayer or by depositing the film on an underlayer that did not contain ZnO.

    DOI: 10.3379/jmsjmag.22.481

    CiNii Article

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    その他リンク: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10463881

  • Preparation of c-axis Oriented Hexagonal Barium Ferrite Thin Films by Alternate Layer Deposition Method

    Shimizu H., Shinozaki H., Hoshi Y., Kato K., Kaneko F.

    日本応用磁気学会誌   22 ( S1 )   188 - 190   1998年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人 日本磁気学会  

    &nbsp;&nbsp;A deposition of <i>c</i>-axis oriented hexagonal barium ferrite thin films was attempted by means of an alternate periodic deposition of <i>S</i> (Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>) and <i>R</i>(BaFe<sub>6</sub>O<sub>10</sub>) layers. All of the films obtained in this study had (001) texture, although they also contained a spinel phase with (111) orientation. Crystallite size in the film depends on the ratio of the thickness of the <i>S</i> layer to that of the <i>R</i> layer, and increased as this ratio increased. M-type barium ferrite (BaM) thin films with excellent c-axis orientation were obtained when the thickness of the <i>S</i> and <i>R</i> layers were 4.7 &Aring; and 6.9 &Aring;, respectively. We also tried to form the W-type barium ferrite (BaW) film by depositing <i>S</i> layers 9.3 &Aring; thick and <i>R</i> layers 6.9 &Aring; thick altemately. The film, however, did not contain the BaW crystallites and was a mixture of BaM and the spinel-type crystallites.

    DOI: 10.3379/jmsjmag.22.S1_188

    CiNii Article

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  • Formation of c-axis oriented barium ferrite thin films by alternate deposition of a Fe3O4 layer and BaO center dot 3Fe(2)O(3) layer

    Y Hoshi, Y Kubota, H Onodera, H Shinozaki, H Shimizu, H Ikawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   81 ( 8 )   4690 - 4692   1997年4月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    Deposition of c-axis perpendicularly oriented barium ferrite (BaM:BaFe12O19) thin films was attempted by means of an alternate periodic deposition of S (spinel Fe3O4) and R (BaO . 3Fe(2)O(3)) layers. The period of the layers was fixed at 1.15 nm, which corresponds to the period of hexagonal barium ferrite crystals in the c-axis direction. Films 115 nm thick were deposited on a c-axis oriented ZnO underlayer by using a dc sputtering system with three facing target sputtering sources. This layer deposition method was expected to deposit a film with much better crystallite orientation at a lower substrate temperature than needed to deposit a film when using a conventional sputter deposition method (i.e., sputter deposition using a stoichiometric BaM sintered target). The films deposited at temperatures above 540 degrees C had a hexagonal crystal structure and showed c-axis orientation, but this deposition method did not result in a marked reduction of substrate temperature needed for the deposition of a BaM film with hexagonal crystal structure. The films deposited at 650 degrees C had a clear terraced surface due to the growth of disk shaped hexagonal crystallites. The saturation magnetization of the film was about 220 emu/cc and the coercive force of the films was about 2.2 kOe. (C) 1997 American Institute of Physics.

    DOI: 10.1063/1.365528

    Web of Science

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  • Deposition of c-axis Oriented Ba Ferrite Thin Films by Atomic Layer Deposition Method for high density magnetic recording media

    Journal of The magnetics Society of Japan   21 ( S1 )   70 - 73   1997年

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  • 原子層積層法による高密度磁気記録媒体用c軸配向Baフェライト薄膜の作製

    日本応用磁気学会誌   21 ( S1 )   70 - 73   1997年

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  • Structure and magnetic properties of hexagonal barium ferrite films deposited by alternate layer deposition method

    Journal of The magnetics Society of Japan   21 ( S2 )   61 - 64   1997年

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共同研究・競争的資金等の研究

  • 高周波スパッタ薄膜の作製とプロセスプラズマの計測

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    資金種別:競争的資金

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  • Preparation of Thin Film by RF-sputter and Measurement of Processing Plasma

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    資金種別:競争的資金

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  • Controlling Microstructure and Properties of Thin Films for High-Density Magnetic Recording Media

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    資金種別:競争的資金

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  • 高密度磁気記録媒体用薄膜の微細構造及び特性制御に関する研究

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    資金種別:競争的資金

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担当経験のある授業科目

  • 総合技術科学演習

    2022年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • リメディアル演習

    2022年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 薄膜応用工学

    2021年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電子情報通信設計製図

    2020年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電子情報通信実験IIIB

    2020年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電子情報通信実験IVB

    2020年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 論文輪講I

    2020年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電子物性工学I

    2020年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電子情報通信実験IIIA

    2020年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電子情報通信実験IVA

    2020年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 論文輪講II

    2020年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電子情報通信実験IIA

    2019年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 工学リテラシー入門(情報電子分野)

    2019年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電子情報通信実験IIB

    2019年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電子情報通信実験IA

    2018年
    機関名:新潟大学

  • 電子情報通信実験IB

    2018年
    機関名:新潟大学

  • 電子情報通信概論

    2017年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 情報機器操作入門

    2016年
    機関名:新潟大学

  • 自然科学総論Ⅲ

    2015年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学特定研究Ⅰ

    2012年
    -
    2013年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学セミナーⅡ

    2012年
    -
    2013年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学文献詳読Ⅱ

    2012年
    -
    2013年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学特定研究Ⅱ

    2012年
    -
    2013年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学文献詳読Ⅰ

    2012年
    -
    2013年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学セミナーⅠ

    2012年
    -
    2013年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学研究発表演習(中間発表)

    2012年
    -
    2013年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学研究発表演習(外部発表)

    2012年
    -
    2013年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子設計製図

    2010年
    -
    2018年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子創造設計

    2010年
    -
    2016年
    機関名:新潟大学

  • 卒業研修

    2009年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電気材料物性I

    2009年
    -
    2018年
    機関名:新潟大学

  • 工学リテラシー入門(電気電子工学科)

    2009年
    -
    2016年
    機関名:新潟大学

  • スタディスキルズ(電気電子工学)

    2008年
    機関名:新潟大学

  • 薄膜工学特論

    2007年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 卒業研究

    2007年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電磁気学I

    2007年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 電磁気学演習I

    2007年
    -
    現在
    機関名:新潟大学

  • 論文輪講

    2007年
    -
    2019年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学実験III

    2007年
    -
    2018年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学実験IV

    2007年
    -
    2018年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学実験II

    2007年
    -
    2017年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子工学実験I

    2007年
    -
    2017年
    機関名:新潟大学

  • エレクトロニクス入門

    2007年
    -
    2016年
    機関名:新潟大学

  • 薄膜応用工学

    2007年
    -
    2014年
    機関名:新潟大学

  • 電磁気学演習II

    2007年
    -
    2013年
    機関名:新潟大学

  • 電気電子演習

    2007年
    -
    2009年
    機関名:新潟大学

  • 電気材料物性II

    2007年
    -
    2008年
    機関名:新潟大学

  • 卒業基礎研究

    2007年
    -
    2008年
    機関名:新潟大学

  • 電磁気学II

    2007年
    機関名:新潟大学

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