2026/03/10 更新

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マスダ　アツシ
増田　淳
MASUDA Atsushi
所属
教育研究院 自然科学系 情報電子工学系列 教授
工学部 工学科 教授
自然科学研究科 電気情報工学専攻 教授
職名
教授
ホームページ
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=A19649218
外部リンク

学位

  • 博士（工学） （ 1996年3月   金沢大学 ）

  • 修士（工学） （ 1992年3月   金沢大学 ）

  • 経済学士 （ 1990年3月   京都大学 ）

研究キーワード

  • chemical vapor deposition

  • semiconductor

  • 化学気相成長

  • 半導体

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ナノテク・材料 / 結晶工学

  • ナノテク・材料 / 応用物性

経歴（researchmap）

  • - Research Associate, School of Materials Science,

    1996年

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  • - 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 助手

    1996年

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  • 日本学術振興会 特別研究員

    1994年 - 1996年

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  • Research Fellow of the Japan Society for

    1994年 - 1996年

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  • the Promotion of Science

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  • 北陸先端科学技術大学院大学

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経歴

  • 新潟大学   教育研究院 自然科学系 生産デザイン工学系列   教授

    2025年7月 - 現在

  • 新潟大学   工学部　工学科   教授

    2020年4月 - 現在

学歴

  • 金沢大学   自然科学研究科   物質科学

    - 1996年

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    国名： 日本国

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  • 金沢大学   Graduate School, Division of National Science and Technology

    - 1996年

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  • 京都大学   経済学部   経営

    - 1990年

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    国名： 日本国

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  • 京都大学   Faculty of Economics

    - 1990年

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論文

  • Influence of acceleration testing and anti-reflection coating on crystalline Si photovoltaic unencapsulated modules with polycarbonate base

    Yo Yamakawa, Yuta Mikami, Yasuhiro Okada, Yohei Ogashiwa, Hiroaki Takahashi, Naoshi Kimura, Taichi Uemura, Yasuaki Ishikawa, Mitsunori Nagahara, Keisuke Ohdaira, Kazuhiro Gotoh, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   64 ( 6 )   06SP02 - 06SP02   2025年6月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    Abstract

    A new concept of unencapsulated photovoltaic (PV) modules was developed to avoid several degradation phenomena caused by encapsulation materials, to facilitate recycling of PV modules. The reliability and durability of the new concept module were investigated through damp heat (DH) and thermal cycling (TC) tests. The maximum output power of the new concept module did not decrease significantly after 3000 h of DH testing and 1200 cycles of TC testing. Furthermore, no significant decrease was also observed in sequential testing of the total of 1800 h of DH testing and 600 cycles of TC testing. It was also found that UV absorbers prevent degradation of polycarbonate cover material used to enable to be lightweight and installed on curved surface and that MgF<sub>2</sub> coating on cover material suppresses reflection loss of incident light. These experimental results indicate that unencapsulated PV modules are reliable enough for replacing conventional modules.

    DOI： 10.35848/1347-4065/add7e4

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/add7e4/pdf

  • Influences of surface contaminating elements on potential-induced degradation of crystalline silicon solar cells

    Yiming Qin, Asahi Yonemoto, Marwan Dhamrin, Keisuke Ohdaira, Kazuhiro Gotoh, Atsushi Masuda

    Solar Energy Materials and Solar Cells   282   113413 - 113413   2025年4月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier BV  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2025.113413

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  • Annual trends of indoor output measurement results from photovoltaic modules exposed outdoors in Tosu city, Japan

    Yasuo Chiba, Tetsuyuki Ishii, Ritsuko Sato, Sungwoo Choi, Minoru Akitomi, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( SK )   SK1036 - SK1036   2023年5月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    Abstract

    Annual trends of indoor output measurement (P <sub>max(stc)</sub>) results from photovoltaic modules exposed outdoors in Tosu city from 2012 to 2022 were investigated. The P <sub>max(stc)</sub> of mono-Si (E-1A), as conventional Si modules, was almost unchanged from 2012 to 2022; however, that of mono-Si (E-1B), as conventional Si modules, decreased after 2019. In the case of Si heterojunction modules, a moderate degradation rate is expected with prolonged exposure. In the case of passivated emitter and rear cell modules, it was found that characteristics due to light and elevated-temperature induced degradation were observed with good reproducibility in 2021 and 2022.

    DOI： 10.35848/1347-4065/acc66c

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/acc66c/pdf

  • Encapsulation-free crystalline silicon photovoltaic modules and their hygrothermal and thermal-cycle tolerance

    Nobuhito Imajo, Yo Yamakawa, Hiroaki Takahashi, Keisuke Ohdaira, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( SK )   SK1025 - SK1025   2023年4月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    Abstract

    A novel concept of unencapsulated modules was developed to avoid many degradation phenomena originating from encapsulants, reduce material costs, and also allow for both easy cell repair and easy recycling of modules. The reliability and durability of the novel concept modules were investigated using damp-heat (DH) testing, thermal-cycle (TC) testing, and sequential testing including DH and TC testing. No large reduction in maximum power after DH testing for 2700 h or TC testing for 1000 cycles was found for unencapsulated modules, irrespective of cell-connection method, cell spacing, or the existence of intentional microcracks. However, because of thermomechanical stress, unstable contact between interconnector ribbons and busbar electrodes was found after TC testing. Superiority of shingling connections was found for this novel concept of unencapsulated modules.

    DOI： 10.35848/1347-4065/acc8dd

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/acc8dd/pdf

  • Second-stage potential-induced degradation of n-type front-emitter crystalline silicon photovoltaic modules and its recovery

    Keisuke OHDAIRA, Yutaka Komatsu, Seira Yamaguchi, Atsushi MASUDA

    Japanese Journal of Applied Physics   2023年4月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    Abstract

    We investigate the second-stage potential-induced degradation (PID) of n-type front-emitter (n-FE) crystalline silicon (c-Si) photovoltaic (PV) modules. The PID of n-FE c-Si PV modules is known to occur in three stages under negative bias stress. The second-stage PID is characterized by a reduction in fill factor (FF), due to the invasion of sodium (Na) into the depletion region of a p+–n junction and resulting increase in recombination current. The second-stage PID shows a curious independence on a negative bias voltage for the PID stress. This may indicate that the Na inducing the FF reduction comes not from the cover glass but originally exists on and/or near the cell surface. The FF reduction is recovered quite rapidly, within a few seconds, by applying a positive bias to the degraded cell. The recovered n-FE c-Si PV modules show more rapid degradation if they receive the negative bias stress again, which can be explained by Na remaining in the p+ emitter.

    DOI： 10.35848/1347-4065/accb60

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/accb60/pdf

  • Potential-induced degradation of n-type front-emitter crystalline silicon photovoltaic modules — Comparison between indoor and outdoor test results

    Keisuke Ohdaira, Minoru Akitomi, Yasuo Chiba, Atsushi Masuda

    Solar Energy Materials and Solar Cells   249   112038 - 112038   2023年1月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier BV  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2022.112038

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  • Mechanistic Understanding of Polarization‐Type Potential‐Induced Degradation in Crystalline‐Silicon Photovoltaic Cell Modules

    Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Kazuhiro Marumoto, Keisuke Ohdaira

    Advanced Energy and Sustainability Research   2200167 - 2200167   2022年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley  

    DOI： 10.1002/aesr.202200167

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    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/aesr.202200167

  • Polarization-Type Potential-Induced Degradation in Front-Emitter p-Type and n-Type Crystalline Silicon Solar Cells

    Seira Yamaguchi, Sachiko Jonai, Kyotaro Nakamura, Kazuhiro Marumoto, Yoshio Ohshita, Atsushi Masuda

    ACS Omega   2022年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)  

    DOI： 10.1021/acsomega.2c03866

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  • Effects of SiN <sub> <i>x</i> </sub> refractive index and SiO <sub>2</sub> thickness on polarization‐type potential‐induced degradation in front‐emitter n‐type crystalline‐silicon photovoltaic cell modules

    Seira Yamaguchi, Kyotaro Nakamura, Taeko Semba, Keisuke Ohdaira, Kazuhiro Marumoto, Yoshio Ohshita, Atsushi Masuda

    Energy Science &amp; Engineering   10 ( 7 )   2268 - 2275   2022年3月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley  

    DOI： 10.1002/ese3.1135

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    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/ese3.1135

  • Effect of temperature and pre-annealing on the potential-induced degradation of silicon heterojunction photovoltaic modules

    Jiaming Xu, Huynh Thi Cam Tu, Atsushi MASUDA, Keisuke OHDAIRA

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SC )   SC1021 - SC1021   2021年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    <title>Abstract</title>
    We investigate the effect of temperature and pre-annealing on the potential-induced degradation (PID) of silicon heterojunction (SHJ) photovoltaic (PV) modules. SHJ PV modules show a faster decrease in short-circuit current density (Jsc) at higher temperatures during PID tests. We also observe a complex relationship between the degree of the Jsc decrease and temperature during the PID tests. Pre-annealing before the PID tests at sufficiently high temperatures leads to the complete suppression of the PID of SHJ PV modules. The decrease in Jsc is known to be due to the chemical reduction of indium (In) in transparent conductive oxide (TCO) films in SHJ cells, in which water (H2O) in SHJ modules is involved. These indicate that H2O may out-diffuse from the SHJ PV modules during a PID test or pre-annealing at sufficiently high temperatures, by which the chemical reduction of indium in TCO into metallic In is suppressed.

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac3f6e

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac3f6e/pdf

  • Potential‐Induced Degradation in High‐Efficiency n‐Type Crystalline‐Silicon Photovoltaic Modules: A Literature Review

    Seira Yamaguchi, Bas B. Van Aken, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira

    Solar RRL   5 ( 12 )   2100708 - 2100708   2021年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley  

    DOI： 10.1002/solr.202100708

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    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/solr.202100708

  • Influence of light irradiation on the charge-accumulation-type potential-induced degradation of n-type front-emitter crystalline Si photovoltaic modules

    Rongrong Zhao, Huynh Thi Cam Tu, Atsushi MASUDA, Keisuke OHDAIRA

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SB )   SB1023 - SB1023   2021年9月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    Abstract

    We investigated the influence of light irradiation on the charge-accumulation-type potential-induced degradation (PID) of n-type front-emitter (n-FE) crystalline silicon (c-Si) photovoltaic (PV) modules. A PID test under one-sun irradiation leads to faster reductions of short-circuit current–density (J<sub>sc</sub>) and open-circuit voltage (V<sub>oc</sub>) compared to the case of a PID test in the dark. This indicates that light irradiation accelerates the charge-accumulation-type PID of the n-FE PV modules. The J<sub>sc</sub> and V<sub>oc</sub> reductions become slower under irradiation without ultraviolet (UV) light, showing almost the same time dependence as the PID test in the dark. The acceleration of PID by the addition of UV light may be explained by the excitation of electrons at K<sup>0</sup> centers in silicon nitride (SiN<sub>x</sub>) and their faster drift to the surface by the electric field applied to SiN<sub>x</sub>.

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac279f

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac279f/pdf

  • Effects of passivation configuration and emitter surface doping concentration on polarization-type potential-induced degradation in n-type crystalline-silicon photovoltaic modules

    Seira Yamaguchi, Bas B. Van Aken, Maciej K. Stodolny, Jochen Löffler, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira

    Solar Energy Materials and Solar Cells   226   111074 - 111074   2021年7月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier BV  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2021.111074

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  • Influence of light illumination on the potential-induced degradation of n-type interdigitated back-contact crystalline Si photovoltaic modules

    Yuansong Xu, Atsushi MASUDA, Keisuke OHDAIRA

    Japanese Journal of Applied Physics   60 ( SB )   SBBF08 - SBBF08   2021年1月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    Abstract

    We investigate the potential-induced degradation (PID) of n-type interdigitated back-contact (IBC) crystalline Si (c-Si) photovoltaic (PV) modules under a negative bias stress and the influence of light illumination on the PID. IBC PV modules show PID characterized by a reduction in the short-circuit current density (J<sub>sc</sub>) and open-circuit voltage (V<sub>oc</sub>) under negative bias stress, while no fill factor (FF) reduction is observed. The degradation may originate from the introduction of sodium (Na) into c-Si and the resulting enhancement of carrier recombination on the surfaces of the IBC cells. Light illumination of 1 sun during the negative bias PID test results in less severe reductions of J<sub>sc</sub> and V<sub>oc</sub>. A reduction in the electric field on the surface Si nitride (SiN<sub>x</sub>) film, due to carrier generation in the SiN<sub>x</sub> and the resulting increase in its conductivity, is a possible explanation for the mitigation of the Na-related PID.

    DOI： 10.35848/1347-4065/abd9cf

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abd9cf/pdf

  • Potential-induced degradation in photovoltaic modules composed of interdigitated back contact solar cells in photovoltaic systems under actual operating conditions

    Tetsuyuki Ishii, Sungwoo Choi, Ritsuko Sato, Yasuo Chiba, Atsushi Masuda

    PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS   28 ( 12 )   1322 - 1332   2020年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pip.3329

    Web of Science

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  • Effect of a silicon nitride film on the potential-induced degradation of n-type front-emitter crystalline silicon photovoltaic modules

    Tomoyasu Suzuki, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( 10 )   104002 - 104002   2020年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abb39e

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abb39e/pdf

  • Influence of emitter position of silicon heterojunction photovoltaic solar cell modules on their potential-induced degradation behaviors 査読

    Seira Yamaguchi, Chizuko Yamamoto, Yoshio Ohshita, Keisuke Ohdaira, Atsushi Masuda

    Solar Energy Materials and Solar Cells   216   110716 - 110716   2020年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier BV  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2020.110716

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  • Influence of hygrothermal stress on potential-induced degradation for homojunction and heterojunction crystalline Si photovoltaic modules 査読

    Atsushi MASUDA, Chizuko Yamamoto, Yukiko Hara, Sachiko Jonai, Yasushi Tachibana, Takeshi Toyoda, Toshiharu Minamikawa, Seira Yamaguchi, Keisuke OHDAIRA

    Japanese Journal of Applied Physics   2020年6月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab9a8a

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ab9a8a/pdf

  • Influence of backsheet materials on potential-induced degradation in n-type crystalline-silicon photovoltaic cell modules 査読

    Seira Yamaguchi, Chizuko Yamamoto, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira

    Japanese Journal of Applied Physics   58   120901   2019年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab4fd2

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  • Effect of additives in electrode paste of p-type crystalline Si solar cells on potential-induced degradation 査読

    Sachiko Jonai, Aki Tanaka, Kazuo Muramatsu, Genki Saito, Kyotaro Nakamura, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Atsushi Masuda

    Solar Energy   188   1292 - 1297   2019年8月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.solener.2019.07.012

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  • Correction: Corrosion-induced AC impedance elevation in front electrodes of crystalline silicon photovoltaic cells within field-aged photovoltaic modules (IEEE Journal of Photovoltaics (2019) 9:3 (741-751) DOI: 10.1109/JPHOTOV.2019.2893442)

    Tadanori Tanahashi, Norihiko Sakamoto, Hajime Shibata, Atsushi Masuda

    IEEE Journal of Photovoltaics   9 ( 4 )   1154   2019年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEE Electron Devices Society  

    DOI： 10.1109/JPHOTOV.2019.2914944

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  • Corrosion under Front Electrodes of Crystalline Silicon Photovoltaic Cells Predominantly Contributes to Their Performance Degradation

    Tadanori Tanahashi, Norihiko Sakamoto, Hajime Shibata, Atsushi Masuda

    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference   2013 - 2016   2019年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/PVSC40753.2019.8980636

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  • Influence of sodium on the potential-induced degradation for n-type crystalline silicon photovoltaic modules 査読

    Keisuke Ohdaira, Yutaka Komatsu, Tomoyasu Suzuki, Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda

    Applied Physics Express   12   064004   2019年5月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/1882-0786/ab1b1a

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  • Rapid progression and subsequent saturation of polarization-type potential-induced degradation of n-type front-emitter crystalline-silicon photovoltaic modules 査読

    Seira Yamaguchi, Kyotaro Nakamura, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 12 )   122301 - 122301   2018年11月

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  • Performance degradation due to outdoor exposure and seasonal variation in amorphous silicon photovoltaic modules 査読

    Sungwoo CHOI, Tetsuyuki ISHII, Ritsuko SATO, Yasuo CHIBA, Atsushi MASUDA

    Thin Solid Films   661   116 - 121   2018年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2018.07.017

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  • Sodium distribution at the surface of silicon nitride film after potential-induced degradation test and recovery test of photovoltaic modules

    Fumitaka Ohashi, Yoshiki Mizuno, Hiroki Yoshida, Hiroya Kosuga, Taishi Furuya, Ryo Fuseya, Ruben Jerónimo Freitas, Yukiko Hara, Atsushi Masuda, Shuichi Nonomura

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 8 )   2018年8月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.08RG05

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  • Localization and characterization of a degraded site in crystalline silicon photovoltaic cells exposed to acetic acid vapor 査読

    Tadanori Tanahashi, Norihiko Sakamoto, Hajime Shibata, Atsushi Masuda

    IEEE Journal of Photovoltaics   8 ( 4 )   997 - 1004   2018年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEE Electron Devices Society  

    DOI： 10.1109/JPHOTOV.2018.2839259

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  • Multistage performance deterioration in n-type crystalline silicon photovoltaic modules undergoing potential-induced degradation 査読

    Yutaka Komatsu, Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira

    Microelectronics Reliability   84   127 - 133   2018年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier Ltd  

    DOI： 10.1016/j.microrel.2018.03.018

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  • Comprehensive study of potential-induced degradation in silicon heterojunction photovoltaic cell modules 査読

    Seira Yamaguchi, Chizuko Yamamoto, Keisuke Ohdaira, Atsushi Masuda

    Progress in Photovoltaics: Research and Applications   26   697 - 708   2018年4月

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  • Guiding principle for crystalline Si photovoltaic modules with high tolerance to acetic acid 査読

    Atsushi Masuda, Yukiko Hara

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.04FS06

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  • Durable crystalline Si photovoltaic modules based on silicone-sheet encapsulants 査読

    Kohjiro Hara, Hiroto Ohwada, Tomoyoshi Furihata, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2 )   2018年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.027101

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  • Bending cyclic load test for crystalline silicon photovoltaic modules 査読

    Soh Suzuki, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Tadanori Tanahashi

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2 )   2018年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.02CE05

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  • Annual degradation rates of recent crystalline silicon photovoltaic modules 査読

    Tetsuyuki Ishii, Atsushi Masuda

    Progress in Photovoltaics: Research and Applications   25 ( 12 )   953 - 967   2017年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：John Wiley and Sons Ltd  

    DOI： 10.1002/pip.2903

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  • Causes of Degradation Identified by the Extended Thermal Cycling Test on Commercially Available Crystalline Silicon Photovoltaic Modules 査読

    Shinji Kawai, Tadanori Tanahashi, Yutaka Fukumoto, Fujio Tamai, Atsushi Masuda, Michio Kondo

    IEEE Journal of Photovoltaics   7 ( 6 )   1511 - 1518   2017年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEE Electron Devices Society  

    DOI： 10.1109/JPHOTOV.2017.2741102

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  • Time-dependent changes in copper indium gallium (di)selenide and cadmium telluride photovoltaic modules due to outdoor exposure

    Choi Sungwoo, Sato Ritsuko, Ishii Tetsuyuki, Chiba Yasuo, Masuda Atsushi

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 ( 8 )   08MD06   2017年7月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：Institute of Physics  

    The performance of photovoltaic (PV) modules deteriorates with time due to outdoor exposure. We investigated the time-dependent changes in PV modules and evaluated the amount of power generated during their lifetime. Once a year, the exposed modules were removed and measured under standard test conditions using a solar simulator. Their outputs were measured indoors and normalized to nominal values. In addition, the relationship between the indoor measurement and the energy yield for thin-film PV modules will be reported. In CIGS PV modules, the normalized maximum power (P<inf>MAX</inf>) and performance ratio (PR) differ with the type of module. The P<inf>MAX</inf>and PR of CdTe PV modules significantly decrease after outdoor exposure for three years. These results help to determine the characteristics of the time-dependent changes in the P<inf>MAX</inf>of PV modules due to outdoor exposure.

    DOI： 10.7567/JJAP.56.08MD06

    CiNii Article

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  • Influence of surface structure of n-type single-crystalline Si solar cells on potential-induced degradation 査読

    Kohjiro Hara, Kinichi Ogawa, Yusuke Okabayashi, Hiroyuki Matsuzaki, Atsushi Masuda

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   166   132 - 139   2017年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2017.03.018

    Web of Science

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  • Potential-induced degradation of thin-film Si photovoltaic modules 査読

    Atsushi Masuda, Yukiko Hara

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 4 )   2017年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.04CS04

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  • Reduction in the short-circuit current density of silicon heterojunction photovoltaic modules subjected to potential-induced degradation tests 査読

    Seira Yamaguchi, Chizuko Yamamoto, Keisuke Ohdaira, Atsushi Masuda

    Solar Energy Materials and Solar Cells   161   439 - 443   2017年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier B.V.  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2016.12.027

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  • Effect of light irradiation and forward bias during PID tests of CIGS PV modules 査読

    Hiroshi Tomita, Kinichi Ogawa, Darshan Schmitz, Hajime Shibata, Shuuji Tokuda, Atsushi Masuda

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering   10370   2017年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：SPIE  

    DOI： 10.1117/12.2275348

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  • Microscopic aspects of potential-induced degradation phenomena and their recovery processes for p-type crystalline Si photovoltaic modules 査読

    Atsushi Masuda, Minoru Akitomi, Masanao Inoue, Keizo Okuwaki, Atsuo Okugawa, Kiyoshi Ueno, Toshiharu Yamazaki, Kohjiro Hara

    Current Applied Physics   16 ( 12 )   1659 - 1665   2016年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier B.V.  

    DOI： 10.1016/j.cap.2016.10.001

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  • Potential-induced degradation behavior of n-type single-crystalline silicon photovoltaic modules with a rear-side emitter 査読

    Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira

    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference   2016-   938 - 942   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/PVSC.2016.7749748

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  • Progression of rapid potential-induced degradation of n-type single-crystalline silicon photovoltaic modules 査読

    Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira

    Applied Physics Express   9 ( 11 )   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/APEX.9.112301

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  • Changes in the current density-voltage and external quantum efficiency characteristics of n-type single-crystalline silicon photovoltaic modules with a rear-side emitter undergoing potential-induced degradation 査読

    Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira

    Solar Energy Materials and Solar Cells   151   113 - 119   2016年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier B.V.  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2016.03.003

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  • Effects of UV on power degradation of photovoltaic modulesin combined acceleration tests 査読

    Trang Ngo, Yushi Heta, Takuya Doi, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.052301

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  • Sequential and combined acceleration tests for crystalline Si photovoltaic modules 査読

    Atsushi Masuda, Chizuko Yamamoto, Naomi Uchiyama, Kiyoshi Ueno, Toshiharu Yamazaki, Kazunari Mitsuhashi, Akihiro Tsutsumida, Jyunichi Watanabe, Jyunko Shirataki, Keiko Matsuda

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 4 )   2016年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04ES10

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  • Behavior of the potential-induced degradation of photovoltaic modules fabricated using flat mono-crystalline silicon cells with different surface orientations 査読

    Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 4 )   2016年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04ES14

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  • Consortium style study on the development of highly reliable photovoltaic modules and acceleration test methods: Management of the “consortium study on fabrication and characterization of solar cell modules with long life and high reliability” 査読

    Atsushi Masuda, Nanako Igawa

    Synthesiology   9 ( 1 )   42 - 54   2016年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Nat. Inst. of Adv. Industrial Science and Technology (AIST)  

    DOI： 10.5571/SYNTHENG.9.1_42

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  • Consortium style study on the development of highly reliable photovoltaic modules and acceleration test methods: Management of the “consortium study on fabrication and characterization of solar cell modules with long life and high reliability” 査読

    Atsushi Masuda, Nanako Igawa

    Synthesiology   9 ( 1 )   39 - 50   2016年3月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Nat. Inst. of Adv. Industrial Science and Technology (AIST)  

    DOI： 10.5571/synth.9.1_39

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  • Consideration on Na diffusion and recovery phenomena in potential-induced degradation for crystalline Si photovoltaic modules 査読

    Atsushi Masuda, Yukiko Hara, Sachiko Jonai

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 2 )   2016年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.02BF10

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  • Acceleration of degradation by highly accelerated stress test and air-included highly accelerated stress test in crystalline silicon photovoltaic modules 査読

    Soh Suzuki, Tadanori Tanahashi, Takuya Doi, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 2 )   2016年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.022302

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  • Multi angle laser light scattering evaluation of field exposed thermoplastic photovoltaic encapsulant materials 査読

    Michael D. Kempe, David C. Miller, John H. Wohlgemuth, Sarah R. Kurtz, John M. Moseley, Dylan l. Nobles, Katherine M. Stika, Yefim Brun, Sam L. Samuels, Qurat Annie Shah, Govindasamy Tamizhmani, Keiichiro Sakurai, Masanao Inoue, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Crystal E. Vanderpan

    Energy Science and Engineering   4 ( 1 )   40 - 51   2016年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：John Wiley and Sons Ltd  

    DOI： 10.1002/ese3.106

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  • Direct Evidence for pn Junction without Degradation in Crystalline Si Photovoltaic Modules under Hygrothermal Stresses 査読

    Atsushi Masuda, Chizuko Yamamoto, Tadanori Tanahashi, Hitoshi Sai, Takuya Matsui

    2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)   904 - 906   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Electrical Detection of Gap Formation underneath Finger Electrodes on c-Si PV Cells Exposed to Acetic Acid Vapor under Hygrothermal Conditions 査読

    Tadanori Tanahashi, Norihiko Sakamoto, Hajime Shibata, Atsushi Masuda

    2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)   1075 - 1079   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Proposed new damp heat test standards for commercial CIGS modules with bias application or light irradiation 査読

    Keiichiro Sakurai, Hiroshi Tomita, Kinichi Ogawa, Darshan Schmitz, Hajime Shibata, Shuuji Tokuda, Atsushi Masuda

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering   9938   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：SPIE  

    DOI： 10.1117/12.2237431

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  • Field testing of thermoplastic encapsulants in high-temperature installations 査読

    Michael D. Kempe, David C. Miller, John H. Wohlgemuth, Sarah R. Kurtz, John M. Moseley, Qurat A. Shah, Govindasamy Tamizhmani, Keiichiro Sakurai, Masanao Inoue, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Sam L. Samuels, Crystal E. Vanderpan

    Energy Science and Engineering   3 ( 6 )   565 - 580   2015年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：John Wiley and Sons Ltd  

    DOI： 10.1002/ese3.104

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  • Potential-induced degradation in photovoltaic modules based on n-type single crystalline Si solar cells 査読

    Kohjiro Hara, Sachiko Jonai, Atsushi Masuda

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   140   361 - 365   2015年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2015.04.037

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  • Acceleration of potential-induced degradation by salt-mist preconditioning in crystalline silicon photovoltaic modules 査読

    Soh Suzuki, Naoki Nishiyama, Seiji Yoshino, Takumi Ujiro, Shin Watanabe, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Tadanori Tanahashi

    Japanese Journal of Applied Physics   54 ( 8 )   2015年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.08KG08

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  • Plasma-enhanced chemical-vapor deposition of silicon nitride film for high resistance to potential-induced degradation

    Ken Mishina, Atsufumi Ogishi, Kiyoshi Ueno, Sachiko Jonai, Norihiro Ikeno, Tetsuya Saruwatari, Kohjiro Hara, Atsushi Ogura, Toshiharu Yamazaki, Takuya Doi, Makoto Shinohara, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   54 ( 8 )   2015年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.08KD12

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  • Development of a pH sensor based on a nanostructured filter adding pH-sensitive fluorescent dye for detecting acetic acid in photovoltaic modules 査読

    Takashi Asaka, Tomohiro Itayama, Hideaki Nagasaki, Kentaro Iwami, Chizuko Yamamoto, Yukiko Hara, Atsushi Masuda, Norihiro Umeda

    Japanese Journal of Applied Physics   54 ( 8 )   2015年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.08KG07

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  • Module composition for reliability test of organic photovoltaics 査読

    Hideyuki Morita, Masanori Miyashita, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   54 ( 8 )   2015年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.08KF07

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  • Relationship between cross-linking conditions of ethylene vinyl acetate and potential induced degradation for crystalline silicon photovoltaic modules 査読

    Sachiko Jonai, Kohjiro Hara, Yuji Tsutsui, Hidenari Nakahama, Atsushi Masuda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 8 )   2015年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.08KG01

    Web of Science

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  • An examination of the acceleration method of damp heat test for c-Si PV modules 査読

    Soh Suzuki, Tadanori Tanahashi, Takuya Doi, Atsushi Masuda

    Journal of Japan Institute of Electronics Packaging   18 ( 4 )   226 - 234   2015年7月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Institute of Electronics Packaging  

    DOI： 10.5104/jiep.18.226

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  • Potential-induced degradation of Cu(In,Ga)Se2 photovoltaic modules 査読

    Seira Yamaguchi, Sachiko Jonai, Kohjiro Hara, Hironori Komaki, Yukiko Shimizu-Kamikawa, Hajime Shibata, Shigeru Niki, Yuji Kawakami, Atsushi Masuda

    Jpn. J. Appl. Phys   54   2015年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Degradation by acetic acid for crystalline Si photovoltaic modules 査読

    Atsushi Masuda, Naomi Uchiyama, Yukiko Hara

    Japanese Journal of Applied Physics   54 ( 4 )   2015年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.04DR04

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  • Effects of light illumination during damp/dry heat tests on a flexible thin film photovoltaic module 査読

    Keiichiro Sakurai, Akihiro Takano, Masayoshi Takani, Atsushi Masuda

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering   9563   2015年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：SPIE  

    DOI： 10.1117/12.2187891

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  • Crystalline Si photovoltaic modules functionalized by a thin polyethylene film against potential and damp-heat-induced degradation 査読

    Kohjiro Hara, Sachiko Jonai, Atsushi Masuda

    RSC Advances   5 ( 20 )   15017 - 15023   2015年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Royal Society of Chemistry  

    DOI： 10.1039/c4ra13360a

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  • Novel lighter weight crystalline silicon photovoltaic module using acrylic-film as a cover sheet 査読

    Taira Kajisa, Haruko Miyauchi, Kazumi Mizuhara, Kentaro Hayashi, Tooru Tokimitsu, Masanao Inoue, Kohjiro Hara, Atsushi Masuda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 9 )   2014年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.53.092302

    Web of Science

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  • Investigation on antireflection coating for high resistance to potential-induced degradation 査読

    Ken Mishina, Atsufumi Ogishi, Kiyoshi Ueno, Takuya Doi, Kohjiro Hara, Norihiro Ikeno, Daisuke Imai, Tetsuya Saruwatari, Makoto Shinohara, Toshiharu Yamazaki, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Atsushi Masuda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 3 )   2014年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.53.03CE01

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  • Estimating the manufacturing cost to large-scale power generate polymer based organic photovoltaics 査読

    Hiroyuki Ogo, Masaru Nagai, Jiro Tsukahara, Masaki Konishi, Atsushi Masuda, Yuji Yoshida

    Nihon Enerugi Gakkaishi/Journal of the Japan Institute of Energy   93 ( 3 )   271 - 277   2014年

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Institute of Energy  

    DOI： 10.3775/jie.93.271

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  • Detection of acid moisture in photovoltaic modules using a dual wavelength pH-sensitive fluorescent dye 査読

    Takashi Asaka, Kentaro Iwami, Atsushi Taguchi, Norihiro Umeda, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   53 ( 4 )   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.53.04ER18

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  • Crystalline Si photovoltaic modules based on TiO2-coated cover glass against potential-induced degradation 査読

    Kohjiro Hara, Hiromichi Ichinose, Takurou N. Murakami, Atsushi Masuda

    RSC ADVANCES   4 ( 83 )   44291 - 44295   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1039/c4ra06791f

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  • Microscopic degradation mechanisms in silicon photovoltaic module under long-term environmental exposure 査読

    Keiko Matsuda, Takeshi Watanabe, Koichi Sakaguchi, Masanobu Yoshikawa, Takuya Doi, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 10 )   2012年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.10NF07

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  • Early failure detection of interconnection with rapid thermal cycling in photovoltaic modules 査読

    Yuichi Aoki, Manabu Okamoto, Atsushi Masuda, Takuya Doi, Tadanori Tanahashi

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 10 )   2012年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.10NF13

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  • Failure assessments for outside-exposed photovoltaic modules 査読

    Shigenori Shimizu, Takashi Arai, Tomohiko Sagawa, Yuichi Aoki, Takumi Hirakawa, Hiroshi Hiraike, Shiro Hamamoto, Sadao Sakamoto, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Masaaki Yamamichi

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 10 )   2012年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.10NF04

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  • Measuring method of moisture ingress into photovoltaic modules 査読

    Masanori Miyashita, Shinji Kawai, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 10 )   2012年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.10NF12

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  • A field evaluation of the potential for creep in thermoplastic encapsulant materials 査読

    Michael D. Kempe, David C. Miller, John H. Wohlgemuth, Sarah R. Kurtz, John M. Moseley, Qurat Shah, Govindasamy Tamizhmani, Keiichiro Sakurai, Masanao Inoue, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Sam L. Samuels, Crystal E. Vanderpan

    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference   1871 - 1876   2012年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2012.6317958

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  • Recent situation and future prospects of photovoltaic industries and technologies 査読

    Atsushi Masuda

    Journal of the Vacuum Society of Japan   55 ( 12 )   520 - 528   2012年

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.3131/jvsj2.55.520

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  • 太陽光発電の現状と将来展望

    増田 淳

    日本ゴム協會誌   84 ( 5 )   153 - 160   2011年5月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：THE SOCIRETY OF RUBBER SCIENCE AND TECHNOLOGYY, JAPAN  

    Although photovoltaic industry rapidly grows, cost reduction is the most important issue for spread of photovoltaics. Various technical issues for crystalline or thin-film Si solar cells and modules will be discussed in detail. Those for compound thin-film such as Cu-In-Ga-Se (CIGS), dye-sensitized and organic thin-film solar cells will be also introduced. Reduction for Si use is key technology for cost reduction of crystalline Si solar cells. Various methods are developed for improved properties of thinner wafer crystalline Si solar cells. Large-area and high rate deposition of microcrystalline Si films are key technology for multi-junction thin-film Si solar cells. Various polymer materials are used in module-formation processes and those polymer materials determine the reliability of modules. New type solar cells such as CIGS, dye-sensitized and organic thin-film ones are of course necessary for dramatic cost reduction of photovoltaics.

    DOI： 10.2324/gomu.84.153

    CiNii Article

    CiNii Books

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    その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00369845809?from=CiNii

  • フレキシブル太陽電池の高性能化技術開発 ― 「フレキシブル太陽電池基材コンソーシアム」の運営と成果 ―:— 「フレキシブル太陽電池基材コンソーシアム」の運営と成果 —

    増田 淳

    Synthesiology   4 ( 4 )   193 - 199   2011年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology  

    フレキシブル太陽電池開発に必要な要素技術課題を明らかにし、課題解決のための産学官からなるコンソーシアム体制を構築した。フレキシブル薄膜シリコン太陽電池の高効率化に必須のポリマー基材への凹凸形成技術を開発し、ガラス基板上と同等の性能をもつ薄膜シリコン太陽電池をポリマー基材上に作製することに成功した。現在は、コンソーシアム研究の段階から企業内での実用化研究の段階に移行している。当該コンソーシアムの設立過程、運営方針、特許戦略さらには若手人材育成の考え方について概説する。

    DOI： 10.5571/synth.4.193

    CiNii Article

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    その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00383632997?from=CiNii

  • Investigation on the crystal growth process of spherical Si single crystals by melting 査読

    Zhengxin Liu, Atsushi Masuda, Michio Kondo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 ( 16 )   4116 - 4122   2009年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2009.06.042

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  • Study on silicon-slicing technique using plasma-etching processing 査読

    Mitsutaka Yamaguchi, Yoshinori Abe, Atsushi Masuda, Michio Kondo

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   93 ( 6-7 )   789 - 791   2009年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2008.09.052

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  • Selective machining of organic thin film photovoltaic cell by a ultra-short pulse laser 査読

    Yoshiro Ito, Daisuke Miyata, Rie Tanabe, Masahiro Ichihara, Yoshiko Abe, Eiichi Matsumoto, Tetsuya Taima, Yuji Yoshida, Atsushi Masuda

    CLEO/Europe - EQEC 2009 - European Conference on Lasers and Electro-Optics and the European Quantum Electronics Conference   2009年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/CLEOE-EQEC.2009.5191748

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  • Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Silicon Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique 査読

    Takuya Yorimoto, Seiichiro Higashi, Hirotaka Kaku, Tatsuya Okada, Hideki Murakami, Seiichi Miyazaki, Takuya Matsui, Atsushi Masuda, Michio Kondo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 8 )   6949 - 6952   2008年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.47.6949

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  • Investigating minority-carrier lifetime in small spherical Si using microwave photoconductance decay 査読

    Zhengxin Liu, Atsushi Masuda, Michio Kondo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   103 ( 10 )   2008年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.2936979

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  • Coverage properties of SiNx films prepared by catalytic chemical vapor deposition on trenched substrates below 80 C 査読

    A. Heya, T. Minamikawa, T. Niki, S. Minami, A. Masuda, H. Umemoto, N. Matsuo, H. Matsumura

    Thin Solid Films   516 ( 10 )   3000 - 3004   2008年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2007.11.001

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  • Improvement of the uniformity in electronic properties of AZO films using an rf magnetron sputtering with a mesh grid electrode 査読

    Kanji Yasui, Akira Asano, Miku Otsuji, Hironori Katagiri, Atsushi Masuda, Hiroshi Nishiyama, Yasunobu Inoue, Masasuke Takata, Tadashi Akahane

    Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology   148 ( 1-3 )   26 - 29   2008年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.mseb.2007.09.016

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  • Epitaxial growth of SiC on silicon on insulator substrates with ultrathin top Si layer by hot-mesh chemical vapor deposition 査読

    Hitoshi Miura, Kanji Yasui, Kazuki Abe, Atsushi Masuda, Yuichiro Kuroki, Hiroshi Nishiyama, Masasuke Takata, Yasunobu Indue, Tadashi Akahane

    Japanese Journal of Applied Physics   47 ( 1 )   569 - 572   2008年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.47.569

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  • Cat-CVD SiN passivation films for OLEDs and packaging 査読

    Akira Heya, Toshiharu Minamikawa, Toshikazu Niki, Shigehira Minami, Atsushi Masuda, Hironobu Umemoto, Naoto Matsuo, Hideki Matsumura

    Thin Solid Films   516 ( 5 )   553 - 557   2008年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2007.06.220

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  • Estimation of moisture barrier ability of thin SiNx single layer on polymer substrates prepared by Cat-CVD method 査読

    K. Saitoh, R. S. Kumar, S. Chua, A. Masuda, H. Matsumura

    THIN SOLID FILMS   516 ( 5 )   607 - 610   2008年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2007.06.215

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  • Properties of Surface-Modification Layer Generated by Atomic Hydrogen Annealing on Poly(ethylene naphthalate) Substrate 査読

    A. Heya, T. Minamikawa, T. Niki, S. Minami, A. Masuda, H. Umemoto, N. Matsuo, H. Matsumura

    Jpn. J. Appl. Phys.   47   266 - 268   2008年

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    記述言語：英語  

    DOI： 10.1143/JJAP.47.266

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  • A concentrator module of spherical Si solar cell 査読

    Zhengxin Liu, Atsushi Masuda, Takehiko Nagai, Takashi Miyazaki, Miwako Takano, Masahiro Takano, Haruyuki Yoshigahara, Kazutoshi Sakai, Koichi Asai, Michio Kondo

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   91 ( 19 )   1805 - 1810   2007年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2007.06.008

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  • Improvement of the production yield of spherical si by optimization of the seeding technique in the dropping method 査読

    Zhengxin Liu, Koichi Asai, Atsushi Masuda, Takehiko Nagai, Yoshihiro Akashi, Mikio Murozono, Michio Kondo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   46 ( 9A )   5695 - 5700   2007年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.46.5695

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  • Seeding method with silicon powder for the formation of silicon spheres in the drop method 査読

    Zhengxin Liu, Takehiko Nagai, Atsushi Masuda, Michio Kondo, Kazutoshi Sakai, Koichi Asai

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   101 ( 9 )   2007年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.2718872

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  • Characterization of spherical Si by photoluminescence measurement 査読

    Takehiko Nagai, Zhengxin Liu, Atsushi Masuda, Michio Kondo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   101 ( 10 )   5   2007年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.2736944

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  • Defect reduction in polycrystalline silicon thin films by heat treatment with high-pressure H2O vapor 査読

    Toshiyuki Sameshima, Hiromi Hayasaka, Masato Maki, Atsushi Masuda, Takuya Matsui, Michio Kondo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   46 ( 3B )   1286 - 1289   2007年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.46.1286

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  • Systematic study on photoresist removal using hydrogen atoms generated on heated catalyzer 査読

    Kouhei Hashimoto, Atsushi Masuda, Hideki Matsumura, Tomoatsu Ishibashi, Kazuhisa Takao

    Thin Solid Films   501 ( 1-2 )   326 - 328   2006年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.287

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  • High-rate deposition of SiNx films over 100 nm/min by Cat-CVD method at low temperatures below 80 ℃ 査読

    T. Osono, A. Heya, T. Niki, T. Minamikawa, S. Muroi, A. Masuda, H. Umemoto, H. Matsumura

    Thin Solid Films   501 ( 1-2 )   55 - 57   2006年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.11.056

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  • Formation of highly moisture-resistive SiNx films on Si substrate by Cat-CVD at room temperature 査読

    Toshiharu Minamikawa, Akira Heya, Toshikazu Niki, Masahiro Takano, Yasuto Yonezawa, Susumu Muroi, Shigehira Minami, Atsushi Masuda, Hironobu Umemoto, Hideki Matsumura

    Thin Solid Films   501 ( 1-2 )   154 - 156   2006年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.173

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  • Grain enlargement of polycrystalline silicon by multipulse excimer laser annealing: Role of hydrogen 査読

    Naoya Kawamoto, Atsushi Masuda, Naoto Matsuo, Yasuhiro Seri, Toshimasa Nishimori, Yoshitaka Kitamon, Hideki Matsumura, Hiroki Hamada, Tadaki Miyoshi

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers   45 ( 4 A )   2726 - 2730   2006年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.45.2726

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  • Preparation of SiNx gate-insulating films for bottom-gate type TFTs by Cat-CVD method 査読

    Y Seri, A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   501 ( 1-2 )   307 - 309   2006年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.302

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  • Present status and future feasibility for industrial implementation of Cat-CVD (Hot-Wire CVD) technology 査読

    H Matsumura, A Masuda, H Untemoto

    THIN SOLID FILMS   501 ( 1-2 )   58 - 60   2006年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.288

    Web of Science

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  • Various applications of silicon nitride by catalytic chemical vapor deposition for coating, passivation and insulating films 査読

    A Masuda, H Umemoto, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   501 ( 1-2 )   149 - 153   2006年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.172

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  • H-2 dilution effect in the Cat-CVD processes of the SiH4/NH3 system 査読

    SG Ansari, H Umemoto, T Morimoto, K Yoneyama, A Izumi, A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   501 ( 1-2 )   31 - 34   2006年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.098

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  • Relation between pin a-Si : H solar-cell perfon-nances and intrinsic-layer properties prepared by Cat-CVD 査読

    T Kitamura, K Honda, M Nishimura, K Sugita, K Takemoto, Y Yamaguchi, Y Toyama, T Yamamoto, S Miyazaki, M Eguchi, T Harano, T Sugano, N Yoshida, A Masuda, T Itoh, T Toyama, S Nonomura, H Okamoto, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   501 ( 1-2 )   264 - 267   2006年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.251

    Web of Science

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  • Improvement of crystallinity and solar cell efficiency of spherical silicon by seeding crystallization techniques 査読

    Zhengxin Liu, Atsushi Masuda, Kazutoshi Sakai, Koichi Asai, Michio Kondo

    CONFERENCE RECORD OF THE 2006 IEEE 4TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION, VOLS 1 AND 2   1238 - 1241   2006年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Air-stable n-type carbon nanotube field-effect transistors with Si 3N4 passivation films fabricated by catalytic chemical vapor deposition 査読

    Daisuke Kaminishi, Hirokazu Ozaki, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue, Kazuhiko Matsumoto, Yasuhiro Seri, Atsushi Masuda, Hideki Matsumura

    Applied Physics Letters   86 ( 11 )   1 - 3   2005年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.1886898

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  • Cat-CVD 法によるガスバリア膜の低温形成

    増田 淳, 仁木 敏一, 部家 彰, 南川 俊治, 梅本 宏信, 松村 英樹

    セラミックス   40 ( 2 )   82 - 87   2005年2月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：日本セラミックス協会  

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  • Quantification of gas-phase H-atom number density by tungsten phosphate glass 査読

    T Morimoto, H Umemoto, K Yoneyama, A Masuda, H Matsumura, K Ishibashi, H Tawarayama, H Kawazoe

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 1B )   732 - 735   2005年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.44.732

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  • Contamination removal from EUV multilayer using atomic hydrogen generated by heated catalyzer 査読

    H. Oizumi, H. Yamanashi, I. Nishiyama, K. Hashimoto, S. Ohsono, A. Masuda, A. Izumi, H. Matsumura

    Progress in Biomedical Optics and Imaging - Proceedings of SPIE   5751 ( II )   1147 - 1154   2005年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1117/12.601136

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  • Effect of atomic hydrogen on preparation of highly moisture-resistive SiNx films at low substrate temperatures 査読

    Akira Heya, Toshikazu Niki, Masahiro Takano, Yasuto Yonezawa, Toshiharu Minamikawa, Susumu Muroi, Shigehira Minami, Akira Izumi, Atsushi Masuda, Hironobu Umemoto, Hideki Matsumura

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters   43 ( 12 A )   L1546 - L1548   2004年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.43.L1546

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  • Highly moisture-resistive SiNx films prepared by catalytic chemical vapor deposition 査読

    Akira Heya, Toshikazu Niki, Yasuto Yonezawa, Toshiharu Minamikawa, Susumu Muroi, Akira Izumi, Atsushi Masuda, Hironobu Umemoto, Hideki Matsumura

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters   43 ( 10 B )   L1362 - L1364   2004年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.43.L1362

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  • Correlation between O/Er content ratio and photoluminescence intensity of (Er, O)-doped hydrogenated amorphous Si thin films prepared by a catalytic chemical vapor deposition/laser ablation hybrid process 査読

    Joe Sakai, Atsushi Masuda, Haruo Akiyama, Osamu Eryu, Kenshiro Nakashima, Hideki Matsumura

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers   43 ( 7 A )   4198 - 4201   2004年7月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.43.4198

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  • Study on change in SIMS intensities near the interface between silicon-nitride film and silicon substrate 査読

    Takahiro Hasegawa, Tomotsugu Date, Akiya Karen, Atsushi Masuda

    Applied Surface Science   231-232   725 - 728   2004年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2004.03.032

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  • Catalytic decomposition of HCN on heated W surfaces to produce CN radicals 査読

    H Umemoto, T Morimoto, M Yamawaki, Y Masuda, A Masuda, H Matsumura

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   338   65 - 69   2004年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.jnoncrysol.2004.02.023

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  • Highly moisture-resistive silicon nitride films prepared by catalytic chemical vapor deposition and application to gallium arsenide field-effect transistors 査読

    A Masuda, M Totsuka, T Oku, R Hattori, H Matsumura

    VACUUM   74 ( 3-4 )   525 - 529   2004年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.vacuum.2004.01.023

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  • Cat-CVD (hot-wire CVD): how different from PECVD in preparing amorphous silicon 査読

    H Matsumura, H Umemoto, A Masuda

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   338   19 - 26   2004年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.jnoncrysol.2004.02.014

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  • Preparation of wide gap and low resistive hetero-structured SiCx films as wide gap window of solar cells 査読

    T Itoh, Y Hasegawa, T Fujiwara, A Masuda, S Nonomura

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   338   123 - 126   2004年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.jnoncrysol.2004.02.035

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  • Nitridation of ultrathin SiO2 layers in metal-ferroelectric- insulator-semiconductor structures 査読

    Masakazu Hirakawa, Gen Hirooka, Minoru Noda, Masanori Okuyama, Kazuhiro Honda, Atsushi Masuda, Hideki Matsumura

    Integrated Ferroelectrics   68   29 - 36   2004年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1080/10584580490895572

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  • Effect of H2 dilution in the catalytic CVD processes of SiH4/NH3 system 査読

    Takashi Morimoto, Shafeeque A.A.G. Ansari, Koji Yoneyama, Hironobu Umemoto, Atsushi Masuda, Hideki Matsumura

    IMFEDK 2004 - International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai   97 - 98   2004年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/IMFEDK.2004.1566426

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  • Cat-CVD法により形成したSiNx膜の応力制御(S05-3 薄膜の強度物性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)

    高野 昌宏, 部家 彰, 仁木 敏一, 米澤 保人, 南川 俊治, 室井 進, 増田 淳, 梅本 宏信, 松村 英樹

    年次大会講演論文集   2004   387 - 388   2004年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本機械学会  

    Silicon nitride (SiN_x) films were deposited on Si substrates at 80℃ by using a catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) technique to investigate the optimal deposition condition. SiH_4 flow rate was varied from 6 to 18 sccm. It is shown that the stress, Young's modulus, fracture toughness and film composition strongly depend on SiH_4 flow rate. These changes of film properties are related to the gases desorption from growing surface. The amount of the gases desorption reaction depends on deposition rate, that is, the rate of the Si-H insertion reaction. The desorption of hydrogen and ammonia gases from growing surface causes the shrinkage of the film surface, which generates tensile stress. Also, SiN_x films with high hydrogen contents show low stress, low Young's modulus and high fracture toughness.

    DOI： 10.1299/jsmemecjo.2004.1.0_387

    CiNii Article

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  • Radical species formed by the catalytic decomposition of NH3 on heated W surfaces 査読

    H Umemoto, K Ohara, D Morita, T Morimoto, M Yamawaki, A Masuda, H Matsumura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 8 )   5315 - 5321   2003年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.42.5315

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  • Catalytic Chemical Vapor Deposition: Recent Development and Future Prospects 査読

    Atsushi Masuda, Akira Izumi, Hironobu Umemoto, Hideki Matsumura

    Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   46 ( 2 )   92 - 97   2003年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.3131/jvsj.46.92

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  • Preferential In-N bond formation in InGaAsN layers 査読

    M Uchida, A Masuda, A Yamamoto, A Hashimoto

    5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS   0 ( 7 )   2745 - 2748   2003年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1002/pssc.200303314

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  • Preferential In-N bond formation in InGaAsN layers 査読

    M. Uchida, A. Masuda, A. Yamamoto, A. Hashimoto

    Physica Status Solidi C: Conferences   ( 7 )   2745 - 2748   2003年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1002/pssc.200303314

    Scopus

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  • Optical properties of RF-MBE grown AlGaAsN 査読

    K. Yamamoto, M. Uchida, A. Yamamoto, A. Masuda, A. Hashimoto

    Physica Status Solidi (B) Basic Research   234 ( 3 )   915 - 918   2002年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1002/1521-3951(200212)234:3<915::AID-PSSB915>3.0.CO;2-8

    Scopus

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  • Oxidation process in pulsed laser ablation of Si with various ambients 査読

    A Masuda, S Usui, Y Yamanaka, Y Yonezawa, T Minamikawa, M Suzuki, A Morimoto, M Kumeda, T Shimizu

    THIN SOLID FILMS   416 ( 1-2 )   106 - 113   2002年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Recent progress in industrial applications of Cat-CVD (hot-wire CVD) 査読

    A Masuda, A Izumi, H Umemoto, H Matsumura

    AMORPHOUS AND HETEROGENEOUS SILICON-BASED FILMS-2002   715   111 - 122   2002年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Cat-CVD as a new fabrication technology of semiconductor devices 査読

    H Matsumura, A Izumi, A Masuda

    COMMAD 2002 PROCEEDINGS   323 - 328   2002年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Preparation of Amorphous Silicon Films and Device Application by Catalytic Chemical Vapor Deposition Method 査読

    Atsushi Masuda, Hideki Matsumura

    Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   45 ( 10 )   727 - 732   2002年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.3131/jvsj.45.727

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  • RF-MBE growth and Raman scattering characterization of lattice-matched GaInNAs on GaAs(001) substrates 査読

    A Hashimoto, T Furuhata, T Kitano, AK Nguyen, A Masuda, A Yamamoto

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   227   532 - 535   2001年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • An indium surfactant effect in cubic GaN Rf-MBE growth 査読

    Y Nishio, H Mori, A Masuda, A Yamamoto, A Hashimoto

    PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS   1   178 - 181   2000年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Effects of active ammonia gas cracked in catalytic-CVD on PZT ferroelectric capacitors 査読

    T Minamikawa, Y Yonezawa, Y Fujimori, T Nakamura, A Masuda, H Matsumura

    FERROELECTRIC THIN FILMS VIII   596   271 - 275   2000年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Cat-CVD process and its application to preparation of Si-based thin films 査読

    H Matsumura, A Masuda, A Izumi

    AMORPHOUS AND HETEROGENEOUS SILICON THIN FILMS: FUNDAMENTALS TO DEVICES-1999   557   67 - 78   1999年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Structural studies on hydrogenated amorphous germanium-carbon films prepared by RF sputtering 査読

    M Kumeda, A Masuda, T Shimizu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   37 ( 4A )   1754 - 1759   1998年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Low-temperature nitridation of Si surface using gas-decomposition reaction in cat-CVD method 査読

    A Izumi, A Masuda, H Matsumura

    PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THIN FILM MATERIALS, PROCESSES, RELIABILITY, AND APPLICATIONS: THIN FILM PROCESSES   97 ( 30 )   277 - 282   1998年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Novel surface cleaning of GaAs and formation of high quality SiNx films by cat-CVD method 査読

    A Izumi, A Masuda, S Okada, H Matsumura

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 1996   ( 155 )   343 - 346   1997年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • X-ray photoelectron spectroscopy of GaN layer formed on GaAs by NH3-plasma nitridation and successive excimer-laser irradiation 査読

    A Masuda, Y Yonezawa, A Morimoto, T Shimizu

    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 1995   142   1039 - 1042   1996年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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書籍等出版物

  • Recent progress in industrial applications of Cat-CVD (hot-wire CVD)

    Amorphous and Heterogeneous Silicon-Based Films -2001, Materials Research Society Symposium Proceedings  2002年 

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  • Properties of large grain-size poly-Si films by catalytic chemical sputtering

    Amorphous and Heterogeneous Silicon-Based Films -2001, Materials Research Society Symposium Proceedings  2001年 

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  • Low temperature formation of passivation layers for compound semiconductors by catalytic CVD technique

    Proceedings of 8th International Symposium on the Passivity of Metals and Semiconductors  2001年 

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  • 200 ℃ preparation of SiNx passivation films for PZT ferroelectric capacitors by catalytic CVD

    Ferroelectric Thin Films (]G0009[), Materials Research Society Symposium Proceedings  2001年 

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  • An indium surfactant effect in cubic GaN vf-MBE growth

    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conference Series  2000年 

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  • Raman scattering characterization of annealed GaN<sub>x</sub> As<sub>1-x</sub> layers

    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conference Series  2000年 

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  • Effects of active ammonia gas cracked in catalytic-CVD on PZT ferroelectivic capacitors

    Ferroelectric Thin Films (]G0008[), Matevials Research Society Symposium Proceedings  2000年 

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  • Gas-phase and surface reactions of decomposed species in catalytic CVD

    Amorphous and Heterogeneous Silicon Thin Films-2000, Materials Research Society Symposium Proceedings  2000年 

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  • Drastic revolution in catalytic CVD using"catalytic plate"instead of "hot wire"

    Amorphous and Heterogeneous Silicon Thin Films-2000, Materials Research Society Symposium Proceedings  2000年 

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  • Cat-CVD process and its application to preparation of Si-based thin films

    Amorphous and Heterogeneous Silicon Thin Films : Fundamentals to Devices-1999, Materials Research Society Symposium Proceedings  1999年 

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  • Low temperature nitridation of Si surface using gas-decomposition reaction in cat-CVD method

    Proceedings of the International Symposium on Thin Film Materials, Precesses, Reliability, and Applications(The Electrochemical Society, Inc. , Pennington)  1998年 

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  • Novel surface cleaning of GaAs and formation of high quality SiNx films by cat-CVD method

    Institute of Physics Conference Series(Institute of Physics Publishing, Bristol)  1997年 

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  • X-ray photoelectron spectroscopy of GaN layer formed on GaAs by NH<sub>3</sub>-plasma nitridation and successive excimer-laser irradiation

    Institute of Physics Conference Series(Institute of Physics Publishing, Bristol)  1996年 

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MISC

  • Lamination-interface-dependent deacetylation of ethylene vinyl acetate encapsulant in crystalline Si photovoltaic modules evaluated by positron annihilation lifetime spectroscopy

    Hideaki Hagihara, Hiroaki Sato, Yukiko Hara, Sachiko Jonai, Atsushi Masuda

    Japanese Journal of Applied Physics   57   2018年8月

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  • Potential-induced degradation of photovoltaic modules composed of interdigitated back contact solar cells observed in an actual photovoltaic system

    Tetsuyuki Ishii, Ritsuko Sato, Sungwoo Choi, Yasuo Chiba, Atsushi Masuda

    Proceedings of the 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition   1414 - 1417   2017年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.4229/EUPVSEC20172017-5CO.6.3

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  • Degradation of encapsulants for photovoltaic modules made of ethylene vinyl acetate studied by positron annihilation lifetime spectroscopy

    Hideaki Hagihara, Masao Kunioka, Hiroyuki Suda, Yukiko Hara, Atsushi Masuda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 10 )   2016年10月

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  • Annual degradation rates of bulk crystalline silicon PV modules estimated from indoor and outdoor measurements

    Tetsuyuki Ishii, Atsushi Masuda, Yoshihiro Hishikawa

    Proceedings of the 31st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition   2571 - 2574   2015年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）  

    DOI： 10.4229/EUPVSEC20152015-5CV.2.38

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  • CuIn<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>Se<sub>2</sub>太陽電池モジュールにおけるPID現象

    山口世力, 山口世力, 原浩二郎, 小牧弘典, 上川由紀子, 柴田肇, 仁木栄, 川上雄士, 増田淳

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   2014年

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  • CS-3-2 太陽光発電の市場・技術動向と将来展望(CS-3.環境と光技術,シンポジウムセッション)

    増田 淳

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2009 ( 2 )   "S - 3"-"S-4"   2009年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • フレキシブル薄膜太陽電池

    増田 淳

    應用物理   77 ( 10 )   1213 - 1219   2008年10月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：応用物理学会  

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  • 新型太陽電池

    増田 淳

    セラミックス   43 ( 1 )   62 - 67   2008年1月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：日本セラミックス協会  

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  • Mass-spectrometric studies of catalytic chemical vapor deposition processes of organic silicon compounds containing nitrogen

    T Morimoto, SG Ansari, K Yoneyama, T Nakajima, A Masuda, H Matsumura, M Nakamura, H Umemoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 ( 2A )   961 - 966   2006年2月

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  • Cat-CVD法による窒化シリコン薄膜の低温堆積 -気相診断と膜質評価-

    梅本 宏信, 増田 淳, 松村 英樹, 南川 俊治, 部家 彰, 高野 昌宏, 米澤 保人, 仁木 敏一, 室井 進, 南 茂平

    材料   55 ( 2 )   142 - 147   2006年2月

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  • 低温触媒CVD装置の開発―有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成―

    部家彰, 高野昌宏, 米沢保人, 南川俊治, 仁木敏一, 室井進, 南茂平, 大薗哲郎, 増田淳, 梅本宏信, 松村英樹

    石川県工業試験場研究報告   ( 54 )   17 - 22   2005年12月

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    記述言語：日本語  

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  • Technique for the production, preservation, and transportation of H atoms in metal chambers for processings

    SG Ansari, H Umemoto, T Morimoto, K Yoneyama, A Masuda, H Matsumura, M Ikemoto, K Ishibashi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   23 ( 6 )   1728 - 1731   2005年11月

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  • CS-5-7 Cat-CVD法により作製した窒化シリコン膜の特性とデバイス応用(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)

    増田 淳, 梅本 宏信, 松村 英樹

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2005 ( 2 )   "S - 13"-"S-14"   2005年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • ELと光学技術 Cat‐CVD法による水蒸気バリア薄膜の低温形成

    南川俊治, 部家彰, 高野昌宏, 米沢保人, 仁木敏一, 南茂平, 増田淳, 梅本宏信, 松村英樹

    光技術コンタクト   43 ( 6 )   328 - 333   2005年6月

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    記述言語：日本語  

    J-GLOBAL

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  • Preparation of low-stress SiNx films by catalytic chemical vapor deposition at low temperatures

    M Takano, T Niki, A Heya, T Osono, Y Yonezawa, T Minamikawa, S Muroi, S Minami, A Masuda, H Umemoto, H Matsumura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 6A )   4098 - 4102   2005年6月

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  • Improvement of deposition rate by sandblasting of tungsten wire in catalytic chemical vapor deposition

    A Heya, T Niki, M Takano, Y Doguchi, Y Yonezawa, T Minamikawa, S Muroi, S Minami, A Izumi, A Masuda, H Umemoto, H Matsumura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 4A )   1943 - 1944   2005年4月

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  • Moisture-resistive properties of SiNx films prepared by catalytic chemical vapor deposition below 100 degrees C for flexible organic light-emitting diode displays

    A Heya, T Niki, M Takano, Y Yonezawa, T Minamikawa, S Muroi, S Minami, T Ikari, A Izumi, A Masuda, H Umemoto, H Matsumura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 4A )   1923 - 1927   2005年4月

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  • Cat-CVD法の包装用ガスバリアフィルム製造工程への適用 (特集 マーケット創出の成否を決する次世代パッケージング) -- (未来のマーケットを支える技術と商品開発)

    増田 淳, 梅本 宏信, 松村 英樹

    パックピア   49 ( 1 )   34 - 39   2005年1月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：日報アイ・ビー  

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  • 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 -低温触媒CVD装置の開発-

    電子情報通信学会技術研究報告   105 ( 434 )   7 - 12   2005年

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  • ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係

    河本 直哉, 増田 淳, 松尾 直人, 瀬里 泰洋, 松村 英樹, 浜田 弘喜, 三好 正毅

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   104 ( 510 )   47 - 51   2004年12月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    エキシマレーザアニール(ELA, excimer laser annealing,)の間に溶融Si中に取り込まれた水素の役割を多結晶S_1薄膜のグレインの大粒径化の観点から調査した。我々は触媒化学気相蒸着(Cat-CVD, catalytic chemical vapor deposition)法によりS_1N薄膜の水素濃度を制御したa-S_1/S_1N/glass構造の基板を作製することに成功した。粒径は水素濃度が減少することにより増加し、SiN膜の水素濃度を2.3at.%にすることで部分的に2μmを超えた。また結晶粒界の欠陥と水素の関係についても言及する。

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  • 加熱触媒体により発生させた水素原子によるプラズマレス・レジスト剥離技術

    増田 淳, 橋本 康平, 高尾 和久, 石橋 知淳, 松村 英樹

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   104 ( 425 )   39 - 43   2004年11月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    加熱触媒体上で発生させた高密度水素原子を用いたプラズマレス・レジスト剥離技術について紹介する。従来からの酸素を用いたプラズマアッシングによるレジスト剥離技術に比べて、本技術はプラズマ損傷がなく、レジストの下地の酸化も生じないことに利点を有するが、レジスト剥離速度が遅いことが課題となつでいた。このたび、水素ガス流量、水素ガス圧、触媒体温度、ウエハステージ温度、触媒体-ウエハ間距離などを最適化することにより、実用化も視野に入れ得る1μm/minを超える剥離速度を実現できた。また、ウエハ上において、触媒体材料であるタングステン濃度を評価したところ、10^<10>cm^<-2>台前半であり、実用化に際して障害とならないことを確認した。

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  • Cat-CVD 法で作製したSiN_x膜のGaAsトランジスタ保護膜への応用

    増田 淳, 戸塚 正裕, 奥 友希, 服部 亮, 松村 英樹

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   104 ( 111 )   11 - 16   2004年6月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    触媒化学気相成長(Cat-CVD)法により作製されたSiN_x膜は,基板温度300℃以下での低温製膜においても膜中水素量が少なく厳密性に優れ,膜応力も小さく半導体デバイスのみならず各種部材の保護膜として最適である.とりわけ,GaAsなどのプラズマ損傷を被りやすい化合物半導体デバイスの保護膜形成工程は,Cat-CVD法においてプラズマを使用しないことも,荷電粒子による損傷を回避できる点から大きな長所となりうる.本稿では,Cat-CVD法で作製したSiN_x膜の特性について述べた後,GaAs系セルフアラインゲート電界効果トランジスタ(SAGFET)ならびに高移動度トランジスタ(HEMT)の保護膜への適用事例について紹介する.

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  • 研究室へようこそ 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST)・材料科学研究科 松村研究室 Cat-CVD法のフラットパネルディスプレイ製造技術への新展開

    増田 淳, 松村 英樹

    ディスプレイ   10 ( 4 )   71 - 74   2004年4月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：テクノタイムズ社  

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  • Cat-CVD技術の現状と将来展望 : 気相診断からデバイス応用まで

    増田 淳, 梅本 宏信, 松村 英樹

    電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C   87 ( 2 )   203 - 215   2004年2月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    触媒化学気相成長(Cat-CVD)法はプラズマレス大面積高速低温薄膜形成技術として知られており,ガスの利用効率が高いことから低コストかつ環境負荷の小さい技術としても注目されている.気相診断による膜堆積種の同定を行ったところ,Si薄膜ではSiH_3が主要堆積種であると同時に,気相中に多量のH原子が存在することが明らかになった.Cat-CVD法で作製したSi薄膜は薄膜太陽電池や薄膜トランジスタヘの適用が期待されており,その優位性をデバイスの試作結果を通じて紹介する.SiN_x膜においては,大規模集積回路製造プロセスヘの適用が期待されると同時に,プラスチックフィルムのコーティングなど低温形成バリヤ膜としての応用も図られつつある.

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  • Cat-CVD法によるアモルファスシリコン太陽電池の作製

    増田 淳, 西村 昌也, 上遠野 浩一, 杉田 健, 今森 健策, 伊藤 雅也, 松村 英樹

    電子情報通信学会技術研究報告   103 ( 412 )   1 - 6   2003年11月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    触媒化学気相成長(Cat-CVD)法により作製した水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)眼を用いた太陽電池の特性、高効率化のための要素技術について紹介する。 Cat-CVD法では膜中水素(H)量が少なく光安定性に優れたa-Si:H膜が得られる。一方、気相中H原子濃度は高く酸化物透明電極の還元が懸念されるが、酸化錫(SnO_2)透明電極の還元抑止には酸化亜鉛(ZnO)保護層が有効であることを見出した。また、窓層に用いるp層材料として、Cat-CVD法で作製した微結晶シリコン(μc-Si:H)膜ならびに水素化アモルファスシリコンカーボン(a-Si_<1-x>C_x:H)眼の可能性を検討した。さらに、p/i界面へのバッファ層挿入による太陽電池特性改善の試みについても報告する。

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  • 低温触媒CVD装置の開発 (特集/新規事業創出と大学発ベンチャー)

    増田 淳, 松村 英樹, 南川 俊治

    化学工業   54 ( 8 )   631 - 635   2003年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：化学工業社  

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  • ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係

    河本 直哉, 増田 淳, 長谷川 勲, アンワル ファクルル, 余頃 祐介, 松尾 直人, 山野 耕治, 松村 英樹, 浜田 弘喜, 柴田 賢一

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス   103 ( 8 )   31 - 34   2003年4月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    本研究の目的はCat-CVD SiN基坂上に形成されたELAによるpoly-Siの成長に関し、水素の役割を定量的に明らかにすることである。Cat-CVD SiN膜の水素濃度は2.3、4.2、8.2at%である。エネルギー密度500mJ/cm^2の場合、8.2at%のラマンピークFWHMは急激に増加し、8.2at%のスピン密度は2.3at%より大きい。これはELAによってSiNからSi中に取り込まれた水素が真空中へ突沸する際に結晶欠陥を生成する為であると考えられる。エネルギー密度318mJ/cm^2の場合、H_2濃度2.3およびH_2濃度4.2at%においてはショット数の増加に連れてΔωは急激に減少しているが、8.2at%についてはショット数に連れゆっくりと減少する。H_2濃度2.3at%のグレインサイズは4.2at%よりも大きい。これらの現象を、水素の混入と基板熱伝導率を考慮した固相成長(solid phase crystallization, SPC)モデルを用いて議論を行う。又,SiN膜からpoly-Siへの低濃度水素供給という観点からCat-CVD法の有用性に付いて触れる。

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  • [招待論文]Cat-CVD a-Si : H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製

    増田 淳, 余頃 祐介, 松村 英樹, 宮下 一幸, 下田 達也

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス   103 ( 8 )   25 - 30   2003年4月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    触媒化学気相成長(Cat-CVD)法により作製したアモルファスシリコン(a-Si:H)膜を、エキシマレーザアニール(ELA)による結晶化のためのプリカーサとして用いた場合の結晶性について紹介する。Cat-CVD法で作製したa-Si:H膜では、300℃程度の低温堆積ながらも膜中水素含有量を1 at. %程度にまで低減可能であるため、事前の脱水素処理を施さなくてもELAによる結晶化が可能である。Cat-CVD法で作製後に脱水素処理を施さずに結晶化させた場合には、プラズマ化学気相成長(PECVD)法で作製後に脱水素処理を施したプリカーサを結晶化させた場合と比較して、結晶性の向上が確認された。Cat-CVD法ではプリカーサの高速、大面積堆積が可能なことも、本手法の優位性を主張できる点である。Cat-CVD法で成膜したプリカーサを用いてトップゲート型薄膜トランジスタ(TFT)を作製したところ、低圧化学気相成長(LPCVD)法で成膜したプリカーサを用いて同一工程で作製したTFTと概ね同等の特性を示し、移動度は230 cm^2/Vsに達した。

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  • Cat-CVD 法による薄膜トランジスタ製造技術の最近の進展

    増田 淳, 松村 英樹

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   102 ( 434 )   71 - 76   2002年11月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    触媒化学気相成長(Cat-CVD)法によるフラットパネルディスプレイ用薄膜トランジスタ(TFT)製造技術の最近の進展について紹介する。Cat-CVD法で作製した水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)膜を用いたTFTはストレス印加に対する安定性に優れる。また、Cat-CVD法で低温直接堆積した多結晶シリコン(poly-Si)膜を用いたTFTにおいても50cm^2/Vs程度の移動度が確認されている。さらに、Cat-CVD法で作製したa-Si:H膜は、エキシマレーザアニール(ELA)によるpoly-Si膜形成のプリカーサ膜としても有望である。Cat-CVD法は原料ガスの利用効率が高く高速堆積が可能であるなど生産性にも優れ、さらにメートルサイズの大面積均一堆積が可能なことも実証されている。Cat-CVD法はa-Si:H TFT、低温直接堆積によるpoly-Si TFT、ELAによるpoly-Si TFTのいずれの製造技術としても有望であり、装置開発も進展しており、実用化が目前に迫っているものと期待される。

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  • In situ chamber cleaning using atomic H in catalytic-CVD apparatus for mass production of a-Si : H solar cells

    A Masuda, Y Ishibashi, K Uchida, K Kamesaki, A Izumi, H Matsumura

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   74 ( 1-4 )   373 - 377   2002年10月

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  • What is the difference between catalytic CVD and plasma-enhanced CVD? - Gas-phase kinetics and film properties

    A Masuda, A Izumi, H Umemoto, H Matsumura

    VACUUM   66 ( 3-4 )   293 - 297   2002年8月

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  • Preparation of boron-carbon-nitrogen thin films by magnetron sputtering

    H Yokomichi, T Funakawa, A Masuda

    VACUUM   66 ( 3-4 )   245 - 249   2002年8月

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  • Influence of atomic hydrogen on transparent conducting oxides during hydrogenated amorphous and microcrystalline Si preparation by catalytic chemical vapor deposition

    A Masuda, K Imamori, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   411 ( 1 )   166 - 170   2002年5月

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  • Photoinduced volume expansion and contraction in a-Si : H films

    N Yoshida, Y Sobajima, H Kamiguchi, T Iida, T Hatano, H Mori, Y Nakae, M Itoh, A Masuda, H Matsumura, S Nonomura

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   299   516 - 520   2002年4月

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  • Effects of atomic hydrogen in gas phase on a-Si : H and poly-Si growth by catalytic CVD

    H Umemoto, Y Nozaki, M Kitazoe, K Horii, K Ohara, D Morita, K Uchida, Y Ishibashi, M Komoda, K Kamesaki, A Izumi, A Masuda, H Matsumura

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   299   9 - 13   2002年4月

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  • SC-8-6 Cat-CVD法による poly-Si TFT の低温形成とその特性

    松村 英樹, 増田 淳, 和泉 亮

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2002 ( 2 )   171 - 172   2002年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • Low-resistivity phosphorus-doped polycrystalline silicon thin films formed by catalytic chemical vapor deposition and successive rapid thermal annealing

    R Morimoto, A Izumi, A Masuda, H Matsumura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 ( 2A )   501 - 506   2002年2月

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  • Direct detection of H atoms in the catalytic chemical vapor deposition of the SiH4/H-2 system

    H Umemoto, K Ohara, D Morita, Y Nozaki, A Masuda, H Matsumura

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   91 ( 3 )   1650 - 1656   2002年2月

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  • Cat-CVD法による低温poly-Si TFT製造技術

    月刊ディスプレイ   8 ( 7 )   10 - 15   2002年

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  • Cat-CVD technology as a new tool for fabrication of large area display

    Proceedings of 2nd International Display Manufacturing Conference   143-146   2002年

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  • Recent progress of Cat-CVD research in Japan -Bridging between the first and second Cat-CVD conferences-

    Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process   17-22   2002年

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  • Cat-CVD法による微結晶シリコン膜の作製とデバイス応用

    固体物理   37 ( 12 )   1003 - 1009   2002年

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  • Deposition chemistry in the Cat-CVD processes of the SiH<sub>4</sub>/NH<sub>3</sub> system

    Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process   35-38   2002年

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  • Development of Cat-CVD apparatus for 1-m-size large-area deposition

    Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process   75-80   2002年

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  • Key factors to improve efficiency of Cat-CVD a-Si solar cells

    Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process   223-226   2002年

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  • Coverage properties of silicon nitride film prepared by Cat-CVD method

    Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process   235-238   2002年

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  • Fabrication of a-Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub>:H thin films for solar cells by Cat-CVD method using carbon catalyzer

    Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process   239-242   2002年

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  • Crystallization by excimer laser annealing for a-Si:H films with low hydrogen content prepared by Cat-CVD

    Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process   355-358   2002年

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  • 触媒化学気相成長法による1 mサイズ基板上への均一堆積技術開発

    柄澤 稔, 坂井 全弘, 石橋 啓次, 田中 雅彦, 増田 淳, 松村 英樹

    真空   45 ( 3 )   123 - 126   2002年

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  • 触媒CVD技術の大面積次世代ディスプレイへの適用

    増田 淳, 松村 英樹

    応用物理   71 ( 7 )   833 - 838   2002年

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    出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    触媒化学気相成長 (Cat-OVD) 法の大面積液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ (TFT) 製造技術としての特長を示す. Gat-CVD法で作製した水素化アモルファスシリコン (a-Si: H) 膜を用いた-TFTはストレス印加に対する安定性に優れる.また, Cat-CVD法で低温直接たい積した多結晶シリコン膜を用いたTFTにおいても数十cm<sup>2</sup>/Vsの移動度か確認されている,さらに, Cat-CVD法で作製したa-Si: H膜は,エキシマレーザーアニールによる多結晶シリコン膜形成のプリカーサとしても有望である. Cat-CVD法は原料ガスの利用効率が高く高速たい積が可能であるなど,生産性にも優れ,さらにメートルサイズの大面積均一たい積が可能なことも実証されており,実用化も目前に迫っている.

    DOI： 10.11470/oubutsu1932.71.833

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  • 触媒体上でのNF_3ガス分解反応を用いた低コスト・低環境負荷チャンバークリーニング法の開発

    西村 悟, 増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   101 ( 395 )   61 - 65   2001年10月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    2400℃程度に加熱したタングステン触媒体上での接触分解反応により生成したNF_3分解種を用いて、単結晶シリコンを3500nm/min、シリコン窒化膜を740nm/min、溶融石英ガラスに関しても50nm/minでエッチング可能であることを示す。また、この手法を用いたチャンバークリーニング実施後のフッ素残渣について調べたところ、120nmのアモルファスシリコン堆積後には少なくともX線光電子分光レベルでは検出されない。このことより、膜堆積からin situ チャンバークリーニングまで触媒CVD(Cat-CVD)一貫プロセスが実施可能であることが示され、Cat-CVD法の実用化に向けて大きな前進が得られた。

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  • Influence of a-Si:H deposition by catalytic CVD on transparent conducting oxides

    Kensaku Imamori, Atsushi Masuda, Hideki Matsumura

    Thin Solid Films   395 ( 1-2 )   147 - 151   2001年9月

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  • Photo-induced volume changes in a-Si : H films prepared by Cat-CVD method

    T Hatano, Y Nakae, H Mori, K Ohkado, N Yoshida, S Nonomura, M Itoh, A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   84 - 86   2001年9月

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  • Proposal of catalytic chemical sputtering method and its application to prepare large grain size poly-Si

    K Kamesaki, A Masuda, A Izumi, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   169 - 172   2001年9月

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  • Formation of silicon films for solar cells by the Cat-CVD method

    M Komoda, K Kamesaki, A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   198 - 201   2001年9月

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  • Fabrication of amorphous carbon nitride films by hot-wire chemical vapor deposition

    H Yokomichi, A Masuda, N Kishimoto

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   249 - 252   2001年9月

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  • A Cat-CVD Si3N4 film study and its application to the ULSI process

    Y Uchiyama, A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   275 - 279   2001年9月

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  • Low-k silicon nitride film for copper interconnects process prepared by catalytic chemical vapor deposition method at low temperature

    H Sato, A Izumi, A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   280 - 283   2001年9月

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  • Preparation of SiNx passivation films for PZT ferroelectric capacitors at low substrate temperatures by catalytic CVD

    T Minamikawa, Y Yonezawa, A Heya, Y Fujimori, T Nakamura, A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   284 - 287   2001年9月

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  • High performance amorphous-silicon thin film transistors prepared by catalytic chemical vapor deposition with high deposition rate

    M Sakai, T Tsutsumi, T Yoshioka, A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   330 - 334   2001年9月

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  • Guiding principles for device-grade hydrogenated amorphous silicon films and design of catalytic chemical vapor deposition apparatus

    A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   112 - 115   2001年9月

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  • High-stability hydrogenated amorphous silicon films for light-soaking prepared by catalytic CVD at high deposition rates

    M Itoh, Y Ishibashi, A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   138 - 141   2001年9月

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  • Identification and gas phase kinetics of radical species in Cat-CVD processes of SiH4

    Y Nozaki, M Kitazoe, K Horii, H Umemoto, A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   47 - 50   2001年9月

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  • Development of Cat-CVD apparatus - a method to control wafer temperatures under thermal influence of heated catalyzer

    M Karasawa, A Masuda, K Ishibashi, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   395 ( 1-2 )   71 - 74   2001年9月

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  • Cat-CVD 法によるTFT作製

    坂井 全弘, 堤 隆之, 増田 淳, 松村 英樹

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   101 ( 14 )   27 - 31   2001年4月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    触媒化学気相成長(Cat-CVD)法により作製されたSiN_x,a-Si:H,n^+-a-Si:H膜によりボトムゲート型薄膜トランジスタ(TFT)を作製した。a-Si:Hは,製膜速度1.9nm s^<-1>で高速堆積され,かつ,ESRによるspin密度は,1.6×10^<16>cm^<-3>に抑えられた。TFTは,特性が低下し易いチャネルエッチ法で作製されたにもかかわらず,飽和領域で電界効果移動度0.85cm^2V^<-1>s^<-1>を示した。また,有機ELへの適用で重要なTFTの信頼性に関し,SiO_2をゲート絶縁膜としたサンプルを用いて,ストレス耐性を評価したところ,V_<th>のシフトが1V以下という良好な結果を得た。

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  • Catalytic chemical sputtering: A novel method for obtaining large-grain polycrystalline silicon

    H Matsumura, K Kamesaki, A Masuda, A Izumi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   40 ( 3B )   L289 - L291   2001年3月

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  • Dominant parameter determining dangling-bond density in hydrogenated amorphous silicon films prepared by catalytic chemical vapor deposition

    A Masuda, C Niikura, Y Ishibashi, H Matsumura

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   66 ( 1-4 )   259 - 265   2001年2月

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  • In-situ chamber cleaning using atomic H in catalytic-CVD apparatus for mass production of a-Si:H solar cells

    Technical Digest of 12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference   241-242   2001年

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  • Study on catalytic-CVD a-Si:H-based solar cells with high deposition rate

    Technical Digest of 12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference   243-244   2001年

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  • Properties of thin-film transistors using amorphous silicon films prepared by catalytic CVD with high deposition rate

    Digest of Technical Papers 8th International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays -TFT Technologies and Related Materials-   147-150   2001年

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  • Properties of phosphorus-doped polycrystalline silicon films formed by catalytic chemical vapor deposition and successive rapid thermal annealing

    Proceedings of 2001 International Conference on Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices   39-40   2001年

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  • Precise substrate temperature control to prepare SiN<sub>x</sub> films for PZT ferroelectric devices by catalytic chemical vapor deposition

    Extended Abstracts of 1st International Meeting on Ferroelectric Random Access Memories   130-131   2001年

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  • 1 m size large-area deposition of a-Si:H films by catalytic CVD using novel showerhead equipped with catalyzers

    Proceedings of 21st International Display Research Conference in conjunction with 8th International Display Workshops   1735-1736   2001年

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  • Raman characterization of lattice-matched GaInAsN layers grown on GaAs (001) substrates

    Technical Digest of 12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference   665-666   2001年

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  • What is the difference between catalytic CVD and plasma-enhanced CVD? -Gas-phase kinetics and film properties

    Proceedings of 6th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes   213-216   2001年

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  • Preparation of boron-carbon-nitrogen thin films by magnetron sputtering

    Proceedings of 6th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes   402-405   2001年

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  • Effects of double bonding configurations on thermal stability of low-hydrogen concentration fluorinated amorphous carbon thin-films with low dielectric constant prepared by sputtering with hydrogen dilution

    H Yokomichi, A Masuda

    VACUUM   59 ( 2-3 )   771 - 776   2000年11月

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  • Novel thin-film fabrication method combining pulsed laser ablation and catalytic chemical vapor deposition: application to preparation of Er-doped hydrogenated amorphous Si films

    A Masuda, J Sakai, H Matsumura

    VACUUM   59 ( 2-3 )   635 - 640   2000年11月

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  • Identification of Si and SiH in catalytic chemical vapor deposition of SiH4 by laser induced fluorescence spectroscopy

    Y Nozaki, K Kongo, T Miyazaki, M Kitazoe, K Horii, H Umemoto, A Masuda, H Matsumura

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   88 ( 9 )   5437 - 5443   2000年11月

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  • ケミカル・スパッタリング法による巨大粒径 poly-Si 薄膜の作製

    亀崎 浩司, 増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   100 ( 396 )   7 - 12   2000年10月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    現在のSi膜堆積は化学気相成長(CVD)法によるものが主流である。本研究では固体Siを水素原子によりエッチングし、その際のエッチング生成物SiH_nを化学輸送させることで基板上にSi膜の堆積を行う。本研究で用いた装置形状とスパッタリング法で用いられる装置形状との類似性から、本手法を「ケミカル・スパッタリング法」と名づけた。本手法により、(100)Si基板、Si表面に熱酸化膜を形成した熱酸化膜基板および石英基板上に堆積されたSi膜は、ラマン分光測定の結果よりa-Si相のない100%結晶化したpoly-Si膜であることが明らかとなった。また、SEM観察の結果、Si結晶粒の大きさは1μmを超えることが明らかとなった。

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  • Control of polycrystalline silicon structure by the two-step deposition method

    A Heya, A Izumi, A Masuda, H Matsumura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   39 ( 7A )   3888 - 3895   2000年7月

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  • Effects of nitrogen incorporation on structural properties of fluorinated amorphous carbon films

    H Yokomichi, A Masuda

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   271 ( 1-2 )   147 - 151   2000年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/S0022-3093(00)00104-6

    Web of Science

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  • Mechanism of low-temperature crystallization of amorphous silicon by atomic hydrogen anneal

    A Heya, A Masuda, H Matsumura

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   266 ( Pt.A )   619 - 623   2000年5月

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  • Transport mechanism of deposition precursors in catalytic chemical vapor deposition studied using a reactor tube

    N Honda, A Masuda, H Matsumura

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   266 ( Pt.A )   100 - 104   2000年5月

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  • Novel deposition technique of Er-doped a-Si : H combining catalytic chemical vapor deposition and pulsed laser-ablation

    A Masuda, J Sakai, H Akiyama, O Eryu, K Nakashima, H Matsumura

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   266 ( Pt.A )   136 - 140   2000年5月

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  • Cat-CVD 法による低温 poly-Si 膜形成とTFTへの応用

    増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   100 ( 1 )   13 - 18   2000年4月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    Catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD), often called hot-wire CVD, is one of the promising candidates for large-area thin-film formation method at low temperatures. Recently, Cat-CVD is widely studied in order to apply to device-fabrication process in semiconductor industry. Polycrystalline silicon (poly-Si) films prepared by Cat-CVD are expected to be applied to thin-film transistors (TFTs). In 1991 the authors succeeded in preparing poly-Si Films by this method for the first time. Until 1998 they systematically studied preparation of poly-Si films by Cat-CVD and application to TFTs under the R&D Projects in Cooperation with Academic Institutions "Cat-CVD Fabrication Processes for Semiconductor Devices" from the New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO). In this paper various structural and electrical properties of poly-Si films prepared by Cat-CVD at low temperatures are presented.

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  • Cat-CVD/レーザアブレーション複合プロセスで作製したEr添加a-Si:H薄膜の発光特性

    増田 淳, 坂井 穣, 秋山 治大, 江龍 修, 中嶋 堅志郎, 松村 英樹

    電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会   2000 ( 10 )   31 - 35   2000年2月

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  • Study on Cat-CVD Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> films and its application to ULSI process

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   241 - 244   2000年

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  • Low-k silicon nitride film for copper interconnects process prepared by Cat-CVD method at low temperature

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   245 - 248   2000年

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  • Preparation of SiN<sub>x</sub> passivation films for PZT ferroelectric capacitors at low substrate temperatures by catalytic CVD

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   253 - 256   2000年

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  • High performance amorphous-silicon thin film transistors prepared by catalytic chemical vapor deposition with high deposition rate

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   311 - 314   2000年

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  • Effect of atomic H and chamber cleaning in catalytic CVD on reproducibility of a-Si : H film properties

    Digest of Technical Papers 2000 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays-TFT Technologies and Related Materials-   219 - 222   2000年

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  • Development of Cat-CVD apparatus-A method to control wafer temperatures under thermal influence of heated catalyzer

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   117 - 120   2000年

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  • High stability amorphous silicon films for light soaking prepared by catalytic CVD with high deposition rate

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   143 - 146   2000年

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  • Influence of a-Si : H deposition by catalytic CVD on transparent conducting oxides

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   147 - 150   2000年

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  • Formation of silicon films for solar cells by Cat-CVD method

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   163 - 166   2000年

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  • Fabrication of amorphous carbon nitride films by hot wire chemical vapor deposition

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   205 - 208   2000年

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  • Identification and gas phase kinetics of radical species in Cat-CVD processes of SiH<sub>4</sub>

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   41 - 44   2000年

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  • Photoinduced volume change in a-Si : H films prepared by Cat-CVD method

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   69 - 72   2000年

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  • Proposal of catalytic chemical sputtering method and its application to prepare large grain size poly-Si

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   85 - 88   2000年

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  • Guiding principles for obtaining device-grade hydrogenated amorphous silicon films by catalytic chemical vapor deposition

    Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process   99 - 102   2000年

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  • Mixing mechanism of h-GaN in c-GaN growth on GaAs (001) substrates

    A Hashimoto, H Wada, T Ueda, Y Nishio, A Masuda, A Yamamoto

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   176 ( 1 )   519 - 524   1999年11月

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  • Effect of sputtering with hydrogen dilution on fluorine concentration of low hydrogen content fluorinated amorphous carbon thin films with low dielectric constant

    H Yokomichi, A Masuda

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   86 ( 5 )   2468 - 2472   1999年9月

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  • Annealing effect of Pb(Zr, Ti)O-3 ferroelectric capacitor in active ammonia gas cracked by catalytic chemical vapor deposition system

    T Minamikawa, Y Yonezawa, T Nakamura, Y Fujimori, A Masuda, H Matsumura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   38 ( 9B )   5358 - 5360   1999年9月

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  • Anisotropic electrical conduction and reduction in dangling-bond density for polycrystalline Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition

    C Niikura, A Masuda, H Matsumura

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   86 ( 2 )   985 - 990   1999年7月

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  • Cat-CVD SiNx膜の面内均一性向上に関する検討

    工藤 昭吉, 増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   99 ( 21 )   59 - 66   1999年4月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    触媒CVD(Cat-CVD)法によるSiNx膜の形成は、非プラズマ低損傷プロセスとして化合物半導体デバイス用表面保護膜等への実用化が期待されている。今回、タンダステン線を触媒としてSiH_4とHN_3を分解して、GaAs基板に堆積した緻密性の高い屈折率2.0付近のSiNx膜の均一性をエリプソメトり法により評価した。その結果、膜厚はウエハ中心から同心円状に15%程減少する傾向にあるものの、屈折率分布については、SNx膜がSiとNが独立に供給される化合物系の堆積膜であるにもかかわらず、4インチ基板面内で±2.5%以内に抑えられていることが分かった。つまり、Cat-CVD法は大面積基板上においても均質なSNx膜の堆積が可能であるといえる。

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  • Surface cleaning and nitridation of compound semiconductors using gas-decomposition reaction in Cat-CVD method

    A Izumi, A Masuda, H Matsumura

    THIN SOLID FILMS   343   528 - 531   1999年4月

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  • Low-temperature crystallization of amorphous silicon using atomic hydrogen generated by catalytic reaction on heated tungsten

    A Heya, A Masuda, H Matsumura

    APPLIED PHYSICS LETTERS   74 ( 15 )   2143 - 2145   1999年4月

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  • Structural control of Cat-CVD poly-Si films by gas phase reaction using pure SiH<sub>4</sub> gas

    Technical Digest of 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference   781 - 782   1999年

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  • Transport and generation mechanism of deposition precursors in catalytic CVD

    Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project   9 - 13   1999年

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  • Detection of free radicals in Cat-CVD processes by laser induced fluorescence spectroscopy

    Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project   15 - 18   1999年

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  • Suppression of heat radiation in catalytic CVD using "catalytic plate"

    Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project   19 - 22   1999年

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  • High-rate deposition of SiN<sub>x</sub> thin films prepared by Cat-CVD method

    Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project   27 - 29   1999年

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  • Effect of exposure of Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub> ferroelectric capacitors to active ammonia gas cracked by catalytic chemical vapor deposition system

    Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project   31 - 34   1999年

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  • Crystallization of a-Si film by atomic hydrogen anneal at low temperatures

    Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project   39 - 43   1999年

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  • Dominant parameter determining dangling-bond density in a Si : H films prepared by catalytic CVD

    Technical Digest of 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference   399 - 400   1999年

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  • Suppression of hexagonal GaN mixing by As4 molecular beam in cubic GaN growth on GaAs (0 0 1) substrates

    Akihiro Hashimoto, Takanori Motizuki, Hideki Wada, Atsushi Masuda, Akio Yamamoto

    Journal of Crystal Growth   201   392 - 395   1999年

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    記述言語：英語   出版者・発行元：Elsevier Science B.V.  

    DOI： 10.1016/S0022-0248(98)01356-6

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  • Novel thin-film fabrication method combining pulsed laser ablation and catalytic chemical vapor deposition : Application to preparation of Er-doped hydrogenated amorphous Si films

    Proceedings of the 5th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes   23 - 24   1999年

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  • Thermal stability of low hydrogen concentration fluorinated amorphous carbon thin films with low dielectric constant prepared by sputtering with hydrogen dilution

    Proceedings of the 5th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes   215 - 216   1999年

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  • Improvement of polycrystalline silicon film by atomic hydrogen anneal at low temperature

    Digest of Technical Papers 1999 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays-TFT Technologies and Related Materials-   119 - 122   1999年

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  • Direct crystal growth of Poly-Si films on glass substrates by catalytic CVD with incubation time

    Digest of Technical Papers 1999 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays-TFT Technologies and Related Materials-   123 - 126   1999年

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  • Electrical properties of polycrystalline silicon films prepared by catalytic CVD

    Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project   49 - 52   1999年

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  • Structural properties of polycrystalline silicon thin films prepared by catalytic CVD

    Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project   45 - 48   1999年

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  • Material properties of heteroepitaxial yttria-stabilized zirconia films with controlled yttria contents on Si prepared by reactive sputtering

    S Horita, M Watanabe, S Umemoto, A Masuda

    VACUUM   51 ( 4 )   609 - 613   1998年12月

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  • Effects of oxygen gas addition and substrate cooling on preparation of amorphous carbon nitride films by magnetron sputtering

    H Yokomichi, H Sakima, A Masuda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   37 ( 9A )   4722 - 4725   1998年9月

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  • 触媒CVD法によるガリウムヒ素表面清浄化とシリコン窒化膜堆積

    和泉 亮, 増田 淳, 松村 英樹

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   98 ( 184 )   41 - 46   1998年7月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    本論文は, 触媒CVD(Cat-CVD)法によるアンモニアガスの分解反応を利用したGaAsの表面清浄化と表面安定化の新しい方法について提案している.本手法により, 基板温度が150℃程度でGaAs基板表面が清浄化されることが確認された.また, 処理時間を長くすることでGaAs表面の数nmが窒化することも確認された.さらに, 触媒CVD法による堆積SiN_x膜のGaAsデバイスの表面保護膜としての有用性についても述べている.

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  • Fabrication of Pb(Zr,Ti)O<inf>3</inf>/MgO/GaN/GaAs structure for optoelectronic device applications

    Atsushi Masuda, Shinya Morita, Hideki Shigeno, Akiharu Morimoto, Tatsuo Shimizu, Jun Wu, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe

    Journal of Crystal Growth   189-190   227 - 230   1998年6月

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  • Structural and electrical properties of yttria-stabilized zirconia films with controlled Y content heteroepitaxially grown on Si by reactive sputtering

    S Horita, M Watanabe, A Masuda

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   54 ( 1-2 )   79 - 83   1998年6月

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    記述言語：英語  

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  • Preparation of fluorinated amorphous carbon thin films

    H Yokomichi, T Hayashi, T Amano, A Masuda

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   227 ( Pt.A )   641 - 644   1998年5月

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  • Changes in structure and nature of defects by annealing of fluorinated amorphous carbon thin films with low dielectric constant

    H Yokomichi, T Hayashi, A Masuda

    APPLIED PHYSICS LETTERS   72 ( 21 )   2704 - 2706   1998年5月

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  • Structural and conductivity change caused by N, O and C incorporation in a-Si : H

    T Shimizu, T Ishii, M Kumeda, A Masuda

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   227 ( Pt.A )   403 - 406   1998年5月

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  • 触媒CVD(Cat-CVD)法による低温薄膜形成

    増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹

    表面   36 ( 3 )   149 - 156   1998年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：広信社  

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  • Structural and electrical anisotropy and high absorption in poly-Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition

    A Masuda, R Iiduka, A Heya, C Niikura, H Matsumura

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   227 ( Pt.B )   987 - 991   1998年

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  • 5a-A-11 フッ素化アモルファスカーボンの構造欠陥と光誘起効果

    横道 治男, 林 亨, 天野 富大, 増田 淳

    日本物理学会講演概要集   52 ( 2 )   141 - 141   1997年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

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  • Influence of Pb incorporation on light-induced phenomena in amorphous Ge100-x-yPbxSy thin films

    A Masuda, Y Yonezawa, A Morimoto, M Kumeda, T Shimizu

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   217 ( 2-3 )   121 - 135   1997年9月

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  • 低誘電率フッ素化アモルファスカーボンの作製

    林 亨, 天野 富大, 増田 淳, 横道 治男

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   97 ( 100 )   1 - 6   1997年6月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    Ch_4およびCF_4ガスを用い, プラズマCVD法によりフッ素化アモルファスカーボン(a-C:F)の作製を行った. 電子スピン共鳴(ESR), 赤外吸収(IR), 光学吸収, X線光電子分光(XPS), 誘電率測定によりa-C:F膜の基礎物性の評価を行った. 全ガス流量に対するCF_4ガス流量比Rが増加するにつれて, 膜中のフッ素量が増加し, R=0.97ではフッ素量が67at.%という値を得た. この試料ではIRスペクトルによりCF_3のモードが観測され, 水素に関係するモードが消失した. さらにこの試料の比誘電率は1MHzにおいて2.2であり, ESRスペクトルの線幅は他の試料よりも広く4.2mTであった. また比誘電率およびフッ素結合状態のアニールによる効果についても議論する.

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  • Interface control of Pb(ZrxTi1-x)O-3 thin film on silicon substrate with heteroepitaxial YSZ buffer layer

    S Horita, T Naruse, M Watanabe, A Masuda, T Kawada, Y Abe

    APPLIED SURFACE SCIENCE   117   429 - 433   1997年6月

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  • Nitrogen-doping effects on electrical, optical, and structural properties in hydrogenated amorphous silicon

    A Masuda, K Itoh, K Matsuda, Y Yonezawa, M Kumeda, T Shimizu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   81 ( 10 )   6729 - 6737   1997年5月

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  • Nitrogen- and ammonia-plasma nitridation of hydrogenated amorphous silicon

    A Masuda, S Yoshimoto, Y Yonezawa, A Morimoto, M Kumeda, T Shimizu

    APPLIED SURFACE SCIENCE   113   610 - 613   1997年4月

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  • Fabrication of Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub>/MgO/GaN/GaAs structure for optoelectronic device applications"

    Proceedings of 2nd International Conference on Nitride Semiconductors   192   1997年

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  • Noise reduction of pHEMTs with plasmaless SiN passivation by catalytic CVD

    R Hattori, G Nakamura, S Nomura, T Ichise, A Masuda, H Matsumura

    GAAS IC SYMPOSIUM - 19TH ANNUAL, TECHNICAL DIGEST 1997   78 - 80   1997年

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    記述言語：英語  

    Web of Science

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  • Material properties of heteroepitaxial yttria-stabilized zirconia films with controlled Y content on Si prepared by reactive sputtering

    Proceedings of the 4th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes   163 - 168   1997年

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  • 反応性スパッタ法によるSi基板上へのY組成制御YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長

    渡部 幹雄, 成瀬 哲哉, 増田 淳, 堀田 将

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   96 ( 349 )   19 - 25   1996年11月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    反応性スパッタ法により、Y組成を制御したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜をn-Si(100)基板上にヘテロエピタキシャル成長させ、その膜質を評価した。Y組成比2.3〜19.7at.%の堆積膜は、立方晶YSZ(100)/Si(100)構造で、また、Y組成比1.2at.%の堆積膜は、単斜晶(ZrO_2)_<1-x>(Y_2O_3)_x(100)/立方晶YSZ(100)/Si(100)構造でヘテロエピタキシャル成長していることがわかった。電気的特性を評価した結果、Y組成比を1.2at.%まで低減することにより、5Vでの漏れ電流が約10^<-7>A/cm^2と減少し、さらに、電気容量(C)-電圧(V)特性におけるイオンドリフトによるヒステリシス幅も狭くなり、特性の向上が見られた。なお、1MHzのC-V特性の蓄積容量から求めた堆積膜の比誘電率は、Y組成を9.4から1.2at.%へと減少させると、24から16へと低下した。

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  • Ambient-pressure influence on droplet formation and thickness distribution in pulsed laser ablation

    A Masuda, K Matsuda, S Usui, Y Yonezawa, T Minamikawa, A Morimoto, T Shimizu

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   41 ( 1 )   161 - 165   1996年10月

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  • Influence of buffer layers on lead magnesium niobate titanate thin films prepared by pulsed laser ablation

    T Nakamura, A Masuda, A Morimoto, T Shimizu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   35 ( 9A )   4750 - 4754   1996年9月

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  • N-2-plasma-nitridation effects on porous silicon

    H Yokomichi, A Masuda, Y Yonezawa, T Shimizu

    THIN SOLID FILMS   281 ( 1/2 )   568 - 571   1996年8月

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  • X-ray photoelectron spectroscopy and electron spin resonance studies on O-2 and N2O plasma oxidation of silicon

    A Masuda, Y Yonezawa, A Morimoto, M Kumeda, T Shimizu

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   39 ( 3 )   173 - 178   1996年7月

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  • Origin of charged dangling bonds in nitrogen-doped hydrogenated amorphous silicon

    A Masuda, K Itoh, M Kumeda, T Shimizu

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   200 ( Pt 1 )   395 - 398   1996年5月

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  • Mechanism of stoichiometric deposition of volatile elements in multimetal-oxide films prepared by pulsed laser ablation

    A Masuda, K Matsuda, Y Yonezawa, A Morimoto, T Shimizu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   35 ( 2B )   L237 - L240   1996年2月

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  • Preparation and crystallographic characterizations of highly oriented Pb(Zr0.52Ti0.48)O-3 films and MgO buffer layers on (100)GaAs and (100)Si by pulsed laser ablation

    A Masuda, Y Yamanaka, M Tazoe, T Nakamura, A Morimoto, T Shimizu

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   158 ( 1-2 )   84 - 88   1996年1月

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  • HIGHLY ORIENTED PB(ZR,TI)O-3 THIN-FILMS PREPARED BY PULSED-LASER ABLATION ON GAAS AND SI SUBSTRATES WITH MGO BUFFER LAYER

    A MASUDA, Y YAMANAKA, M TAZOE, Y YONEZAWA, A MORIMOTO, T SHIMIZU

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   34 ( 9B )   5154 - 5157   1995年9月

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  • INTERFACIAL NEUTRAL-DANGLING-BOND AND CHARGED-DANGLING-BOND DENSITIES BETWEEN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON AND HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON NITRIDE IN TOP NITRIDE AND BOTTOM NITRIDE STRUCTURES

    H MIN, FUKUSHI, I, A MASUDA, A MORIMOTO, M KUMEDA, T SHIMIZU

    APPLIED PHYSICS LETTERS   66 ( 20 )   2718 - 2720   1995年5月

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  • NH3-PLASMA-NITRIDATION PROCESS OF (100)GAAS SURFACE OBSERVED BY ANGLE-DEPENDENT X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY

    A MASUDA, Y YONEZAWA, A MORIMOTO, T SHIMIZU

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   34 ( 2B )   1075 - 1079   1995年2月

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  • CORRELATION BETWEEN AC TRANSPORT AND ELECTRON-SPIN-RESONANCE IN AMORPHOUS GE-S FILMS ALLOYED WITH LEAD

    K SHIMAKAWA, T KATO, K HAYASHI, A MASUDA, M KUMEDA, T SHIMIZU

    PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES   70 ( 5 )   1035 - 1044   1994年11月

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    記述言語：英語  

    Web of Science

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  • ULTRATHIN SIO2-FILMS ON SI FORMED BY N2O-PLASMA OXIDATION TECHNIQUE

    A MASUDA, Y YONEZAWA, A MORIMOTO, M KUMEDA, T SHIMIZU

    APPLIED SURFACE SCIENCE   81 ( 3 )   277 - 280   1994年11月

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  • RELATIONSHIP BETWEEN ELECTRICAL-CONDUCTIVITY AND CHARGED-DANGLING-BOND DENSITY IN NITROGEN-DOPED AND PHOSPHORUS-DOPED HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON

    A MASUDA, K ITOH, JH ZHOU, M KUMEDA, T SHIMIZU

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   33 ( 9B )   L1295 - L1297   1994年9月

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  • ORIENTATION OF MGO THIN-FILMS ON SI(100) AND GAAS(100) PREPARED BY ELECTRON-BEAM EVAPORATION

    A MASUDA, K NASHIMOTO

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   33 ( 6A )   L793 - L796   1994年6月

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  • Surface nitridation process of(100)GaAs by NH<sub>3</sub>-plasma treatment with planar magnetic field

    Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials   193 - 195   1994年

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  • SPECTROSCOPIC STUDY ON N2O-PLASMA OXIDATION OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON AND BEHAVIOR OF NITROGEN

    A MASUDA, FUKUSHI, I, Y YONEZAWA, T MINAMIKAWA, A MORIMOTO, M KUMEDA, T SHIMIZU

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   32 ( 6A )   2794 - 2802   1993年6月

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    記述言語：英語  

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  • NOVEL OXIDATION PROCESS OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON UTILIZING NITROUS-OXIDE PLASMA

    A MASUDA, A MORIMOTO, M KUMEDA, T SHIMIZU, Y YONEZAWA, T MINAMIKAWA

    APPLIED PHYSICS LETTERS   61 ( 7 )   816 - 818   1992年8月

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  • LIGHT-INDUCED ESR AND DISAPPEARANCE OF PHOTODARKENING IN AMORPHOUS GE-S FILMS ALLOYED WITH LEAD

    A MASUDA, M KUMEDA, A MORIMOTO, T SHIMIZU

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   137   985 - 988   1991年12月

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    記述言語：英語  

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  • RELATIONSHIP BETWEEN PHOTODARKENING AND LIGHT-INDUCED ESR IN AMORPHOUS GE-S FILMS ALLOYED WITH LEAD

    A MASUDA, M KUMEDA, T SHIMIZU

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   30 ( 6B )   L1075 - L1078   1991年6月

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    記述言語：英語  

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Works（作品等）

  • 大面積液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタの新規製造技術

    2001年

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  • Cat-CVD fabrication techniques for solar cells

    2001年

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  • Novel fabrication processes of thin-film transistors for large-area liquid-crystal displays

    2001年

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  • Cat-CVD法による太陽電池製造技術の研究開発

    2001年

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  • Cat-CVD法による半導体デバイス製造プロセス

    1998年
    -
    2001年

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  • Cat-CVD fabrication processes for semiconductor devices

    1998年
    -
    2001年

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受賞

  • 1998 Corning Research Grant Award

    1998年  

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    受賞国：日本国

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  • 平成8年度 コニカ画像科学奨励賞

    1997年  

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    受賞国：日本国

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共同研究・競争的資金等の研究

  • 太陽電池モジュール加速試験における蛍光色素修飾ナノ構造による酸性水分子の検出

    研究課題/領域番号：25630438

    2013年4月 - 2015年3月

    制度名：科学研究費助成事業

    研究種目：挑戦的萌芽研究

    提供機関：日本学術振興会

    梅田 倫弘, 岩見 健太郎, 増田 淳

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    配分額：4030000円 （ 直接経費：3100000円 、 間接経費：930000円 ）

    太陽電池モジュール（PVM）内の封止材に使われているエチレンビニールアセテート(EVA)の加水分解によって生成される酢酸は、配線腐食による発電性能の低下の原因となっている。本研究では、PVMの状態を評価するために、非破壊で簡易な光学的手法を提案した。本手法は、PVM内のpH変化を検出するために、2波長pH感受性蛍光色素を利用した。その結果、EVAで発生した微量な酢酸に対してpH感受性蛍光色素は感度を持つことが明らかとなった。また、pH感受性蛍光色素で染色したメンブレンフィルターによって、高温高湿加速試験で生成された劣化EVA内で生成された酢酸が検出できることを明らかにした。

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  • 新規な強磁性体制御高移動度MOSトランジスタの開発

    研究課題/領域番号：16656199

    2004年 - 2005年

    制度名：科学研究費助成事業

    研究種目：萌芽研究

    提供機関：日本学術振興会

    篠崎 和夫, 脇谷 尚樹, 増田 淳, 水谷 惟恭

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    配分額：3600000円 （ 直接経費：3600000円 ）

    電界効果型Siトランジスタのゲート直上に形成した酸化物強磁性体薄膜の残留磁化を利用して,Siトランジスタのキャリア移動度を向上する可能性を見出し,この原理を利用して,磁性体薄膜の効果により,電界効果トランジスタの特性を向上することを検証し,全く新規な高速動作型トランジスタの原理的な可能性を探った.本年度は,前年度に続いて,強磁性体をMOS FET上に再現性よく作成するプロセスの確立と,強磁性体薄膜の残留磁化がトランジスタ特性に与える影響の検討をおこない,前年度の結果を受けて,デバイス化の可能性の基礎的な検討を行った.
    Si-MOSFET基板のゲート部に,RFマグネトロンスパッタ法により、バリウムフェライトを室温で成膜した.リフトオフ法により、磁性薄膜をゲート上だけに残すべく微細加工し,800℃,10minのポストアニールにより磁気特性を引き出した.チャネル中を流れる電子が,ゲート界面に垂直な方向のSi側に力を受けるような向きに着磁し、その前後でトランジスタI_D-V_D測定を行った。ドレイン電流の増加から移動度の上昇を算出した。作製した薄膜の磁気特性はVSMを用いて評価し、pAメーターでMOSFETのI_D-V_D測定を行った。
    その結果,電磁石のon/offによる外部磁場中でのトランジスタI_D-V_D測定をもとに、一定ドレイン電圧4Vでのドレイン電流の変化量のゲート長依存性を検討した.その結果,磁束密度が大きくゲート長が短いほど、ドレイン電流の変化量が大きいことがわかった.得られたバリウムフェライト薄膜は,残留磁化が250mT、保磁力は4.4kOeであった.着磁前後のMOSFETのI_D-V_D測定の結果から,着磁後,ドレイン電流が増加した.この変化を移動度の上昇として算出すると、着磁前の450cm^2/Vsに対して,着磁後は540cm^2/Vsとなり,約20%上昇している.また,外部磁場10kOe中で10分間着磁した後リテンション測定を行ったところ,バリウムフェライトの残留磁化は10日持続することがわかった.

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  • 液晶ディスプレイの廉価な次世代生産技術

    研究課題/領域番号：12792007

    2000年 - 2002年

    制度名：科学研究費助成事業

    研究種目：地域連携推進研究費

    提供機関：日本学術振興会

    松村 英樹, 和泉 亮, 新田 晃平, 寺野 稔, 木田 健一郎, 増田 淳

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    配分額：55300000円 （ 直接経費：55300000円 ）

    本研究は、液晶ディスプレイに用いられる薄膜トランジスタ(TFT)製造の際のパターン転写技術に関するものである。現行のパターン転写は、試料上のフォト・レジストにパターンの描かれた光を照射して行っているが、本研究では、高分子薄膜を試料に密着させ、その上からパターンの描かれた原版を圧着して凹凸パターンを高分子膜上に形成する、いわゆるインプリント方式の印刷技術を用いることにより、液晶ディスプレイの廉価な生産技術を提供することを目的としている。
    本研究においては、高分子薄膜としてポリエチレン、ポリスチレンなどを使用してパターン転写実験を行い、従来法と同程度の特性を持つTFTの製作に成功した。また、本研究の過程で、凹凸パターン転写に合わせて超微小な結晶シリコン集積回路をあたかも印刷インクのように用いて各画素に貼り付け、これをTFTの代わりに用いることで、50インチサイズ以上の超大画面液晶ディスプレイの製造を20万円台と極めて安価に製造できる新手法を着想するに至り、その妥当性の確認を行い、本研究で開発した技術の新展開の可能性も示した。

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  • 触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス

    研究課題/領域番号：11895001

    1999年

    制度名：科学研究費助成事業

    研究種目：基盤研究(C)

    提供機関：日本学術振興会

    松村 英樹, 増田 淳, 和泉 亮, 梅本 宏信, 野々村 修一, 小長井 誠

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    配分額：3300000円 （ 直接経費：3300000円 ）

    触媒化学気相成長(触媒CVD、Cat-CVD)法はホットワイアCVD法とも呼ばれ、研究代表者(松村)らによる10数年にわたる研究の結果、アモルファスシリコン膜、微(多)結晶シリコン膜、シリコン窒化膜などの形成法として有望であることが明らかになり、薄膜太陽電池、薄膜トランジスタなどの大面積デバイス用半導体膜や化合物半導体デバイス保護膜の形成手法として注目されている。このような状況下において、Cat-CVD法の研究者ならびに関連周辺分野の研究者を一同に会した国際会議を開催し、Cat-CVD法におけるシリコン系薄膜の成長機構の解明などの基礎的検討からデバイス応用にいたるまで、幅広い視点で議論するこをは極めて有益である。本研究では、国際会議開催の準備段階として、Cat-CVD法ならびに関連周辺分野の研究者で研究組織を結成し、Cat-CVD法と周辺技術の現状における問題点とその解決手段を広く調査し、平成12年度に開催予定の国際会議のプログラム編成に役立て、同会議を一層充実したものにすることを目的とした。調査の結果、ホットワイアセル法においてジシランを用いることにより堆積速度28Å/sで多結晶シリコン膜が得られること、Cat-CVD法により16.5Å/Sの高速でアモルファスシリコン膜を堆積しても初期効率9.8%の太陽電池が得られること、Cat-CVD法で作製したアモルファスシリコン膜がマイクロマシンに適用可能であることなどが明らかになった。今年度得られた調査結果は、研究代表者の主催で開催したInternational Pre-Workshop on Cat-CVD(Hot-WireCVD)Processにおいて公開し、Extended Abstractを発行した。当該Workshopには国内外から110名の参加者があり、Cat-CVD法の普及ならびに育成に貢献するとともに、Workshopでの議論は平成12年11月に開催予定の国際会議のプログラム編成に役立てることができた。

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  • 青色半導体レーザと強誘電体光導波路の一体型新規光学素子のための複合材料創製

    研究課題/領域番号：10650005

    1998年 - 1999年

    制度名：科学研究費助成事業

    研究種目：基盤研究(C)

    提供機関：日本学術振興会

    増田 淳, 清水 立生, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 森本 章治

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    配分額：4000000円 （ 直接経費：4000000円 ）

    青色半導体レーザと酸化物強誘電体光導波路の集積化により、表面弾性波を用いた一体型青色レーザスキャナなどの新規光学素子を開発することを目的に、青色半導体レーザ材料である窒化ガリウム(GaN)上に酸化物強誘電体であるチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜を形成することを試みた。その結果、(100)面のガリウム砒素(GaAs)を基板として、有機金属化学気相成長法で形成したGaN薄膜上に、レーザアブレーション法によりPZT薄膜を形成することに初めて成功した。この際、PZTとGaN間に酸化マグネシウム(MgO)バッファ層を導入することの効果についても検討した。MgOバッファ層はGaN上にcube on cubeの関係でエピタキシャル成長した。MgOバッファ層の導入により、GaN層への酸素の拡散や、PZTとGaN間の金属元素の相互拡散が抑制できることを見出した。さらに、MgOバッファ層を用いない場合にはPZT薄膜はランダム配向であったが、MgOバッファ層の導入により[100]優先配向PZT薄膜が得られた。
    次に、GaNの結晶性と耐酸化性の相関を、六法晶混在比の大きい試料、X線回折の半値幅の大きい試料ならびに高品質試料の3種類のGaN薄膜の比較により検討した。その結果、結晶性の劣るGaN薄膜の方が耐酸化性に優れることを見出した。また、酸素雰囲気曝露により、GaN薄膜の結晶性が劣化し、表面粗さは減少することも明らかになった。

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  • 界面制御によるシリコン基板上への強誘電体薄膜のヘテロエピタキシャル成長

    研究課題/領域番号：09450125

    1997年 - 1998年

    制度名：科学研究費助成事業

    研究種目：基盤研究(B)

    提供機関：日本学術振興会

    堀田 將, 増田 淳

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    配分額：6800000円 （ 直接経費：6800000円 ）

    (1) YSZ薄膜をSi基板上に800°Cで形成し、冷却速度を0.1〜1000K/sと変えて室温まで冷却後、その試料のC-V特性を測定したところ、C-V特性には殆ど変化が見られなかった。しかし、経時絶縁破壊特性において、冷却速度が1〜10K/sである試料が最も良い特性を示した。
    (2) 高密度プラズマが試料に直接当たるようにした試料と、できるだけそれを抑制した試料のC-V特性を比較したところ、プラズマに直接当たった方が、可動イオンによる大きいヒステリシス幅を観測した。
    (3) 基板温度460,470°Cの低温で作製したPZT薄膜は、従来と異なる単斜晶系の(110)PZTとして(100)YSZ薄膜上にヘテロエピタキシャル成長した。この薄膜は、300,325,350ﾟCと段階的にアニールしたところ、リーク電流密度が3Vで1x10^<-7>A/cm^2以下に低減し、C-V特性が分極に起因したヒステリシス特性を示した。
    (4) Ir薄膜は基板温度600°CでYSZ層上にエピタキシャル成長するが、堆積速度が0.42nm/minと遅いと(100)主配向膜となり、1.2nm/minと速いと(111)主配向膜となることがわかった。この(100)主配向膜は、YSZ層の結晶性を是正するのに有効であった。
    (5) エピタキシャル(001)PZT薄膜は(100)主配向あるいは混合配向Ir膜上に基板温度600°Cで、エピタキシャル(111)PZT薄膜は(111)主配向Ir膜上に基板温度650°C以上で得られた。
    (6) PZT薄膜の配向が(001)に強くなればなるほど、またその結晶性が良くなればなるほど、その残留分極が大きくなり、リーク電流が減少する傾向にあった。
    (7) YSZ層の誘電率の低下の原因が、YSZ層とSi基板との間に存在する約2.5nmの酸化Si層であることがわかった。この酸化Si層は、YSZ層形成温度の低減と、Zr_+Y金属膜の堆積制御により1.3nmに低減出来ることがわかった。

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  • 金属/金属酸化物絶縁体/金属・トンネル接合を用いた新トランジスタ

    研究課題/領域番号：08455163

    1996年

    制度名：科学研究費助成事業

    研究種目：基盤研究(B)

    提供機関：日本学術振興会

    松村 英樹, 増田 淳, 和泉 亮

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    配分額：6700000円 （ 直接経費：6700000円 ）

    本研究は、金属とその金属の酸化物である絶縁体とを用い、従来の半導体を用いたものとは全く異なる原理で動作するトランジスタを開発することを念頭に行なったものである。本研究の方法により、ナノ・メータ・サイズのトランジスタを実現し、現在の半導体集積回路の集積度を一挙に1000倍以上引き上げることを究極の目標としているが、本研究ではそのための基礎的要件、特に10ナノ・メータ・サイズの超微細スリットを有するマスクを形成する新手法を提案し、その妥当性について検討を加えた。
    本研究提案の方法とは、金属配線の一部をドライ・エッチングにより垂直に切り立たせ、その端面に横方向に金属酸化物を成長させ、さらに金属配線の残りの部分に金属を堆積することで、横方向に金属/金属酸化物/金属の構造を形成し、その金属酸化物部分をエッチングしてその厚み相当の開口部を有するマスクを製作するというものである。そして、金属としてチタンを、酸化物の形成法としては陽極酸化法を用いることでマスクの製作を試み、その形状を電子顕微鏡、原子間力顕微鏡により観察した。その結果、本研究提案の方法により、20nmの幅のスリットを持つマスクの製作に成功し、本研究提案の方法の有効性を確認した。

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  • 界面制御した酸化物薄膜のシリコン基板上へのヘテロエピタキシャル成長

    研究課題/領域番号：07650362

    1995年 - 1996年

    制度名：科学研究費助成事業

    研究種目：基盤研究(C)

    提供機関：日本学術振興会

    堀田 將, 増田 淳

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    配分額：2100000円 （ 直接経費：2100000円 ）

    YSZ膜の膜質のY量依存性を検討した後、YSZ膜上にPZT膜を堆積してその緩衝層としての有効性を確認した。
    (1) Y組成比2.3-19.7at. %の試料は、室温においてもSi基板上に立方晶YSZ薄膜がヘテロエピタキシャル成長していることがわかった。これに対し、Y組成比1.2at%の試料は、膜厚が20nm程度までは、室温及び堆積温度である800℃において立方晶となったが、膜厚が100nmになると、堆積温度である800℃では立方晶であるが、室温まで温度を下げることで、Si界面から20nm程度の膜厚までは立方晶、それ以上の膜厚部分において単斜晶となった。
    (2) Y量が無いZrO_2膜の場合は、膜厚が10nmでは、Si (100)基板上に単斜晶(100)がヘテロエピタキシャル成長しており、また、膜厚が100nmでは、Si (100)基板面より約9°傾いて、単斜晶(100)面が配向していた。
    (3)電気的特性測定の結果以下の結論を得た。YSZ薄膜が立方晶を維持してY組成比が減少した場合、それと共にリ-ク電流や電気容量-電圧特性(C-V)特性のイオンドリフトにおけるヒステリシス幅も増加し、電気的特性としては悪化した。しかし、更にYSZ薄膜が単斜晶となるまでY組成を減少させると、逆にリ-ク電流及びヒステリシス幅が減少した。これは、立方晶の状態では、Y量が減少すると膜の結晶性が悪化し、それとともに膜に歪みが増加するためと考えている。
    (4) Y組成比9.4at. %のYSZ薄膜上にPZT膜を堆積したところ、YSZの膜厚が10nmと薄くてもPZT膜とSiとは反応せず、強誘電性を示すPZT薄膜が形成できた。しかしYSZの膜厚がまだ厚いため、動作電圧が高く、今後さらにYSZ膜の膜厚を減少させ、またより質のよいYSZ膜でPZTを堆積する必要があると考えている。

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  • 触媒化学気相成長法による薄膜作製

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  • 薄膜シリコン太陽電池

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  • 薄膜トランジスタ

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  • 触媒化学気相成長により堆積したアモルファスならびに多結晶シリコン薄膜の評価

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  • Integration Technique of Oxide Ferroelectric Thin Films and Semiconductors

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  • Mechanism of Pulsed Laser Ablation

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  • Characterization of Amorphous and Polycrystalline Silicon Films Prepared by Catalytic Chemical Vapor Deposition

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  • Thin-film formation by catalytic chemical vapor deposition

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  • Thin film silicon solar cells

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  • Thin-film transistors

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  • 酸化物強誘電体薄膜と半導体の集積化技術

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  • レーザアブレーションの機構解明

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担当経験のある授業科目

  • アドバンストテクノロジー

    2025年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 企業における生産・開発I

    2025年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 課題解決プロジェクトI

    2025年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 企業における生産・開発II

    2025年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 課題解決プロジェクトII

    2025年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 電子物性工学II

    2024年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 課題発見プロジェクト

    2024年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 論文輪講

    2024年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 自然科学総論III

    2024年
    機関名：新潟大学

  • 科学技術表現法

    2023年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 物理工学IV

    2023年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • ロジカルスピーキング

    2023年
    機関名：新潟大学

  • ソーラー水素エネルギー概論

    2023年
    機関名：新潟大学

  • 電子光デバイス特論

    2022年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 卒業研修

    2022年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 太陽光発電工学特論

    2022年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 卒業研究

    2022年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 総合工学概論

    2022年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 論文輪講II

    2022年
    -
    2023年
    機関名：新潟大学

  • 論文輪講I

    2022年
    -
    2023年
    機関名：新潟大学

  • 産業技術政策特論

    2022年
    機関名：新潟大学

  • ディベートI

    2021年
    機関名：新潟大学

  • 技術者としてのキャリア形成入門演習

    2021年
    機関名：新潟大学

  • 課題解決インターンシップIII

    2020年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • リメディアル演習

    2020年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 課題解決インターンシップII

    2020年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 協創経営概論

    2020年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • 総合技術科学演習

    2020年
    -
    現在
    機関名：新潟大学

  • キャリアデザイン・インターンシップII

    2020年
    -
    2022年
    機関名：新潟大学

  • ロジカルライティング

    2020年
    -
    2022年
    機関名：新潟大学

  • 工学リテラシー入門(融合領域分野)

    2020年
    -
    2021年
    機関名：新潟大学

  • 課題解決インターンシップI

    2020年
    -
    2021年
    機関名：新潟大学

  • キャリアデザイン・インターンシップI

    2020年
    -
    2021年
    機関名：新潟大学

  • ディベートIII

    2020年
    機関名：新潟大学

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