工学部 工学科 教授
自然科学研究科 電気情報工学専攻 教授
2025/10/09 更新
博士(工学) ( 1996年3月 金沢大学 )
修士(工学) ( 1992年3月 金沢大学 )
経済学士 ( 1990年3月 京都大学 )
semiconductor
化学気相成長
半導体
chemical vapor deposition
ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学
ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性
ナノテク・材料 / 結晶工学
ナノテク・材料 / 応用物性
- Research Associate, School of Materials Science,
1996年
- 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 助手
1996年
日本学術振興会 特別研究員
1994年 - 1996年
Research Fellow of the Japan Society for
1994年 - 1996年
the Promotion of Science
北陸先端科学技術大学院大学
新潟大学 教育研究院 自然科学系 生産デザイン工学系列 教授
2025年7月 - 現在
新潟大学 工学部 工学科 教授
2020年4月 - 現在
金沢大学 自然科学研究科 物質科学
- 1996年
国名: 日本国
金沢大学 Graduate School, Division of National Science and Technology
- 1996年
京都大学 経済学部 経営
- 1990年
国名: 日本国
京都大学 Faculty of Economics
- 1990年
Influences of surface contaminating elements on potential-induced degradation of crystalline silicon solar cells
Yiming Qin, Asahi Yonemoto, Marwan Dhamrin, Keisuke Ohdaira, Kazuhiro Gotoh, Atsushi Masuda
Solar Energy Materials and Solar Cells 282 113413 - 113413 2025年4月
Yasuo Chiba, Tetsuyuki Ishii, Ritsuko Sato, Sungwoo Choi, Minoru Akitomi, Atsushi Masuda
Japanese Journal of Applied Physics 62 ( SK ) SK1036 - SK1036 2023年5月
Nobuhito Imajo, Yo Yamakawa, Hiroaki Takahashi, Keisuke Ohdaira, Atsushi Masuda
Japanese Journal of Applied Physics 62 ( SK ) SK1025 - SK1025 2023年4月
Keisuke OHDAIRA, Yutaka Komatsu, Seira Yamaguchi, Atsushi MASUDA
Japanese Journal of Applied Physics 2023年4月
Potential-induced degradation of n-type front-emitter crystalline silicon photovoltaic modules — Comparison between indoor and outdoor test results
Keisuke Ohdaira, Minoru Akitomi, Yasuo Chiba, Atsushi Masuda
Solar Energy Materials and Solar Cells 249 112038 - 112038 2023年1月
Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Kazuhiro Marumoto, Keisuke Ohdaira
Advanced Energy and Sustainability Research 2200167 - 2200167 2022年12月
Seira Yamaguchi, Sachiko Jonai, Kyotaro Nakamura, Kazuhiro Marumoto, Yoshio Ohshita, Atsushi Masuda
ACS Omega 2022年10月
Seira Yamaguchi, Kyotaro Nakamura, Taeko Semba, Keisuke Ohdaira, Kazuhiro Marumoto, Yoshio Ohshita, Atsushi Masuda
Energy Science & Engineering 10 ( 7 ) 2268 - 2275 2022年3月
Jiaming Xu, Huynh Thi Cam Tu, Atsushi MASUDA, Keisuke OHDAIRA
Japanese Journal of Applied Physics 61 ( SC ) SC1021 - SC1021 2021年12月
Seira Yamaguchi, Bas B. Van Aken, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira
Solar RRL 5 ( 12 ) 2100708 - 2100708 2021年11月
Rongrong Zhao, Huynh Thi Cam Tu, Atsushi MASUDA, Keisuke OHDAIRA
Japanese Journal of Applied Physics 61 ( SB ) SB1023 - SB1023 2021年9月
Effects of passivation configuration and emitter surface doping concentration on polarization-type potential-induced degradation in n-type crystalline-silicon photovoltaic modules
Seira Yamaguchi, Bas B. Van Aken, Maciej K. Stodolny, Jochen Löffler, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira
Solar Energy Materials and Solar Cells 226 111074 - 111074 2021年7月
Yuansong Xu, Atsushi MASUDA, Keisuke OHDAIRA
Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SB ) SBBF08 - SBBF08 2021年1月
Potential-induced degradation in photovoltaic modules composed of interdigitated back contact solar cells in photovoltaic systems under actual operating conditions
Tetsuyuki Ishii, Sungwoo Choi, Ritsuko Sato, Yasuo Chiba, Atsushi Masuda
PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS 28 ( 12 ) 1322 - 1332 2020年12月
Tomoyasu Suzuki, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira
Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 10 ) 104002 - 104002 2020年10月
Influence of emitter position of silicon heterojunction photovoltaic solar cell modules on their potential-induced degradation behaviors 査読
Seira Yamaguchi, Chizuko Yamamoto, Yoshio Ohshita, Keisuke Ohdaira, Atsushi Masuda
Solar Energy Materials and Solar Cells 216 110716 - 110716 2020年10月
Atsushi MASUDA, Chizuko Yamamoto, Yukiko Hara, Sachiko Jonai, Yasushi Tachibana, Takeshi Toyoda, Toshiharu Minamikawa, Seira Yamaguchi, Keisuke OHDAIRA
Japanese Journal of Applied Physics 2020年6月
Influence of backsheet materials on potential-induced degradation in n-type crystalline-silicon photovoltaic cell modules 査読
Seira Yamaguchi, Chizuko Yamamoto, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira
Japanese Journal of Applied Physics 58 120901 2019年12月
Effect of additives in electrode paste of p-type crystalline Si solar cells on potential-induced degradation 査読
Sachiko Jonai, Aki Tanaka, Kazuo Muramatsu, Genki Saito, Kyotaro Nakamura, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Atsushi Masuda
Solar Energy 188 1292 - 1297 2019年8月
Correction: Corrosion-induced AC impedance elevation in front electrodes of crystalline silicon photovoltaic cells within field-aged photovoltaic modules (IEEE Journal of Photovoltaics (2019) 9:3 (741-751) DOI: 10.1109/JPHOTOV.2019.2893442)
Tadanori Tanahashi, Norihiko Sakamoto, Hajime Shibata, Atsushi Masuda
IEEE Journal of Photovoltaics 9 ( 4 ) 1154 2019年7月
Corrosion under Front Electrodes of Crystalline Silicon Photovoltaic Cells Predominantly Contributes to Their Performance Degradation
Tadanori Tanahashi, Norihiko Sakamoto, Hajime Shibata, Atsushi Masuda
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2013 - 2016 2019年6月
Influence of sodium on the potential-induced degradation for n-type crystalline silicon photovoltaic modules 査読
Keisuke Ohdaira, Yutaka Komatsu, Tomoyasu Suzuki, Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda
Applied Physics Express 12 064004 2019年5月
Seira Yamaguchi, Kyotaro Nakamura, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 ( 12 ) 122301 - 122301 2018年11月
Performance degradation due to outdoor exposure and seasonal variation in amorphous silicon photovoltaic modules 査読
Sungwoo CHOI, Tetsuyuki ISHII, Ritsuko SATO, Yasuo CHIBA, Atsushi MASUDA
Thin Solid Films 661 116 - 121 2018年9月
Sodium distribution at the surface of silicon nitride film after potential-induced degradation test and recovery test of photovoltaic modules
Fumitaka Ohashi, Yoshiki Mizuno, Hiroki Yoshida, Hiroya Kosuga, Taishi Furuya, Ryo Fuseya, Ruben Jerónimo Freitas, Yukiko Hara, Atsushi Masuda, Shuichi Nonomura
Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 8 ) 2018年8月
Localization and characterization of a degraded site in crystalline silicon photovoltaic cells exposed to acetic acid vapor 査読
Tadanori Tanahashi, Norihiko Sakamoto, Hajime Shibata, Atsushi Masuda
IEEE Journal of Photovoltaics 8 ( 4 ) 997 - 1004 2018年7月
Multistage performance deterioration in n-type crystalline silicon photovoltaic modules undergoing potential-induced degradation 査読
Yutaka Komatsu, Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira
Microelectronics Reliability 84 127 - 133 2018年5月
Comprehensive study of potential-induced degradation in silicon heterojunction photovoltaic cell modules 査読
Seira Yamaguchi, Chizuko Yamamoto, Keisuke Ohdaira, Atsushi Masuda
Progress in Photovoltaics: Research and Applications 26 697 - 708 2018年4月
Guiding principle for crystalline Si photovoltaic modules with high tolerance to acetic acid 査読
Atsushi Masuda, Yukiko Hara
Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 4 ) 2018年4月
Durable crystalline Si photovoltaic modules based on silicone-sheet encapsulants 査読
Kohjiro Hara, Hiroto Ohwada, Tomoyoshi Furihata, Atsushi Masuda
Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 2 ) 2018年2月
Bending cyclic load test for crystalline silicon photovoltaic modules 査読
Soh Suzuki, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Tadanori Tanahashi
Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 2 ) 2018年2月
Annual degradation rates of recent crystalline silicon photovoltaic modules 査読
Tetsuyuki Ishii, Atsushi Masuda
Progress in Photovoltaics: Research and Applications 25 ( 12 ) 953 - 967 2017年12月
Causes of Degradation Identified by the Extended Thermal Cycling Test on Commercially Available Crystalline Silicon Photovoltaic Modules 査読
Shinji Kawai, Tadanori Tanahashi, Yutaka Fukumoto, Fujio Tamai, Atsushi Masuda, Michio Kondo
IEEE Journal of Photovoltaics 7 ( 6 ) 1511 - 1518 2017年11月
Time-dependent changes in copper indium gallium (di)selenide and cadmium telluride photovoltaic modules due to outdoor exposure
Choi Sungwoo, Sato Ritsuko, Ishii Tetsuyuki, Chiba Yasuo, Masuda Atsushi
Jpn. J. Appl. Phys. 56 ( 8 ) 08MD06 2017年7月
Kohjiro Hara, Kinichi Ogawa, Yusuke Okabayashi, Hiroyuki Matsuzaki, Atsushi Masuda
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 166 132 - 139 2017年7月
Potential-induced degradation of thin-film Si photovoltaic modules 査読
Atsushi Masuda, Yukiko Hara
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 4 ) 2017年4月
Reduction in the short-circuit current density of silicon heterojunction photovoltaic modules subjected to potential-induced degradation tests 査読
Seira Yamaguchi, Chizuko Yamamoto, Keisuke Ohdaira, Atsushi Masuda
Solar Energy Materials and Solar Cells 161 439 - 443 2017年3月
Effect of light irradiation and forward bias during PID tests of CIGS PV modules 査読
Hiroshi Tomita, Kinichi Ogawa, Darshan Schmitz, Hajime Shibata, Shuuji Tokuda, Atsushi Masuda
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 10370 2017年
Microscopic aspects of potential-induced degradation phenomena and their recovery processes for p-type crystalline Si photovoltaic modules 査読
Atsushi Masuda, Minoru Akitomi, Masanao Inoue, Keizo Okuwaki, Atsuo Okugawa, Kiyoshi Ueno, Toshiharu Yamazaki, Kohjiro Hara
Current Applied Physics 16 ( 12 ) 1659 - 1665 2016年12月
Potential-induced degradation behavior of n-type single-crystalline silicon photovoltaic modules with a rear-side emitter 査読
Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2016- 938 - 942 2016年11月
Progression of rapid potential-induced degradation of n-type single-crystalline silicon photovoltaic modules 査読
Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira
Applied Physics Express 9 ( 11 ) 2016年11月
Changes in the current density-voltage and external quantum efficiency characteristics of n-type single-crystalline silicon photovoltaic modules with a rear-side emitter undergoing potential-induced degradation 査読
Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira
Solar Energy Materials and Solar Cells 151 113 - 119 2016年7月
Effects of UV on power degradation of photovoltaic modulesin combined acceleration tests 査読
Trang Ngo, Yushi Heta, Takuya Doi, Atsushi Masuda
Japanese Journal of Applied Physics 55 ( 5 ) 2016年5月
Sequential and combined acceleration tests for crystalline Si photovoltaic modules 査読
Atsushi Masuda, Chizuko Yamamoto, Naomi Uchiyama, Kiyoshi Ueno, Toshiharu Yamazaki, Kazunari Mitsuhashi, Akihiro Tsutsumida, Jyunichi Watanabe, Jyunko Shirataki, Keiko Matsuda
Japanese Journal of Applied Physics 55 ( 4 ) 2016年4月
Behavior of the potential-induced degradation of photovoltaic modules fabricated using flat mono-crystalline silicon cells with different surface orientations 査読
Seira Yamaguchi, Atsushi Masuda, Keisuke Ohdaira
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 4 ) 2016年4月
Consortium style study on the development of highly reliable photovoltaic modules and acceleration test methods: Management of the “consortium study on fabrication and characterization of solar cell modules with long life and high reliability” 査読
Atsushi Masuda, Nanako Igawa
Synthesiology 9 ( 1 ) 42 - 54 2016年3月
Consortium style study on the development of highly reliable photovoltaic modules and acceleration test methods: Management of the “consortium study on fabrication and characterization of solar cell modules with long life and high reliability” 査読
Atsushi Masuda, Nanako Igawa
Synthesiology 9 ( 1 ) 39 - 50 2016年3月
Consideration on Na diffusion and recovery phenomena in potential-induced degradation for crystalline Si photovoltaic modules 査読
Atsushi Masuda, Yukiko Hara, Sachiko Jonai
Japanese Journal of Applied Physics 55 ( 2 ) 2016年2月
Acceleration of degradation by highly accelerated stress test and air-included highly accelerated stress test in crystalline silicon photovoltaic modules 査読
Soh Suzuki, Tadanori Tanahashi, Takuya Doi, Atsushi Masuda
Japanese Journal of Applied Physics 55 ( 2 ) 2016年2月
Multi angle laser light scattering evaluation of field exposed thermoplastic photovoltaic encapsulant materials 査読
Michael D. Kempe, David C. Miller, John H. Wohlgemuth, Sarah R. Kurtz, John M. Moseley, Dylan l. Nobles, Katherine M. Stika, Yefim Brun, Sam L. Samuels, Qurat Annie Shah, Govindasamy Tamizhmani, Keiichiro Sakurai, Masanao Inoue, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Crystal E. Vanderpan
Energy Science and Engineering 4 ( 1 ) 40 - 51 2016年1月
Direct Evidence for pn Junction without Degradation in Crystalline Si Photovoltaic Modules under Hygrothermal Stresses 査読
Atsushi Masuda, Chizuko Yamamoto, Tadanori Tanahashi, Hitoshi Sai, Takuya Matsui
2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 904 - 906 2016年
Electrical Detection of Gap Formation underneath Finger Electrodes on c-Si PV Cells Exposed to Acetic Acid Vapor under Hygrothermal Conditions 査読
Tadanori Tanahashi, Norihiko Sakamoto, Hajime Shibata, Atsushi Masuda
2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 1075 - 1079 2016年
Proposed new damp heat test standards for commercial CIGS modules with bias application or light irradiation 査読
Keiichiro Sakurai, Hiroshi Tomita, Kinichi Ogawa, Darshan Schmitz, Hajime Shibata, Shuuji Tokuda, Atsushi Masuda
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 9938 2016年
Field testing of thermoplastic encapsulants in high-temperature installations 査読
Michael D. Kempe, David C. Miller, John H. Wohlgemuth, Sarah R. Kurtz, John M. Moseley, Qurat A. Shah, Govindasamy Tamizhmani, Keiichiro Sakurai, Masanao Inoue, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Sam L. Samuels, Crystal E. Vanderpan
Energy Science and Engineering 3 ( 6 ) 565 - 580 2015年11月
Potential-induced degradation in photovoltaic modules based on n-type single crystalline Si solar cells 査読
Kohjiro Hara, Sachiko Jonai, Atsushi Masuda
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 140 361 - 365 2015年9月
Acceleration of potential-induced degradation by salt-mist preconditioning in crystalline silicon photovoltaic modules 査読
Soh Suzuki, Naoki Nishiyama, Seiji Yoshino, Takumi Ujiro, Shin Watanabe, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Tadanori Tanahashi
Japanese Journal of Applied Physics 54 ( 8 ) 2015年8月
Ken Mishina, Atsufumi Ogishi, Kiyoshi Ueno, Sachiko Jonai, Norihiro Ikeno, Tetsuya Saruwatari, Kohjiro Hara, Atsushi Ogura, Toshiharu Yamazaki, Takuya Doi, Makoto Shinohara, Atsushi Masuda
Japanese Journal of Applied Physics 54 ( 8 ) 2015年8月
Development of a pH sensor based on a nanostructured filter adding pH-sensitive fluorescent dye for detecting acetic acid in photovoltaic modules 査読
Takashi Asaka, Tomohiro Itayama, Hideaki Nagasaki, Kentaro Iwami, Chizuko Yamamoto, Yukiko Hara, Atsushi Masuda, Norihiro Umeda
Japanese Journal of Applied Physics 54 ( 8 ) 2015年8月
Module composition for reliability test of organic photovoltaics 査読
Hideyuki Morita, Masanori Miyashita, Atsushi Masuda
Japanese Journal of Applied Physics 54 ( 8 ) 2015年8月
Relationship between cross-linking conditions of ethylene vinyl acetate and potential induced degradation for crystalline silicon photovoltaic modules 査読
Sachiko Jonai, Kohjiro Hara, Yuji Tsutsui, Hidenari Nakahama, Atsushi Masuda
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 8 ) 2015年8月
An examination of the acceleration method of damp heat test for c-Si PV modules 査読
Soh Suzuki, Tadanori Tanahashi, Takuya Doi, Atsushi Masuda
Journal of Japan Institute of Electronics Packaging 18 ( 4 ) 226 - 234 2015年7月
Potential-induced degradation of Cu(In,Ga)Se2 photovoltaic modules 査読
Seira Yamaguchi, Sachiko Jonai, Kohjiro Hara, Hironori Komaki, Yukiko Shimizu-Kamikawa, Hajime Shibata, Shigeru Niki, Yuji Kawakami, Atsushi Masuda
Jpn. J. Appl. Phys 54 2015年7月
Degradation by acetic acid for crystalline Si photovoltaic modules 査読
Atsushi Masuda, Naomi Uchiyama, Yukiko Hara
Japanese Journal of Applied Physics 54 ( 4 ) 2015年4月
Effects of light illumination during damp/dry heat tests on a flexible thin film photovoltaic module 査読
Keiichiro Sakurai, Akihiro Takano, Masayoshi Takani, Atsushi Masuda
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 9563 2015年
Crystalline Si photovoltaic modules functionalized by a thin polyethylene film against potential and damp-heat-induced degradation 査読
Kohjiro Hara, Sachiko Jonai, Atsushi Masuda
RSC Advances 5 ( 20 ) 15017 - 15023 2015年
Novel lighter weight crystalline silicon photovoltaic module using acrylic-film as a cover sheet 査読
Taira Kajisa, Haruko Miyauchi, Kazumi Mizuhara, Kentaro Hayashi, Tooru Tokimitsu, Masanao Inoue, Kohjiro Hara, Atsushi Masuda
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 9 ) 2014年9月
Investigation on antireflection coating for high resistance to potential-induced degradation 査読
Ken Mishina, Atsufumi Ogishi, Kiyoshi Ueno, Takuya Doi, Kohjiro Hara, Norihiro Ikeno, Daisuke Imai, Tetsuya Saruwatari, Makoto Shinohara, Toshiharu Yamazaki, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Atsushi Masuda
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 3 ) 2014年3月
Crystalline Si photovoltaic modules based on TiO2-coated cover glass against potential-induced degradation 査読
Kohjiro Hara, Hiromichi Ichinose, Takurou N. Murakami, Atsushi Masuda
RSC ADVANCES 4 ( 83 ) 44291 - 44295 2014年
Estimating the manufacturing cost to large-scale power generate polymer based organic photovoltaics 査読
Hiroyuki Ogo, Masaru Nagai, Jiro Tsukahara, Masaki Konishi, Atsushi Masuda, Yuji Yoshida
Nihon Enerugi Gakkaishi/Journal of the Japan Institute of Energy 93 ( 3 ) 271 - 277 2014年
Detection of acid moisture in photovoltaic modules using a dual wavelength pH-sensitive fluorescent dye 査読
Takashi Asaka, Kentaro Iwami, Atsushi Taguchi, Norihiro Umeda, Atsushi Masuda
Japanese Journal of Applied Physics 53 ( 4 ) 2014年
Microscopic degradation mechanisms in silicon photovoltaic module under long-term environmental exposure 査読
Keiko Matsuda, Takeshi Watanabe, Koichi Sakaguchi, Masanobu Yoshikawa, Takuya Doi, Atsushi Masuda
Japanese Journal of Applied Physics 51 ( 10 ) 2012年10月
Early failure detection of interconnection with rapid thermal cycling in photovoltaic modules 査読
Yuichi Aoki, Manabu Okamoto, Atsushi Masuda, Takuya Doi, Tadanori Tanahashi
Japanese Journal of Applied Physics 51 ( 10 ) 2012年10月
Failure assessments for outside-exposed photovoltaic modules 査読
Shigenori Shimizu, Takashi Arai, Tomohiko Sagawa, Yuichi Aoki, Takumi Hirakawa, Hiroshi Hiraike, Shiro Hamamoto, Sadao Sakamoto, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Masaaki Yamamichi
Japanese Journal of Applied Physics 51 ( 10 ) 2012年10月
Measuring method of moisture ingress into photovoltaic modules 査読
Masanori Miyashita, Shinji Kawai, Atsushi Masuda
Japanese Journal of Applied Physics 51 ( 10 ) 2012年10月
A field evaluation of the potential for creep in thermoplastic encapsulant materials 査読
Michael D. Kempe, David C. Miller, John H. Wohlgemuth, Sarah R. Kurtz, John M. Moseley, Qurat Shah, Govindasamy Tamizhmani, Keiichiro Sakurai, Masanao Inoue, Takuya Doi, Atsushi Masuda, Sam L. Samuels, Crystal E. Vanderpan
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 1871 - 1876 2012年
Recent situation and future prospects of photovoltaic industries and technologies 査読
Atsushi Masuda
Journal of the Vacuum Society of Japan 55 ( 12 ) 520 - 528 2012年
増田 淳
日本ゴム協會誌 84 ( 5 ) 153 - 160 2011年5月
フレキシブル太陽電池の高性能化技術開発 ― 「フレキシブル太陽電池基材コンソーシアム」の運営と成果 ―:— 「フレキシブル太陽電池基材コンソーシアム」の運営と成果 —
増田 淳
Synthesiology 4 ( 4 ) 193 - 199 2011年
Investigation on the crystal growth process of spherical Si single crystals by melting 査読
Zhengxin Liu, Atsushi Masuda, Michio Kondo
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311 ( 16 ) 4116 - 4122 2009年8月
Study on silicon-slicing technique using plasma-etching processing 査読
Mitsutaka Yamaguchi, Yoshinori Abe, Atsushi Masuda, Michio Kondo
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 93 ( 6-7 ) 789 - 791 2009年6月
Selective machining of organic thin film photovoltaic cell by a ultra-short pulse laser 査読
Yoshiro Ito, Daisuke Miyata, Rie Tanabe, Masahiro Ichihara, Yoshiko Abe, Eiichi Matsumoto, Tetsuya Taima, Yuji Yoshida, Atsushi Masuda
CLEO/Europe - EQEC 2009 - European Conference on Lasers and Electro-Optics and the European Quantum Electronics Conference 2009年
Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Silicon Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique 査読
Takuya Yorimoto, Seiichiro Higashi, Hirotaka Kaku, Tatsuya Okada, Hideki Murakami, Seiichi Miyazaki, Takuya Matsui, Atsushi Masuda, Michio Kondo
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 ( 8 ) 6949 - 6952 2008年8月
Investigating minority-carrier lifetime in small spherical Si using microwave photoconductance decay 査読
Zhengxin Liu, Atsushi Masuda, Michio Kondo
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 103 ( 10 ) 2008年5月
Coverage properties of SiNx films prepared by catalytic chemical vapor deposition on trenched substrates below 80 C 査読
A. Heya, T. Minamikawa, T. Niki, S. Minami, A. Masuda, H. Umemoto, N. Matsuo, H. Matsumura
Thin Solid Films 516 ( 10 ) 3000 - 3004 2008年3月
Improvement of the uniformity in electronic properties of AZO films using an rf magnetron sputtering with a mesh grid electrode 査読
Kanji Yasui, Akira Asano, Miku Otsuji, Hironori Katagiri, Atsushi Masuda, Hiroshi Nishiyama, Yasunobu Inoue, Masasuke Takata, Tadashi Akahane
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 148 ( 1-3 ) 26 - 29 2008年2月
Epitaxial growth of SiC on silicon on insulator substrates with ultrathin top Si layer by hot-mesh chemical vapor deposition 査読
Hitoshi Miura, Kanji Yasui, Kazuki Abe, Atsushi Masuda, Yuichiro Kuroki, Hiroshi Nishiyama, Masasuke Takata, Yasunobu Indue, Tadashi Akahane
Japanese Journal of Applied Physics 47 ( 1 ) 569 - 572 2008年1月
Cat-CVD SiN passivation films for OLEDs and packaging 査読
Akira Heya, Toshiharu Minamikawa, Toshikazu Niki, Shigehira Minami, Atsushi Masuda, Hironobu Umemoto, Naoto Matsuo, Hideki Matsumura
Thin Solid Films 516 ( 5 ) 553 - 557 2008年1月
Estimation of moisture barrier ability of thin SiNx single layer on polymer substrates prepared by Cat-CVD method 査読
K. Saitoh, R. S. Kumar, S. Chua, A. Masuda, H. Matsumura
THIN SOLID FILMS 516 ( 5 ) 607 - 610 2008年1月
Properties of Surface-Modification Layer Generated by Atomic Hydrogen Annealing on Poly(ethylene naphthalate) Substrate 査読
A. Heya, T. Minamikawa, T. Niki, S. Minami, A. Masuda, H. Umemoto, N. Matsuo, H. Matsumura
Jpn. J. Appl. Phys. 47 266 - 268 2008年
A concentrator module of spherical Si solar cell 査読
Zhengxin Liu, Atsushi Masuda, Takehiko Nagai, Takashi Miyazaki, Miwako Takano, Masahiro Takano, Haruyuki Yoshigahara, Kazutoshi Sakai, Koichi Asai, Michio Kondo
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 91 ( 19 ) 1805 - 1810 2007年11月
Improvement of the production yield of spherical si by optimization of the seeding technique in the dropping method 査読
Zhengxin Liu, Koichi Asai, Atsushi Masuda, Takehiko Nagai, Yoshihiro Akashi, Mikio Murozono, Michio Kondo
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46 ( 9A ) 5695 - 5700 2007年9月
Seeding method with silicon powder for the formation of silicon spheres in the drop method 査読
Zhengxin Liu, Takehiko Nagai, Atsushi Masuda, Michio Kondo, Kazutoshi Sakai, Koichi Asai
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 101 ( 9 ) 2007年5月
Characterization of spherical Si by photoluminescence measurement 査読
Takehiko Nagai, Zhengxin Liu, Atsushi Masuda, Michio Kondo
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 101 ( 10 ) 5 2007年5月
Defect reduction in polycrystalline silicon thin films by heat treatment with high-pressure H2O vapor 査読
Toshiyuki Sameshima, Hiromi Hayasaka, Masato Maki, Atsushi Masuda, Takuya Matsui, Michio Kondo
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46 ( 3B ) 1286 - 1289 2007年3月
Systematic study on photoresist removal using hydrogen atoms generated on heated catalyzer 査読
Kouhei Hashimoto, Atsushi Masuda, Hideki Matsumura, Tomoatsu Ishibashi, Kazuhisa Takao
Thin Solid Films 501 ( 1-2 ) 326 - 328 2006年4月
High-rate deposition of SiNx films over 100 nm/min by Cat-CVD method at low temperatures below 80 ℃ 査読
T. Osono, A. Heya, T. Niki, T. Minamikawa, S. Muroi, A. Masuda, H. Umemoto, H. Matsumura
Thin Solid Films 501 ( 1-2 ) 55 - 57 2006年4月
Formation of highly moisture-resistive SiNx films on Si substrate by Cat-CVD at room temperature 査読
Toshiharu Minamikawa, Akira Heya, Toshikazu Niki, Masahiro Takano, Yasuto Yonezawa, Susumu Muroi, Shigehira Minami, Atsushi Masuda, Hironobu Umemoto, Hideki Matsumura
Thin Solid Films 501 ( 1-2 ) 154 - 156 2006年4月
Grain enlargement of polycrystalline silicon by multipulse excimer laser annealing: Role of hydrogen 査読
Naoya Kawamoto, Atsushi Masuda, Naoto Matsuo, Yasuhiro Seri, Toshimasa Nishimori, Yoshitaka Kitamon, Hideki Matsumura, Hiroki Hamada, Tadaki Miyoshi
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 45 ( 4 A ) 2726 - 2730 2006年4月
Preparation of SiNx gate-insulating films for bottom-gate type TFTs by Cat-CVD method 査読
Y Seri, A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 501 ( 1-2 ) 307 - 309 2006年4月
Present status and future feasibility for industrial implementation of Cat-CVD (Hot-Wire CVD) technology 査読
H Matsumura, A Masuda, H Untemoto
THIN SOLID FILMS 501 ( 1-2 ) 58 - 60 2006年4月
Various applications of silicon nitride by catalytic chemical vapor deposition for coating, passivation and insulating films 査読
A Masuda, H Umemoto, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 501 ( 1-2 ) 149 - 153 2006年4月
H-2 dilution effect in the Cat-CVD processes of the SiH4/NH3 system 査読
SG Ansari, H Umemoto, T Morimoto, K Yoneyama, A Izumi, A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 501 ( 1-2 ) 31 - 34 2006年4月
T Kitamura, K Honda, M Nishimura, K Sugita, K Takemoto, Y Yamaguchi, Y Toyama, T Yamamoto, S Miyazaki, M Eguchi, T Harano, T Sugano, N Yoshida, A Masuda, T Itoh, T Toyama, S Nonomura, H Okamoto, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 501 ( 1-2 ) 264 - 267 2006年4月
Improvement of crystallinity and solar cell efficiency of spherical silicon by seeding crystallization techniques 査読
Zhengxin Liu, Atsushi Masuda, Kazutoshi Sakai, Koichi Asai, Michio Kondo
CONFERENCE RECORD OF THE 2006 IEEE 4TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION, VOLS 1 AND 2 1238 - 1241 2006年
Air-stable n-type carbon nanotube field-effect transistors with Si 3N4 passivation films fabricated by catalytic chemical vapor deposition 査読
Daisuke Kaminishi, Hirokazu Ozaki, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue, Kazuhiko Matsumoto, Yasuhiro Seri, Atsushi Masuda, Hideki Matsumura
Applied Physics Letters 86 ( 11 ) 1 - 3 2005年3月
Cat-CVD 法によるガスバリア膜の低温形成
増田 淳, 仁木 敏一, 部家 彰, 南川 俊治, 梅本 宏信, 松村 英樹
セラミックス 40 ( 2 ) 82 - 87 2005年2月
Quantification of gas-phase H-atom number density by tungsten phosphate glass 査読
T Morimoto, H Umemoto, K Yoneyama, A Masuda, H Matsumura, K Ishibashi, H Tawarayama, H Kawazoe
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44 ( 1B ) 732 - 735 2005年1月
Contamination removal from EUV multilayer using atomic hydrogen generated by heated catalyzer 査読
H. Oizumi, H. Yamanashi, I. Nishiyama, K. Hashimoto, S. Ohsono, A. Masuda, A. Izumi, H. Matsumura
Progress in Biomedical Optics and Imaging - Proceedings of SPIE 5751 ( II ) 1147 - 1154 2005年
Effect of atomic hydrogen on preparation of highly moisture-resistive SiNx films at low substrate temperatures 査読
Akira Heya, Toshikazu Niki, Masahiro Takano, Yasuto Yonezawa, Toshiharu Minamikawa, Susumu Muroi, Shigehira Minami, Akira Izumi, Atsushi Masuda, Hironobu Umemoto, Hideki Matsumura
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 43 ( 12 A ) L1546 - L1548 2004年12月
Highly moisture-resistive SiNx films prepared by catalytic chemical vapor deposition 査読
Akira Heya, Toshikazu Niki, Yasuto Yonezawa, Toshiharu Minamikawa, Susumu Muroi, Akira Izumi, Atsushi Masuda, Hironobu Umemoto, Hideki Matsumura
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 43 ( 10 B ) L1362 - L1364 2004年10月
Correlation between O/Er content ratio and photoluminescence intensity of (Er, O)-doped hydrogenated amorphous Si thin films prepared by a catalytic chemical vapor deposition/laser ablation hybrid process 査読
Joe Sakai, Atsushi Masuda, Haruo Akiyama, Osamu Eryu, Kenshiro Nakashima, Hideki Matsumura
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 43 ( 7 A ) 4198 - 4201 2004年7月
Study on change in SIMS intensities near the interface between silicon-nitride film and silicon substrate 査読
Takahiro Hasegawa, Tomotsugu Date, Akiya Karen, Atsushi Masuda
Applied Surface Science 231-232 725 - 728 2004年6月
Catalytic decomposition of HCN on heated W surfaces to produce CN radicals 査読
H Umemoto, T Morimoto, M Yamawaki, Y Masuda, A Masuda, H Matsumura
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 338 65 - 69 2004年6月
Highly moisture-resistive silicon nitride films prepared by catalytic chemical vapor deposition and application to gallium arsenide field-effect transistors 査読
A Masuda, M Totsuka, T Oku, R Hattori, H Matsumura
VACUUM 74 ( 3-4 ) 525 - 529 2004年6月
Cat-CVD (hot-wire CVD): how different from PECVD in preparing amorphous silicon 査読
H Matsumura, H Umemoto, A Masuda
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 338 19 - 26 2004年6月
T Itoh, Y Hasegawa, T Fujiwara, A Masuda, S Nonomura
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 338 123 - 126 2004年6月
Nitridation of ultrathin SiO2 layers in metal-ferroelectric- insulator-semiconductor structures 査読
Masakazu Hirakawa, Gen Hirooka, Minoru Noda, Masanori Okuyama, Kazuhiro Honda, Atsushi Masuda, Hideki Matsumura
Integrated Ferroelectrics 68 29 - 36 2004年
Effect of H2 dilution in the catalytic CVD processes of SiH4/NH3 system 査読
Takashi Morimoto, Shafeeque A.A.G. Ansari, Koji Yoneyama, Hironobu Umemoto, Atsushi Masuda, Hideki Matsumura
IMFEDK 2004 - International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 97 - 98 2004年
Cat-CVD法により形成したSiNx膜の応力制御(S05-3 薄膜の強度物性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
高野 昌宏, 部家 彰, 仁木 敏一, 米澤 保人, 南川 俊治, 室井 進, 増田 淳, 梅本 宏信, 松村 英樹
年次大会講演論文集 2004 387 - 388 2004年
Radical species formed by the catalytic decomposition of NH3 on heated W surfaces 査読
H Umemoto, K Ohara, D Morita, T Morimoto, M Yamawaki, A Masuda, H Matsumura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 42 ( 8 ) 5315 - 5321 2003年8月
Catalytic Chemical Vapor Deposition: Recent Development and Future Prospects 査読
Atsushi Masuda, Akira Izumi, Hironobu Umemoto, Hideki Matsumura
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan 46 ( 2 ) 92 - 97 2003年
Preferential In-N bond formation in InGaAsN layers 査読
M Uchida, A Masuda, A Yamamoto, A Hashimoto
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS 0 ( 7 ) 2745 - 2748 2003年
Preferential In-N bond formation in InGaAsN layers 査読
M. Uchida, A. Masuda, A. Yamamoto, A. Hashimoto
Physica Status Solidi C: Conferences ( 7 ) 2745 - 2748 2003年
Optical properties of RF-MBE grown AlGaAsN 査読
K. Yamamoto, M. Uchida, A. Yamamoto, A. Masuda, A. Hashimoto
Physica Status Solidi (B) Basic Research 234 ( 3 ) 915 - 918 2002年12月
Oxidation process in pulsed laser ablation of Si with various ambients 査読
A Masuda, S Usui, Y Yamanaka, Y Yonezawa, T Minamikawa, M Suzuki, A Morimoto, M Kumeda, T Shimizu
THIN SOLID FILMS 416 ( 1-2 ) 106 - 113 2002年9月
Recent progress in industrial applications of Cat-CVD (hot-wire CVD) 査読
A Masuda, A Izumi, H Umemoto, H Matsumura
AMORPHOUS AND HETEROGENEOUS SILICON-BASED FILMS-2002 715 111 - 122 2002年
Cat-CVD as a new fabrication technology of semiconductor devices 査読
H Matsumura, A Izumi, A Masuda
COMMAD 2002 PROCEEDINGS 323 - 328 2002年
Preparation of Amorphous Silicon Films and Device Application by Catalytic Chemical Vapor Deposition Method 査読
Atsushi Masuda, Hideki Matsumura
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan 45 ( 10 ) 727 - 732 2002年
RF-MBE growth and Raman scattering characterization of lattice-matched GaInNAs on GaAs(001) substrates 査読
A Hashimoto, T Furuhata, T Kitano, AK Nguyen, A Masuda, A Yamamoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 227 532 - 535 2001年7月
An indium surfactant effect in cubic GaN Rf-MBE growth 査読
Y Nishio, H Mori, A Masuda, A Yamamoto, A Hashimoto
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS 1 178 - 181 2000年
Effects of active ammonia gas cracked in catalytic-CVD on PZT ferroelectric capacitors 査読
T Minamikawa, Y Yonezawa, Y Fujimori, T Nakamura, A Masuda, H Matsumura
FERROELECTRIC THIN FILMS VIII 596 271 - 275 2000年
Cat-CVD process and its application to preparation of Si-based thin films 査読
H Matsumura, A Masuda, A Izumi
AMORPHOUS AND HETEROGENEOUS SILICON THIN FILMS: FUNDAMENTALS TO DEVICES-1999 557 67 - 78 1999年
Structural studies on hydrogenated amorphous germanium-carbon films prepared by RF sputtering 査読
M Kumeda, A Masuda, T Shimizu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 37 ( 4A ) 1754 - 1759 1998年4月
Low-temperature nitridation of Si surface using gas-decomposition reaction in cat-CVD method 査読
A Izumi, A Masuda, H Matsumura
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THIN FILM MATERIALS, PROCESSES, RELIABILITY, AND APPLICATIONS: THIN FILM PROCESSES 97 ( 30 ) 277 - 282 1998年
Novel surface cleaning of GaAs and formation of high quality SiNx films by cat-CVD method 査読
A Izumi, A Masuda, S Okada, H Matsumura
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1996 ( 155 ) 343 - 346 1997年
X-ray photoelectron spectroscopy of GaN layer formed on GaAs by NH3-plasma nitridation and successive excimer-laser irradiation 査読
A Masuda, Y Yonezawa, A Morimoto, T Shimizu
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 1995 142 1039 - 1042 1996年
Recent progress in industrial applications of Cat-CVD (hot-wire CVD)
Amorphous and Heterogeneous Silicon-Based Films -2001, Materials Research Society Symposium Proceedings 2002年
Properties of large grain-size poly-Si films by catalytic chemical sputtering
Amorphous and Heterogeneous Silicon-Based Films -2001, Materials Research Society Symposium Proceedings 2001年
Low temperature formation of passivation layers for compound semiconductors by catalytic CVD technique
Proceedings of 8th International Symposium on the Passivity of Metals and Semiconductors 2001年
200 ℃ preparation of SiNx passivation films for PZT ferroelectric capacitors by catalytic CVD
Ferroelectric Thin Films (]G0009[), Materials Research Society Symposium Proceedings 2001年
An indium surfactant effect in cubic GaN vf-MBE growth
Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conference Series 2000年
Raman scattering characterization of annealed GaN<sub>x</sub> As<sub>1-x</sub> layers
Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conference Series 2000年
Effects of active ammonia gas cracked in catalytic-CVD on PZT ferroelectivic capacitors
Ferroelectric Thin Films (]G0008[), Matevials Research Society Symposium Proceedings 2000年
Gas-phase and surface reactions of decomposed species in catalytic CVD
Amorphous and Heterogeneous Silicon Thin Films-2000, Materials Research Society Symposium Proceedings 2000年
Drastic revolution in catalytic CVD using"catalytic plate"instead of "hot wire"
Amorphous and Heterogeneous Silicon Thin Films-2000, Materials Research Society Symposium Proceedings 2000年
Cat-CVD process and its application to preparation of Si-based thin films
Amorphous and Heterogeneous Silicon Thin Films : Fundamentals to Devices-1999, Materials Research Society Symposium Proceedings 1999年
Low temperature nitridation of Si surface using gas-decomposition reaction in cat-CVD method
Proceedings of the International Symposium on Thin Film Materials, Precesses, Reliability, and Applications(The Electrochemical Society, Inc. , Pennington) 1998年
Novel surface cleaning of GaAs and formation of high quality SiNx films by cat-CVD method
Institute of Physics Conference Series(Institute of Physics Publishing, Bristol) 1997年
X-ray photoelectron spectroscopy of GaN layer formed on GaAs by NH<sub>3</sub>-plasma nitridation and successive excimer-laser irradiation
Institute of Physics Conference Series(Institute of Physics Publishing, Bristol) 1996年
Hideaki Hagihara, Hiroaki Sato, Yukiko Hara, Sachiko Jonai, Atsushi Masuda
Japanese Journal of Applied Physics 57 2018年8月
Potential-induced degradation of photovoltaic modules composed of interdigitated back contact solar cells observed in an actual photovoltaic system
Tetsuyuki Ishii, Ritsuko Sato, Sungwoo Choi, Yasuo Chiba, Atsushi Masuda
Proceedings of the 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition 1414 - 1417 2017年11月
Hideaki Hagihara, Masao Kunioka, Hiroyuki Suda, Yukiko Hara, Atsushi Masuda
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 10 ) 2016年10月
Annual degradation rates of bulk crystalline silicon PV modules estimated from indoor and outdoor measurements
Tetsuyuki Ishii, Atsushi Masuda, Yoshihiro Hishikawa
Proceedings of the 31st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition 2571 - 2574 2015年11月
CuIn<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>Se<sub>2</sub>太陽電池モジュールにおけるPID現象
山口世力, 山口世力, 原浩二郎, 小牧弘典, 上川由紀子, 柴田肇, 仁木栄, 川上雄士, 増田淳
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st 2014年
CS-3-2 太陽光発電の市場・技術動向と将来展望(CS-3.環境と光技術,シンポジウムセッション)
増田 淳
電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2009 ( 2 ) "S - 3"-"S-4" 2009年9月
増田 淳
應用物理 77 ( 10 ) 1213 - 1219 2008年10月
増田 淳
セラミックス 43 ( 1 ) 62 - 67 2008年1月
Mass-spectrometric studies of catalytic chemical vapor deposition processes of organic silicon compounds containing nitrogen
T Morimoto, SG Ansari, K Yoneyama, T Nakajima, A Masuda, H Matsumura, M Nakamura, H Umemoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45 ( 2A ) 961 - 966 2006年2月
Cat-CVD法による窒化シリコン薄膜の低温堆積 -気相診断と膜質評価-
梅本 宏信, 増田 淳, 松村 英樹, 南川 俊治, 部家 彰, 高野 昌宏, 米澤 保人, 仁木 敏一, 室井 進, 南 茂平
材料 55 ( 2 ) 142 - 147 2006年2月
低温触媒CVD装置の開発―有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成―
部家彰, 高野昌宏, 米沢保人, 南川俊治, 仁木敏一, 室井進, 南茂平, 大薗哲郎, 増田淳, 梅本宏信, 松村英樹
石川県工業試験場研究報告 ( 54 ) 17 - 22 2005年12月
Technique for the production, preservation, and transportation of H atoms in metal chambers for processings
SG Ansari, H Umemoto, T Morimoto, K Yoneyama, A Masuda, H Matsumura, M Ikemoto, K Ishibashi
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 23 ( 6 ) 1728 - 1731 2005年11月
CS-5-7 Cat-CVD法により作製した窒化シリコン膜の特性とデバイス応用(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
増田 淳, 梅本 宏信, 松村 英樹
電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2005 ( 2 ) "S - 13"-"S-14" 2005年9月
ELと光学技術 Cat‐CVD法による水蒸気バリア薄膜の低温形成
南川俊治, 部家彰, 高野昌宏, 米沢保人, 仁木敏一, 南茂平, 増田淳, 梅本宏信, 松村英樹
光技術コンタクト 43 ( 6 ) 328 - 333 2005年6月
Preparation of low-stress SiNx films by catalytic chemical vapor deposition at low temperatures
M Takano, T Niki, A Heya, T Osono, Y Yonezawa, T Minamikawa, S Muroi, S Minami, A Masuda, H Umemoto, H Matsumura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44 ( 6A ) 4098 - 4102 2005年6月
Improvement of deposition rate by sandblasting of tungsten wire in catalytic chemical vapor deposition
A Heya, T Niki, M Takano, Y Doguchi, Y Yonezawa, T Minamikawa, S Muroi, S Minami, A Izumi, A Masuda, H Umemoto, H Matsumura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44 ( 4A ) 1943 - 1944 2005年4月
Moisture-resistive properties of SiNx films prepared by catalytic chemical vapor deposition below 100 degrees C for flexible organic light-emitting diode displays
A Heya, T Niki, M Takano, Y Yonezawa, T Minamikawa, S Muroi, S Minami, T Ikari, A Izumi, A Masuda, H Umemoto, H Matsumura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44 ( 4A ) 1923 - 1927 2005年4月
Cat-CVD法の包装用ガスバリアフィルム製造工程への適用 (特集 マーケット創出の成否を決する次世代パッケージング) -- (未来のマーケットを支える技術と商品開発)
増田 淳, 梅本 宏信, 松村 英樹
パックピア 49 ( 1 ) 34 - 39 2005年1月
有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 -低温触媒CVD装置の開発-
電子情報通信学会技術研究報告 105 ( 434 ) 7 - 12 2005年
河本 直哉, 増田 淳, 松尾 直人, 瀬里 泰洋, 松村 英樹, 浜田 弘喜, 三好 正毅
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104 ( 510 ) 47 - 51 2004年12月
加熱触媒体により発生させた水素原子によるプラズマレス・レジスト剥離技術
増田 淳, 橋本 康平, 高尾 和久, 石橋 知淳, 松村 英樹
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 104 ( 425 ) 39 - 43 2004年11月
Cat-CVD 法で作製したSiN_x膜のGaAsトランジスタ保護膜への応用
増田 淳, 戸塚 正裕, 奥 友希, 服部 亮, 松村 英樹
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 104 ( 111 ) 11 - 16 2004年6月
研究室へようこそ 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST)・材料科学研究科 松村研究室 Cat-CVD法のフラットパネルディスプレイ製造技術への新展開
増田 淳, 松村 英樹
ディスプレイ 10 ( 4 ) 71 - 74 2004年4月
Cat-CVD技術の現状と将来展望 : 気相診断からデバイス応用まで
増田 淳, 梅本 宏信, 松村 英樹
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 87 ( 2 ) 203 - 215 2004年2月
増田 淳, 西村 昌也, 上遠野 浩一, 杉田 健, 今森 健策, 伊藤 雅也, 松村 英樹
電子情報通信学会技術研究報告 103 ( 412 ) 1 - 6 2003年11月
低温触媒CVD装置の開発 (特集/新規事業創出と大学発ベンチャー)
増田 淳, 松村 英樹, 南川 俊治
化学工業 54 ( 8 ) 631 - 635 2003年8月
ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係
河本 直哉, 増田 淳, 長谷川 勲, アンワル ファクルル, 余頃 祐介, 松尾 直人, 山野 耕治, 松村 英樹, 浜田 弘喜, 柴田 賢一
電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 103 ( 8 ) 31 - 34 2003年4月
[招待論文]Cat-CVD a-Si : H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製
増田 淳, 余頃 祐介, 松村 英樹, 宮下 一幸, 下田 達也
電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 103 ( 8 ) 25 - 30 2003年4月
Cat-CVD 法による薄膜トランジスタ製造技術の最近の進展
増田 淳, 松村 英樹
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 102 ( 434 ) 71 - 76 2002年11月
In situ chamber cleaning using atomic H in catalytic-CVD apparatus for mass production of a-Si : H solar cells
A Masuda, Y Ishibashi, K Uchida, K Kamesaki, A Izumi, H Matsumura
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 74 ( 1-4 ) 373 - 377 2002年10月
What is the difference between catalytic CVD and plasma-enhanced CVD? - Gas-phase kinetics and film properties
A Masuda, A Izumi, H Umemoto, H Matsumura
VACUUM 66 ( 3-4 ) 293 - 297 2002年8月
Preparation of boron-carbon-nitrogen thin films by magnetron sputtering
H Yokomichi, T Funakawa, A Masuda
VACUUM 66 ( 3-4 ) 245 - 249 2002年8月
Influence of atomic hydrogen on transparent conducting oxides during hydrogenated amorphous and microcrystalline Si preparation by catalytic chemical vapor deposition
A Masuda, K Imamori, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 411 ( 1 ) 166 - 170 2002年5月
Photoinduced volume expansion and contraction in a-Si : H films
N Yoshida, Y Sobajima, H Kamiguchi, T Iida, T Hatano, H Mori, Y Nakae, M Itoh, A Masuda, H Matsumura, S Nonomura
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 299 516 - 520 2002年4月
Effects of atomic hydrogen in gas phase on a-Si : H and poly-Si growth by catalytic CVD
H Umemoto, Y Nozaki, M Kitazoe, K Horii, K Ohara, D Morita, K Uchida, Y Ishibashi, M Komoda, K Kamesaki, A Izumi, A Masuda, H Matsumura
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 299 9 - 13 2002年4月
SC-8-6 Cat-CVD法による poly-Si TFT の低温形成とその特性
松村 英樹, 増田 淳, 和泉 亮
電子情報通信学会総合大会講演論文集 2002 ( 2 ) 171 - 172 2002年3月
Low-resistivity phosphorus-doped polycrystalline silicon thin films formed by catalytic chemical vapor deposition and successive rapid thermal annealing
R Morimoto, A Izumi, A Masuda, H Matsumura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 41 ( 2A ) 501 - 506 2002年2月
Direct detection of H atoms in the catalytic chemical vapor deposition of the SiH4/H-2 system
H Umemoto, K Ohara, D Morita, Y Nozaki, A Masuda, H Matsumura
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 91 ( 3 ) 1650 - 1656 2002年2月
Cat-CVD法による低温poly-Si TFT製造技術
月刊ディスプレイ 8 ( 7 ) 10 - 15 2002年
Cat-CVD technology as a new tool for fabrication of large area display
Proceedings of 2nd International Display Manufacturing Conference 143-146 2002年
Recent progress of Cat-CVD research in Japan -Bridging between the first and second Cat-CVD conferences-
Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process 17-22 2002年
Cat-CVD法による微結晶シリコン膜の作製とデバイス応用
固体物理 37 ( 12 ) 1003 - 1009 2002年
Deposition chemistry in the Cat-CVD processes of the SiH<sub>4</sub>/NH<sub>3</sub> system
Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process 35-38 2002年
Development of Cat-CVD apparatus for 1-m-size large-area deposition
Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process 75-80 2002年
Key factors to improve efficiency of Cat-CVD a-Si solar cells
Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process 223-226 2002年
Coverage properties of silicon nitride film prepared by Cat-CVD method
Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process 235-238 2002年
Fabrication of a-Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub>:H thin films for solar cells by Cat-CVD method using carbon catalyzer
Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process 239-242 2002年
Crystallization by excimer laser annealing for a-Si:H films with low hydrogen content prepared by Cat-CVD
Extended Abstract of 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process 355-358 2002年
触媒化学気相成長法による1 mサイズ基板上への均一堆積技術開発
柄澤 稔, 坂井 全弘, 石橋 啓次, 田中 雅彦, 増田 淳, 松村 英樹
真空 45 ( 3 ) 123 - 126 2002年
増田 淳, 松村 英樹
応用物理 71 ( 7 ) 833 - 838 2002年
触媒体上でのNF_3ガス分解反応を用いた低コスト・低環境負荷チャンバークリーニング法の開発
西村 悟, 増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 101 ( 395 ) 61 - 65 2001年10月
Influence of a-Si:H deposition by catalytic CVD on transparent conducting oxides
Kensaku Imamori, Atsushi Masuda, Hideki Matsumura
Thin Solid Films 395 ( 1-2 ) 147 - 151 2001年9月
Photo-induced volume changes in a-Si : H films prepared by Cat-CVD method
T Hatano, Y Nakae, H Mori, K Ohkado, N Yoshida, S Nonomura, M Itoh, A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 84 - 86 2001年9月
Proposal of catalytic chemical sputtering method and its application to prepare large grain size poly-Si
K Kamesaki, A Masuda, A Izumi, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 169 - 172 2001年9月
Formation of silicon films for solar cells by the Cat-CVD method
M Komoda, K Kamesaki, A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 198 - 201 2001年9月
Fabrication of amorphous carbon nitride films by hot-wire chemical vapor deposition
H Yokomichi, A Masuda, N Kishimoto
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 249 - 252 2001年9月
A Cat-CVD Si3N4 film study and its application to the ULSI process
Y Uchiyama, A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 275 - 279 2001年9月
Low-k silicon nitride film for copper interconnects process prepared by catalytic chemical vapor deposition method at low temperature
H Sato, A Izumi, A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 280 - 283 2001年9月
Preparation of SiNx passivation films for PZT ferroelectric capacitors at low substrate temperatures by catalytic CVD
T Minamikawa, Y Yonezawa, A Heya, Y Fujimori, T Nakamura, A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 284 - 287 2001年9月
High performance amorphous-silicon thin film transistors prepared by catalytic chemical vapor deposition with high deposition rate
M Sakai, T Tsutsumi, T Yoshioka, A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 330 - 334 2001年9月
Guiding principles for device-grade hydrogenated amorphous silicon films and design of catalytic chemical vapor deposition apparatus
A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 112 - 115 2001年9月
High-stability hydrogenated amorphous silicon films for light-soaking prepared by catalytic CVD at high deposition rates
M Itoh, Y Ishibashi, A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 138 - 141 2001年9月
Identification and gas phase kinetics of radical species in Cat-CVD processes of SiH4
Y Nozaki, M Kitazoe, K Horii, H Umemoto, A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 47 - 50 2001年9月
Development of Cat-CVD apparatus - a method to control wafer temperatures under thermal influence of heated catalyzer
M Karasawa, A Masuda, K Ishibashi, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 395 ( 1-2 ) 71 - 74 2001年9月
坂井 全弘, 堤 隆之, 増田 淳, 松村 英樹
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 101 ( 14 ) 27 - 31 2001年4月
Catalytic chemical sputtering: A novel method for obtaining large-grain polycrystalline silicon
H Matsumura, K Kamesaki, A Masuda, A Izumi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 40 ( 3B ) L289 - L291 2001年3月
Dominant parameter determining dangling-bond density in hydrogenated amorphous silicon films prepared by catalytic chemical vapor deposition
A Masuda, C Niikura, Y Ishibashi, H Matsumura
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 66 ( 1-4 ) 259 - 265 2001年2月
Study on catalytic-CVD a-Si:H-based solar cells with high deposition rate
Technical Digest of 12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 243-244 2001年
Properties of phosphorus-doped polycrystalline silicon films formed by catalytic chemical vapor deposition and successive rapid thermal annealing
Proceedings of 2001 International Conference on Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices 39-40 2001年
Precise substrate temperature control to prepare SiN<sub>x</sub> films for PZT ferroelectric devices by catalytic chemical vapor deposition
Extended Abstracts of 1st International Meeting on Ferroelectric Random Access Memories 130-131 2001年
1 m size large-area deposition of a-Si:H films by catalytic CVD using novel showerhead equipped with catalyzers
Proceedings of 21st International Display Research Conference in conjunction with 8th International Display Workshops 1735-1736 2001年
Raman characterization of lattice-matched GaInAsN layers grown on GaAs (001) substrates
Technical Digest of 12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 665-666 2001年
What is the difference between catalytic CVD and plasma-enhanced CVD? -Gas-phase kinetics and film properties
Proceedings of 6th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes 213-216 2001年
Preparation of boron-carbon-nitrogen thin films by magnetron sputtering
Proceedings of 6th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes 402-405 2001年
Properties of thin-film transistors using amorphous silicon films prepared by catalytic CVD with high deposition rate
Digest of Technical Papers 8th International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays -TFT Technologies and Related Materials- 147-150 2001年
In-situ chamber cleaning using atomic H in catalytic-CVD apparatus for mass production of a-Si:H solar cells
Technical Digest of 12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 241-242 2001年
Effects of double bonding configurations on thermal stability of low-hydrogen concentration fluorinated amorphous carbon thin-films with low dielectric constant prepared by sputtering with hydrogen dilution
H Yokomichi, A Masuda
VACUUM 59 ( 2-3 ) 771 - 776 2000年11月
Novel thin-film fabrication method combining pulsed laser ablation and catalytic chemical vapor deposition: application to preparation of Er-doped hydrogenated amorphous Si films
A Masuda, J Sakai, H Matsumura
VACUUM 59 ( 2-3 ) 635 - 640 2000年11月
Identification of Si and SiH in catalytic chemical vapor deposition of SiH4 by laser induced fluorescence spectroscopy
Y Nozaki, K Kongo, T Miyazaki, M Kitazoe, K Horii, H Umemoto, A Masuda, H Matsumura
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 88 ( 9 ) 5437 - 5443 2000年11月
ケミカル・スパッタリング法による巨大粒径 poly-Si 薄膜の作製
亀崎 浩司, 増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 100 ( 396 ) 7 - 12 2000年10月
Control of polycrystalline silicon structure by the two-step deposition method
A Heya, A Izumi, A Masuda, H Matsumura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 39 ( 7A ) 3888 - 3895 2000年7月
Effects of nitrogen incorporation on structural properties of fluorinated amorphous carbon films
H Yokomichi, A Masuda
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 271 ( 1-2 ) 147 - 151 2000年6月
Mechanism of low-temperature crystallization of amorphous silicon by atomic hydrogen anneal
A Heya, A Masuda, H Matsumura
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 266 ( Pt.A ) 619 - 623 2000年5月
Transport mechanism of deposition precursors in catalytic chemical vapor deposition studied using a reactor tube
N Honda, A Masuda, H Matsumura
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 266 ( Pt.A ) 100 - 104 2000年5月
Novel deposition technique of Er-doped a-Si : H combining catalytic chemical vapor deposition and pulsed laser-ablation
A Masuda, J Sakai, H Akiyama, O Eryu, K Nakashima, H Matsumura
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 266 ( Pt.A ) 136 - 140 2000年5月
Cat-CVD 法による低温 poly-Si 膜形成とTFTへの応用
増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 100 ( 1 ) 13 - 18 2000年4月
Cat-CVD/レーザアブレーション複合プロセスで作製したEr添加a-Si:H薄膜の発光特性
増田 淳, 坂井 穣, 秋山 治大, 江龍 修, 中嶋 堅志郎, 松村 英樹
電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会 2000 ( 10 ) 31 - 35 2000年2月
Preparation of SiN<sub>x</sub> passivation films for PZT ferroelectric capacitors at low substrate temperatures by catalytic CVD
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 253 - 256 2000年
High performance amorphous-silicon thin film transistors prepared by catalytic chemical vapor deposition with high deposition rate
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 311 - 314 2000年
Low-k silicon nitride film for copper interconnects process prepared by Cat-CVD method at low temperature
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 245 - 248 2000年
Development of Cat-CVD apparatus-A method to control wafer temperatures under thermal influence of heated catalyzer
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 117 - 120 2000年
High stability amorphous silicon films for light soaking prepared by catalytic CVD with high deposition rate
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 143 - 146 2000年
Influence of a-Si : H deposition by catalytic CVD on transparent conducting oxides
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 147 - 150 2000年
Formation of silicon films for solar cells by Cat-CVD method
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 163 - 166 2000年
Fabrication of amorphous carbon nitride films by hot wire chemical vapor deposition
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 205 - 208 2000年
Identification and gas phase kinetics of radical species in Cat-CVD processes of SiH<sub>4</sub>
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 41 - 44 2000年
Photoinduced volume change in a-Si : H films prepared by Cat-CVD method
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 69 - 72 2000年
Proposal of catalytic chemical sputtering method and its application to prepare large grain size poly-Si
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 85 - 88 2000年
Guiding principles for obtaining device-grade hydrogenated amorphous silicon films by catalytic chemical vapor deposition
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 99 - 102 2000年
Effect of atomic H and chamber cleaning in catalytic CVD on reproducibility of a-Si : H film properties
Digest of Technical Papers 2000 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays-TFT Technologies and Related Materials- 219 - 222 2000年
Study on Cat-CVD Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> films and its application to ULSI process
Extended Abstract of the 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD)Process 241 - 244 2000年
Mixing mechanism of h-GaN in c-GaN growth on GaAs (001) substrates
A Hashimoto, H Wada, T Ueda, Y Nishio, A Masuda, A Yamamoto
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 176 ( 1 ) 519 - 524 1999年11月
Effect of sputtering with hydrogen dilution on fluorine concentration of low hydrogen content fluorinated amorphous carbon thin films with low dielectric constant
H Yokomichi, A Masuda
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 86 ( 5 ) 2468 - 2472 1999年9月
Annealing effect of Pb(Zr, Ti)O-3 ferroelectric capacitor in active ammonia gas cracked by catalytic chemical vapor deposition system
T Minamikawa, Y Yonezawa, T Nakamura, Y Fujimori, A Masuda, H Matsumura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38 ( 9B ) 5358 - 5360 1999年9月
Anisotropic electrical conduction and reduction in dangling-bond density for polycrystalline Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition
C Niikura, A Masuda, H Matsumura
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 86 ( 2 ) 985 - 990 1999年7月
工藤 昭吉, 増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 99 ( 21 ) 59 - 66 1999年4月
Surface cleaning and nitridation of compound semiconductors using gas-decomposition reaction in Cat-CVD method
A Izumi, A Masuda, H Matsumura
THIN SOLID FILMS 343 528 - 531 1999年4月
Low-temperature crystallization of amorphous silicon using atomic hydrogen generated by catalytic reaction on heated tungsten
A Heya, A Masuda, H Matsumura
APPLIED PHYSICS LETTERS 74 ( 15 ) 2143 - 2145 1999年4月
Structural control of Cat-CVD poly-Si films by gas phase reaction using pure SiH<sub>4</sub> gas
Technical Digest of 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 781 - 782 1999年
Transport and generation mechanism of deposition precursors in catalytic CVD
Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project 9 - 13 1999年
Detection of free radicals in Cat-CVD processes by laser induced fluorescence spectroscopy
Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project 15 - 18 1999年
Suppression of heat radiation in catalytic CVD using "catalytic plate"
Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project 19 - 22 1999年
High-rate deposition of SiN<sub>x</sub> thin films prepared by Cat-CVD method
Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project 27 - 29 1999年
Effect of exposure of Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub> ferroelectric capacitors to active ammonia gas cracked by catalytic chemical vapor deposition system
Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project 31 - 34 1999年
Crystallization of a-Si film by atomic hydrogen anneal at low temperatures
Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project 39 - 43 1999年
Dominant parameter determining dangling-bond density in a Si : H films prepared by catalytic CVD
Technical Digest of 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 399 - 400 1999年
Suppression of hexagonal GaN mixing by As4 molecular beam in cubic GaN growth on GaAs (0 0 1) substrates
Akihiro Hashimoto, Takanori Motizuki, Hideki Wada, Atsushi Masuda, Akio Yamamoto
Journal of Crystal Growth 201 392 - 395 1999年
Novel thin-film fabrication method combining pulsed laser ablation and catalytic chemical vapor deposition : Application to preparation of Er-doped hydrogenated amorphous Si films
Proceedings of the 5th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes 23 - 24 1999年
Thermal stability of low hydrogen concentration fluorinated amorphous carbon thin films with low dielectric constant prepared by sputtering with hydrogen dilution
Proceedings of the 5th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes 215 - 216 1999年
Improvement of polycrystalline silicon film by atomic hydrogen anneal at low temperature
Digest of Technical Papers 1999 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays-TFT Technologies and Related Materials- 119 - 122 1999年
Direct crystal growth of Poly-Si films on glass substrates by catalytic CVD with incubation time
Digest of Technical Papers 1999 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays-TFT Technologies and Related Materials- 123 - 126 1999年
Electrical properties of polycrystalline silicon films prepared by catalytic CVD
Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project 49 - 52 1999年
Structural properties of polycrystalline silicon thin films prepared by catalytic CVD
Extended Abstract of the Open Meeting of Cat-CVD Project 45 - 48 1999年
Material properties of heteroepitaxial yttria-stabilized zirconia films with controlled yttria contents on Si prepared by reactive sputtering
S Horita, M Watanabe, S Umemoto, A Masuda
VACUUM 51 ( 4 ) 609 - 613 1998年12月
Effects of oxygen gas addition and substrate cooling on preparation of amorphous carbon nitride films by magnetron sputtering
H Yokomichi, H Sakima, A Masuda
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 37 ( 9A ) 4722 - 4725 1998年9月
触媒CVD法によるガリウムヒ素表面清浄化とシリコン窒化膜堆積
和泉 亮, 増田 淳, 松村 英樹
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98 ( 184 ) 41 - 46 1998年7月
Fabrication of Pb(Zr,Ti)O<inf>3</inf>/MgO/GaN/GaAs structure for optoelectronic device applications
Atsushi Masuda, Shinya Morita, Hideki Shigeno, Akiharu Morimoto, Tatsuo Shimizu, Jun Wu, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe
Journal of Crystal Growth 189-190 227 - 230 1998年6月
Structural and electrical properties of yttria-stabilized zirconia films with controlled Y content heteroepitaxially grown on Si by reactive sputtering
S Horita, M Watanabe, A Masuda
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY 54 ( 1-2 ) 79 - 83 1998年6月
Preparation of fluorinated amorphous carbon thin films
H Yokomichi, T Hayashi, T Amano, A Masuda
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 227 ( Pt.A ) 641 - 644 1998年5月
Changes in structure and nature of defects by annealing of fluorinated amorphous carbon thin films with low dielectric constant
H Yokomichi, T Hayashi, A Masuda
APPLIED PHYSICS LETTERS 72 ( 21 ) 2704 - 2706 1998年5月
Structural and conductivity change caused by N, O and C incorporation in a-Si : H
T Shimizu, T Ishii, M Kumeda, A Masuda
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 227 ( Pt.A ) 403 - 406 1998年5月
増田 淳, 和泉 亮, 松村 英樹
表面 36 ( 3 ) 149 - 156 1998年
Structural and electrical anisotropy and high absorption in poly-Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition
A Masuda, R Iiduka, A Heya, C Niikura, H Matsumura
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 227 ( Pt.B ) 987 - 991 1998年
5a-A-11 フッ素化アモルファスカーボンの構造欠陥と光誘起効果
横道 治男, 林 亨, 天野 富大, 増田 淳
日本物理学会講演概要集 52 ( 2 ) 141 - 141 1997年9月
Influence of Pb incorporation on light-induced phenomena in amorphous Ge100-x-yPbxSy thin films
A Masuda, Y Yonezawa, A Morimoto, M Kumeda, T Shimizu
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 217 ( 2-3 ) 121 - 135 1997年9月
低誘電率フッ素化アモルファスカーボンの作製
林 亨, 天野 富大, 増田 淳, 横道 治男
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 97 ( 100 ) 1 - 6 1997年6月
Interface control of Pb(ZrxTi1-x)O-3 thin film on silicon substrate with heteroepitaxial YSZ buffer layer
S Horita, T Naruse, M Watanabe, A Masuda, T Kawada, Y Abe
APPLIED SURFACE SCIENCE 117 429 - 433 1997年6月
Nitrogen-doping effects on electrical, optical, and structural properties in hydrogenated amorphous silicon
A Masuda, K Itoh, K Matsuda, Y Yonezawa, M Kumeda, T Shimizu
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 81 ( 10 ) 6729 - 6737 1997年5月
Nitrogen- and ammonia-plasma nitridation of hydrogenated amorphous silicon
A Masuda, S Yoshimoto, Y Yonezawa, A Morimoto, M Kumeda, T Shimizu
APPLIED SURFACE SCIENCE 113 610 - 613 1997年4月
Fabrication of Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub>/MgO/GaN/GaAs structure for optoelectronic device applications"
Proceedings of 2nd International Conference on Nitride Semiconductors 192 1997年
Noise reduction of pHEMTs with plasmaless SiN passivation by catalytic CVD
R Hattori, G Nakamura, S Nomura, T Ichise, A Masuda, H Matsumura
GAAS IC SYMPOSIUM - 19TH ANNUAL, TECHNICAL DIGEST 1997 78 - 80 1997年
Material properties of heteroepitaxial yttria-stabilized zirconia films with controlled Y content on Si prepared by reactive sputtering
Proceedings of the 4th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes 163 - 168 1997年
反応性スパッタ法によるSi基板上へのY組成制御YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長
渡部 幹雄, 成瀬 哲哉, 増田 淳, 堀田 将
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 96 ( 349 ) 19 - 25 1996年11月
Ambient-pressure influence on droplet formation and thickness distribution in pulsed laser ablation
A Masuda, K Matsuda, S Usui, Y Yonezawa, T Minamikawa, A Morimoto, T Shimizu
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY 41 ( 1 ) 161 - 165 1996年10月
Influence of buffer layers on lead magnesium niobate titanate thin films prepared by pulsed laser ablation
T Nakamura, A Masuda, A Morimoto, T Shimizu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 35 ( 9A ) 4750 - 4754 1996年9月
N-2-plasma-nitridation effects on porous silicon
H Yokomichi, A Masuda, Y Yonezawa, T Shimizu
THIN SOLID FILMS 281 ( 1/2 ) 568 - 571 1996年8月
X-ray photoelectron spectroscopy and electron spin resonance studies on O-2 and N2O plasma oxidation of silicon
A Masuda, Y Yonezawa, A Morimoto, M Kumeda, T Shimizu
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY 39 ( 3 ) 173 - 178 1996年7月
Origin of charged dangling bonds in nitrogen-doped hydrogenated amorphous silicon
A Masuda, K Itoh, M Kumeda, T Shimizu
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 200 ( Pt 1 ) 395 - 398 1996年5月
Mechanism of stoichiometric deposition of volatile elements in multimetal-oxide films prepared by pulsed laser ablation
A Masuda, K Matsuda, Y Yonezawa, A Morimoto, T Shimizu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 35 ( 2B ) L237 - L240 1996年2月
Preparation and crystallographic characterizations of highly oriented Pb(Zr0.52Ti0.48)O-3 films and MgO buffer layers on (100)GaAs and (100)Si by pulsed laser ablation
A Masuda, Y Yamanaka, M Tazoe, T Nakamura, A Morimoto, T Shimizu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 158 ( 1-2 ) 84 - 88 1996年1月
HIGHLY ORIENTED PB(ZR,TI)O-3 THIN-FILMS PREPARED BY PULSED-LASER ABLATION ON GAAS AND SI SUBSTRATES WITH MGO BUFFER LAYER
A MASUDA, Y YAMANAKA, M TAZOE, Y YONEZAWA, A MORIMOTO, T SHIMIZU
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 34 ( 9B ) 5154 - 5157 1995年9月
INTERFACIAL NEUTRAL-DANGLING-BOND AND CHARGED-DANGLING-BOND DENSITIES BETWEEN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON AND HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON NITRIDE IN TOP NITRIDE AND BOTTOM NITRIDE STRUCTURES
H MIN, FUKUSHI, I, A MASUDA, A MORIMOTO, M KUMEDA, T SHIMIZU
APPLIED PHYSICS LETTERS 66 ( 20 ) 2718 - 2720 1995年5月
NH3-PLASMA-NITRIDATION PROCESS OF (100)GAAS SURFACE OBSERVED BY ANGLE-DEPENDENT X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
A MASUDA, Y YONEZAWA, A MORIMOTO, T SHIMIZU
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 34 ( 2B ) 1075 - 1079 1995年2月
CORRELATION BETWEEN AC TRANSPORT AND ELECTRON-SPIN-RESONANCE IN AMORPHOUS GE-S FILMS ALLOYED WITH LEAD
K SHIMAKAWA, T KATO, K HAYASHI, A MASUDA, M KUMEDA, T SHIMIZU
PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES 70 ( 5 ) 1035 - 1044 1994年11月
ULTRATHIN SIO2-FILMS ON SI FORMED BY N2O-PLASMA OXIDATION TECHNIQUE
A MASUDA, Y YONEZAWA, A MORIMOTO, M KUMEDA, T SHIMIZU
APPLIED SURFACE SCIENCE 81 ( 3 ) 277 - 280 1994年11月
RELATIONSHIP BETWEEN ELECTRICAL-CONDUCTIVITY AND CHARGED-DANGLING-BOND DENSITY IN NITROGEN-DOPED AND PHOSPHORUS-DOPED HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
A MASUDA, K ITOH, JH ZHOU, M KUMEDA, T SHIMIZU
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 33 ( 9B ) L1295 - L1297 1994年9月
ORIENTATION OF MGO THIN-FILMS ON SI(100) AND GAAS(100) PREPARED BY ELECTRON-BEAM EVAPORATION
A MASUDA, K NASHIMOTO
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 33 ( 6A ) L793 - L796 1994年6月
Surface nitridation process of(100)GaAs by NH<sub>3</sub>-plasma treatment with planar magnetic field
Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials 193 - 195 1994年
SPECTROSCOPIC STUDY ON N2O-PLASMA OXIDATION OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON AND BEHAVIOR OF NITROGEN
A MASUDA, FUKUSHI, I, Y YONEZAWA, T MINAMIKAWA, A MORIMOTO, M KUMEDA, T SHIMIZU
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 32 ( 6A ) 2794 - 2802 1993年6月
NOVEL OXIDATION PROCESS OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON UTILIZING NITROUS-OXIDE PLASMA
A MASUDA, A MORIMOTO, M KUMEDA, T SHIMIZU, Y YONEZAWA, T MINAMIKAWA
APPLIED PHYSICS LETTERS 61 ( 7 ) 816 - 818 1992年8月
LIGHT-INDUCED ESR AND DISAPPEARANCE OF PHOTODARKENING IN AMORPHOUS GE-S FILMS ALLOYED WITH LEAD
A MASUDA, M KUMEDA, A MORIMOTO, T SHIMIZU
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 137 985 - 988 1991年12月
RELATIONSHIP BETWEEN PHOTODARKENING AND LIGHT-INDUCED ESR IN AMORPHOUS GE-S FILMS ALLOYED WITH LEAD
A MASUDA, M KUMEDA, T SHIMIZU
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 30 ( 6B ) L1075 - L1078 1991年6月
大面積液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタの新規製造技術
Cat-CVD fabrication techniques for solar cells
Novel fabrication processes of thin-film transistors for large-area liquid-crystal displays
Cat-CVD法による太陽電池製造技術の研究開発
Cat-CVD法による半導体デバイス製造プロセス
Cat-CVD fabrication processes for semiconductor devices
1998 Corning Research Grant Award
1998年
平成8年度 コニカ画像科学奨励賞
1997年
太陽電池モジュール加速試験における蛍光色素修飾ナノ構造による酸性水分子の検出
研究課題/領域番号:25630438
2013年4月 - 2015年3月
制度名:科学研究費助成事業
研究種目:挑戦的萌芽研究
提供機関:日本学術振興会
梅田 倫弘, 岩見 健太郎, 増田 淳
配分額:4030000円 ( 直接経費:3100000円 、 間接経費:930000円 )
太陽電池モジュール(PVM)内の封止材に使われているエチレンビニールアセテート(EVA)の加水分解によって生成される酢酸は、配線腐食による発電性能の低下の原因となっている。本研究では、PVMの状態を評価するために、非破壊で簡易な光学的手法を提案した。本手法は、PVM内のpH変化を検出するために、2波長pH感受性蛍光色素を利用した。その結果、EVAで発生した微量な酢酸に対してpH感受性蛍光色素は感度を持つことが明らかとなった。また、pH感受性蛍光色素で染色したメンブレンフィルターによって、高温高湿加速試験で生成された劣化EVA内で生成された酢酸が検出できることを明らかにした。
新規な強磁性体制御高移動度MOSトランジスタの開発
研究課題/領域番号:16656199
2004年 - 2005年
制度名:科学研究費助成事業
研究種目:萌芽研究
提供機関:日本学術振興会
篠崎 和夫, 脇谷 尚樹, 増田 淳, 水谷 惟恭
配分額:3600000円 ( 直接経費:3600000円 )
電界効果型Siトランジスタのゲート直上に形成した酸化物強磁性体薄膜の残留磁化を利用して,Siトランジスタのキャリア移動度を向上する可能性を見出し,この原理を利用して,磁性体薄膜の効果により,電界効果トランジスタの特性を向上することを検証し,全く新規な高速動作型トランジスタの原理的な可能性を探った.本年度は,前年度に続いて,強磁性体をMOS FET上に再現性よく作成するプロセスの確立と,強磁性体薄膜の残留磁化がトランジスタ特性に与える影響の検討をおこない,前年度の結果を受けて,デバイス化の可能性の基礎的な検討を行った.
Si-MOSFET基板のゲート部に,RFマグネトロンスパッタ法により、バリウムフェライトを室温で成膜した.リフトオフ法により、磁性薄膜をゲート上だけに残すべく微細加工し,800℃,10minのポストアニールにより磁気特性を引き出した.チャネル中を流れる電子が,ゲート界面に垂直な方向のSi側に力を受けるような向きに着磁し、その前後でトランジスタI_D-V_D測定を行った。ドレイン電流の増加から移動度の上昇を算出した。作製した薄膜の磁気特性はVSMを用いて評価し、pAメーターでMOSFETのI_D-V_D測定を行った。
その結果,電磁石のon/offによる外部磁場中でのトランジスタI_D-V_D測定をもとに、一定ドレイン電圧4Vでのドレイン電流の変化量のゲート長依存性を検討した.その結果,磁束密度が大きくゲート長が短いほど、ドレイン電流の変化量が大きいことがわかった.得られたバリウムフェライト薄膜は,残留磁化が250mT、保磁力は4.4kOeであった.着磁前後のMOSFETのI_D-V_D測定の結果から,着磁後,ドレイン電流が増加した.この変化を移動度の上昇として算出すると、着磁前の450cm^2/Vsに対して,着磁後は540cm^2/Vsとなり,約20%上昇している.また,外部磁場10kOe中で10分間着磁した後リテンション測定を行ったところ,バリウムフェライトの残留磁化は10日持続することがわかった.
液晶ディスプレイの廉価な次世代生産技術
研究課題/領域番号:12792007
2000年 - 2002年
制度名:科学研究費助成事業
研究種目:地域連携推進研究費
提供機関:日本学術振興会
松村 英樹, 和泉 亮, 新田 晃平, 寺野 稔, 木田 健一郎, 増田 淳
配分額:55300000円 ( 直接経費:55300000円 )
本研究は、液晶ディスプレイに用いられる薄膜トランジスタ(TFT)製造の際のパターン転写技術に関するものである。現行のパターン転写は、試料上のフォト・レジストにパターンの描かれた光を照射して行っているが、本研究では、高分子薄膜を試料に密着させ、その上からパターンの描かれた原版を圧着して凹凸パターンを高分子膜上に形成する、いわゆるインプリント方式の印刷技術を用いることにより、液晶ディスプレイの廉価な生産技術を提供することを目的としている。
本研究においては、高分子薄膜としてポリエチレン、ポリスチレンなどを使用してパターン転写実験を行い、従来法と同程度の特性を持つTFTの製作に成功した。また、本研究の過程で、凹凸パターン転写に合わせて超微小な結晶シリコン集積回路をあたかも印刷インクのように用いて各画素に貼り付け、これをTFTの代わりに用いることで、50インチサイズ以上の超大画面液晶ディスプレイの製造を20万円台と極めて安価に製造できる新手法を着想するに至り、その妥当性の確認を行い、本研究で開発した技術の新展開の可能性も示した。
触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス
研究課題/領域番号:11895001
1999年
制度名:科学研究費助成事業
研究種目:基盤研究(C)
提供機関:日本学術振興会
松村 英樹, 増田 淳, 和泉 亮, 梅本 宏信, 野々村 修一, 小長井 誠
配分額:3300000円 ( 直接経費:3300000円 )
触媒化学気相成長(触媒CVD、Cat-CVD)法はホットワイアCVD法とも呼ばれ、研究代表者(松村)らによる10数年にわたる研究の結果、アモルファスシリコン膜、微(多)結晶シリコン膜、シリコン窒化膜などの形成法として有望であることが明らかになり、薄膜太陽電池、薄膜トランジスタなどの大面積デバイス用半導体膜や化合物半導体デバイス保護膜の形成手法として注目されている。このような状況下において、Cat-CVD法の研究者ならびに関連周辺分野の研究者を一同に会した国際会議を開催し、Cat-CVD法におけるシリコン系薄膜の成長機構の解明などの基礎的検討からデバイス応用にいたるまで、幅広い視点で議論するこをは極めて有益である。本研究では、国際会議開催の準備段階として、Cat-CVD法ならびに関連周辺分野の研究者で研究組織を結成し、Cat-CVD法と周辺技術の現状における問題点とその解決手段を広く調査し、平成12年度に開催予定の国際会議のプログラム編成に役立て、同会議を一層充実したものにすることを目的とした。調査の結果、ホットワイアセル法においてジシランを用いることにより堆積速度28Å/sで多結晶シリコン膜が得られること、Cat-CVD法により16.5Å/Sの高速でアモルファスシリコン膜を堆積しても初期効率9.8%の太陽電池が得られること、Cat-CVD法で作製したアモルファスシリコン膜がマイクロマシンに適用可能であることなどが明らかになった。今年度得られた調査結果は、研究代表者の主催で開催したInternational Pre-Workshop on Cat-CVD(Hot-WireCVD)Processにおいて公開し、Extended Abstractを発行した。当該Workshopには国内外から110名の参加者があり、Cat-CVD法の普及ならびに育成に貢献するとともに、Workshopでの議論は平成12年11月に開催予定の国際会議のプログラム編成に役立てることができた。
青色半導体レーザと強誘電体光導波路の一体型新規光学素子のための複合材料創製
研究課題/領域番号:10650005
1998年 - 1999年
制度名:科学研究費助成事業
研究種目:基盤研究(C)
提供機関:日本学術振興会
増田 淳, 清水 立生, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 森本 章治
配分額:4000000円 ( 直接経費:4000000円 )
青色半導体レーザと酸化物強誘電体光導波路の集積化により、表面弾性波を用いた一体型青色レーザスキャナなどの新規光学素子を開発することを目的に、青色半導体レーザ材料である窒化ガリウム(GaN)上に酸化物強誘電体であるチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜を形成することを試みた。その結果、(100)面のガリウム砒素(GaAs)を基板として、有機金属化学気相成長法で形成したGaN薄膜上に、レーザアブレーション法によりPZT薄膜を形成することに初めて成功した。この際、PZTとGaN間に酸化マグネシウム(MgO)バッファ層を導入することの効果についても検討した。MgOバッファ層はGaN上にcube on cubeの関係でエピタキシャル成長した。MgOバッファ層の導入により、GaN層への酸素の拡散や、PZTとGaN間の金属元素の相互拡散が抑制できることを見出した。さらに、MgOバッファ層を用いない場合にはPZT薄膜はランダム配向であったが、MgOバッファ層の導入により[100]優先配向PZT薄膜が得られた。
次に、GaNの結晶性と耐酸化性の相関を、六法晶混在比の大きい試料、X線回折の半値幅の大きい試料ならびに高品質試料の3種類のGaN薄膜の比較により検討した。その結果、結晶性の劣るGaN薄膜の方が耐酸化性に優れることを見出した。また、酸素雰囲気曝露により、GaN薄膜の結晶性が劣化し、表面粗さは減少することも明らかになった。
界面制御によるシリコン基板上への強誘電体薄膜のヘテロエピタキシャル成長
研究課題/領域番号:09450125
1997年 - 1998年
制度名:科学研究費助成事業
研究種目:基盤研究(B)
提供機関:日本学術振興会
堀田 將, 増田 淳
配分額:6800000円 ( 直接経費:6800000円 )
(1) YSZ薄膜をSi基板上に800°Cで形成し、冷却速度を0.1〜1000K/sと変えて室温まで冷却後、その試料のC-V特性を測定したところ、C-V特性には殆ど変化が見られなかった。しかし、経時絶縁破壊特性において、冷却速度が1〜10K/sである試料が最も良い特性を示した。
(2) 高密度プラズマが試料に直接当たるようにした試料と、できるだけそれを抑制した試料のC-V特性を比較したところ、プラズマに直接当たった方が、可動イオンによる大きいヒステリシス幅を観測した。
(3) 基板温度460,470°Cの低温で作製したPZT薄膜は、従来と異なる単斜晶系の(110)PZTとして(100)YSZ薄膜上にヘテロエピタキシャル成長した。この薄膜は、300,325,350゚Cと段階的にアニールしたところ、リーク電流密度が3Vで1x10^<-7>A/cm^2以下に低減し、C-V特性が分極に起因したヒステリシス特性を示した。
(4) Ir薄膜は基板温度600°CでYSZ層上にエピタキシャル成長するが、堆積速度が0.42nm/minと遅いと(100)主配向膜となり、1.2nm/minと速いと(111)主配向膜となることがわかった。この(100)主配向膜は、YSZ層の結晶性を是正するのに有効であった。
(5) エピタキシャル(001)PZT薄膜は(100)主配向あるいは混合配向Ir膜上に基板温度600°Cで、エピタキシャル(111)PZT薄膜は(111)主配向Ir膜上に基板温度650°C以上で得られた。
(6) PZT薄膜の配向が(001)に強くなればなるほど、またその結晶性が良くなればなるほど、その残留分極が大きくなり、リーク電流が減少する傾向にあった。
(7) YSZ層の誘電率の低下の原因が、YSZ層とSi基板との間に存在する約2.5nmの酸化Si層であることがわかった。この酸化Si層は、YSZ層形成温度の低減と、Zr_+Y金属膜の堆積制御により1.3nmに低減出来ることがわかった。
金属/金属酸化物絶縁体/金属・トンネル接合を用いた新トランジスタ
研究課題/領域番号:08455163
1996年
制度名:科学研究費助成事業
研究種目:基盤研究(B)
提供機関:日本学術振興会
松村 英樹, 増田 淳, 和泉 亮
配分額:6700000円 ( 直接経費:6700000円 )
本研究は、金属とその金属の酸化物である絶縁体とを用い、従来の半導体を用いたものとは全く異なる原理で動作するトランジスタを開発することを念頭に行なったものである。本研究の方法により、ナノ・メータ・サイズのトランジスタを実現し、現在の半導体集積回路の集積度を一挙に1000倍以上引き上げることを究極の目標としているが、本研究ではそのための基礎的要件、特に10ナノ・メータ・サイズの超微細スリットを有するマスクを形成する新手法を提案し、その妥当性について検討を加えた。
本研究提案の方法とは、金属配線の一部をドライ・エッチングにより垂直に切り立たせ、その端面に横方向に金属酸化物を成長させ、さらに金属配線の残りの部分に金属を堆積することで、横方向に金属/金属酸化物/金属の構造を形成し、その金属酸化物部分をエッチングしてその厚み相当の開口部を有するマスクを製作するというものである。そして、金属としてチタンを、酸化物の形成法としては陽極酸化法を用いることでマスクの製作を試み、その形状を電子顕微鏡、原子間力顕微鏡により観察した。その結果、本研究提案の方法により、20nmの幅のスリットを持つマスクの製作に成功し、本研究提案の方法の有効性を確認した。
界面制御した酸化物薄膜のシリコン基板上へのヘテロエピタキシャル成長
研究課題/領域番号:07650362
1995年 - 1996年
制度名:科学研究費助成事業
研究種目:基盤研究(C)
提供機関:日本学術振興会
堀田 將, 増田 淳
配分額:2100000円 ( 直接経費:2100000円 )
YSZ膜の膜質のY量依存性を検討した後、YSZ膜上にPZT膜を堆積してその緩衝層としての有効性を確認した。
(1) Y組成比2.3-19.7at. %の試料は、室温においてもSi基板上に立方晶YSZ薄膜がヘテロエピタキシャル成長していることがわかった。これに対し、Y組成比1.2at%の試料は、膜厚が20nm程度までは、室温及び堆積温度である800℃において立方晶となったが、膜厚が100nmになると、堆積温度である800℃では立方晶であるが、室温まで温度を下げることで、Si界面から20nm程度の膜厚までは立方晶、それ以上の膜厚部分において単斜晶となった。
(2) Y量が無いZrO_2膜の場合は、膜厚が10nmでは、Si (100)基板上に単斜晶(100)がヘテロエピタキシャル成長しており、また、膜厚が100nmでは、Si (100)基板面より約9°傾いて、単斜晶(100)面が配向していた。
(3)電気的特性測定の結果以下の結論を得た。YSZ薄膜が立方晶を維持してY組成比が減少した場合、それと共にリ-ク電流や電気容量-電圧特性(C-V)特性のイオンドリフトにおけるヒステリシス幅も増加し、電気的特性としては悪化した。しかし、更にYSZ薄膜が単斜晶となるまでY組成を減少させると、逆にリ-ク電流及びヒステリシス幅が減少した。これは、立方晶の状態では、Y量が減少すると膜の結晶性が悪化し、それとともに膜に歪みが増加するためと考えている。
(4) Y組成比9.4at. %のYSZ薄膜上にPZT膜を堆積したところ、YSZの膜厚が10nmと薄くてもPZT膜とSiとは反応せず、強誘電性を示すPZT薄膜が形成できた。しかしYSZの膜厚がまだ厚いため、動作電圧が高く、今後さらにYSZ膜の膜厚を減少させ、またより質のよいYSZ膜でPZTを堆積する必要があると考えている。
Integration Technique of Oxide Ferroelectric Thin Films and Semiconductors
資金種別:競争的資金
Mechanism of Pulsed Laser Ablation
資金種別:競争的資金
Characterization of Amorphous and Polycrystalline Silicon Films Prepared by Catalytic Chemical Vapor Deposition
資金種別:競争的資金
Thin-film formation by catalytic chemical vapor deposition
資金種別:競争的資金
Thin film silicon solar cells
資金種別:競争的資金
Thin-film transistors
資金種別:競争的資金
酸化物強誘電体薄膜と半導体の集積化技術
資金種別:競争的資金
レーザアブレーションの機構解明
資金種別:競争的資金
触媒化学気相成長により堆積したアモルファスならびに多結晶シリコン薄膜の評価
資金種別:競争的資金
触媒化学気相成長法による薄膜作製
資金種別:競争的資金
薄膜シリコン太陽電池
資金種別:競争的資金
薄膜トランジスタ
資金種別:競争的資金
電子物性工学II
課題発見プロジェクト
自然科学総論III
論文輪講
科学技術表現法
物理工学IV
ロジカルスピーキング
ソーラー水素エネルギー概論
総合工学概論
卒業研究
電子光デバイス特論
卒業研修
太陽光発電工学特論
論文輪講II
論文輪講I
産業技術政策特論
ディベートI
技術者としてのキャリア形成入門演習
課題解決インターンシップIII
リメディアル演習
課題解決インターンシップII
協創経営概論
総合技術科学演習
ロジカルライティング
キャリアデザイン・インターンシップII
工学リテラシー入門(融合領域分野)
課題解決インターンシップI
キャリアデザイン・インターンシップI
ディベートIII